12 ኢንች SiC ንጣፍ ዲያሜትር 300 ሚሜ ውፍረት 750μm 4H-N አይነት ሊበጅ ይችላል

12 ኢንች SiC substrate ዲያሜትር 300 ሚሜ ውፍረት 750μm 4H-N አይነት ሊበጅ ይችላል ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡

የሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ወደ ይበልጥ ቀልጣፋ እና የታመቁ መፍትሄዎች በሚሸጋገርበት ወሳኝ ወቅት፣ የ12 ኢንች SiC substrate (12 ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ substrate) ብቅ ማለት የመሬት ገጽታውን በመሠረቱ ቀይሮታል። ከባህላዊ የ6 ኢንች እና የ8 ኢንች ዝርዝር መግለጫዎች ጋር ሲነጻጸር፣ የ12 ኢንች substrate ትልቅ መጠን ያለው ጥቅም በአንድ ዋፈር የሚመረቱትን የቺፖችን ብዛት በአራት እጥፍ ይጨምራል። በተጨማሪም፣ የ12 ኢንች SiC substrate አሃድ ዋጋ ከባህላዊ የ8 ኢንች substrateዎች ጋር ሲነጻጸር በ35-40% ቀንሷል፣ ይህም የመጨረሻ ምርቶችን በስፋት ለመጠቀም ወሳኝ ነው።
የኛን የእንፋሎት ትራንስፖርት እድገት ቴክኖሎጂ በመጠቀም፣ በ12 ኢንች ክሪስታሎች ውስጥ በሚፈጠር የመፈናቀል ጥግግት ላይ በኢንዱስትሪው ውስጥ ግንባር ቀደም ቁጥጥር አድርገናል፣ ይህም ለቀጣይ የመሣሪያ ማምረቻ ልዩ የሆነ የቁሳቁስ መሠረት ጥሏል። ይህ እድገት በተለይ በአሁኑ ጊዜ በዓለም አቀፍ የቺፕስ እጥረት መካከል ጉልህ ነው።

እንደ EV ፈጣን የኃይል መሙያ ጣቢያዎች እና 5ጂ ቤዝ ጣቢያዎች ያሉ በዕለት ተዕለት አፕሊኬሽኖች ውስጥ ቁልፍ የኃይል መሳሪያዎች ይህንን ትልቅ መጠን ያለው ንጣፍ ከጊዜ ወደ ጊዜ እየተጠቀሙበት ነው። በተለይም በከፍተኛ ሙቀት፣ ከፍተኛ ቮልቴጅ እና ሌሎች አስቸጋሪ የአሠራር አካባቢዎች፣ 12 ኢንች SiC ንጣፍ ከሲሊኮን ላይ ከተመሠረቱ ቁሳቁሶች ጋር ሲነጻጸር እጅግ የላቀ መረጋጋትን ያሳያል።

ኢሜይል ይላኩልን

ባህሪያት

ቴክኒካዊ መለኪያዎች

12 ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ (ሲሲ) ንኡስ ስፔክሽኔሽን
ደረጃ		የዜሮኤምፒዲ ፕሮዳክሽን ክፍል (Z ክፍል)	መደበኛ ምርት ክፍል (ፒ)		የውሸት ደረጃ (ዲ ግሬድ)
ዲያሜትር		30 0 ሚሜ ~ 1305 ሚሜ
ውፍረት	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
የዋፈር አቀማመጥ		ከዘንግ ውጪ፡ ለ4H-N ወደ <1120 >±0.5° 4.0°፣ በዘንግ ላይ፡ ለ4H-SI <0001>±0.5°
የማይክሮፓይፕ ጥግግት	4H-N	≤0.4ሴሜ-2	≤4ሴሜ-2		≤25ሴሜ-2
	4H-SI	≤5ሴሜ-2	≤10ሴሜ-2		≤25ሴሜ-2
የመቋቋም ችሎታ	4H-N	0.015~0.024 Ω·ሴሜ			0.015~0.028 Ω·ሴሜ
	4H-SI	≥1E10 Ω·ሴሜ			≥1E5 Ω·ሴሜ
ዋና ጠፍጣፋ አቀማመጥ		{10-10} ±5.0°
ዋና ጠፍጣፋ ርዝመት	4H-N	የለም
	4H-SI	ኖች
የጠርዝ ማግለል		3 ሚሜ
ኤልቲቪ/ቲቲቪ/ቦው/ዋርፕ		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 ማይክሮን			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
ሸካራነት		የፖላንድ ራ≤1 nm
		ሲኤምፒ ራ≤0.2 nm			ራ≤0.5 nm
በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የጠርዝ ስንጥቆች በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የሄክስ ሳህኖች በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን ፖሊታይፕ አካባቢዎች የእይታ ካርቦን ማካተት የሲሊኮን ወለል ጭረቶች በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን		ምንም የተጠራቀመ ቦታ ≤0.05% ምንም የተጠራቀመ ቦታ ≤0.05% ምንም			የተጠራቀመ ርዝመት ≤ 20 ሚሜ፣ ነጠላ ርዝመት ≤ 2 ሚሜ የተጠራቀመ ቦታ ≤0.1% የተጠራቀመ ቦታ≤3% የተጠራቀመ ቦታ ≤3% የተጠራቀመ ርዝመት ≤1 × የዋፈር ዲያሜትር
በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የኤጅ ቺፕስ		≥0.2ሚሜ ስፋት እና ጥልቀት አይፈቀድም			7 ተፈቅዷል፣ ≤1 ሚሜ እያንዳንዱ
(TSD) የክር ዊንጣ መቆራረጥ		≤500 ሴሜ-2		የለም
(BPD) የመሠረት ፕላን መሰናክል		≤1000 ሴሜ-2		የለም
የሲሊኮን ወለል ብክለት በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን		ምንም
ማሸጊያ		ባለብዙ-ዋፈር ካሴት ወይም ነጠላ ዋፈር ኮንቴይነር
ማስታወሻዎች፡
1 የጠርዝ ማግለያ ቦታ ካልሆነ በስተቀር የጉድለቶች ገደቦች በሙሉ የዋፈር ወለል ላይ ተፈጻሚ ይሆናሉ። 2. ጭረቶች በSi ፊት ላይ ብቻ መታየት አለባቸው። 3 የመፈናቀሉ መረጃ ከ KOH የተቀረጹ ዋፈርዎች ብቻ ነው።

ቁልፍ ባህሪያት

1. የምርት አቅም እና የወጪ ጥቅሞች፡- የ12 ኢንች SiC ንጣፎች (12 ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ ንጣፎች) በጅምላ ማምረት በሴሚኮንዳክተር ማምረቻ ውስጥ አዲስ ዘመንን ያመለክታል። ከአንድ ዋፈር የሚገኙ የቺፕስ ብዛት ከ8 ኢንች ንጣፎች 2.25 እጥፍ የሚበልጥ ሲሆን ይህም በቀጥታ የምርት ውጤታማነትን ይጨምራል። የደንበኞች ግብረመልስ እንደሚያሳየው የ12 ኢንች ንጣፎችን መቀበል የኃይል ሞጁል ማምረቻ ወጪያቸውን በ28% ቀንሶታል፣ ይህም በከፍተኛ ፉክክር በተካሄደው ገበያ ውስጥ ወሳኝ የፉክክር ጥቅም ፈጥሯል።
2. እጅግ በጣም ጥሩ አካላዊ ባህሪያት፡- የ12 ኢንች SiC ንጣፍ የሲሊኮን ካርቦይድ ቁሳቁስን ሁሉንም ጥቅሞች ይወርሳል - የሙቀት አማቂነቱ ከሲሊኮን 3 እጥፍ ሲሆን የመበላሸቱ የመስክ ጥንካሬ ደግሞ ከሲሊኮን 10 እጥፍ ይደርሳል። እነዚህ ባህሪያት በ12 ኢንች ንጣፍ ላይ የተመሰረቱ መሳሪያዎች ከ200°ሴ በላይ በሆነ ከፍተኛ የሙቀት መጠን ባሉ አካባቢዎች ውስጥ በተረጋጋ ሁኔታ እንዲሰሩ ያስችላቸዋል፣ ይህም እንደ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች ላሉ አፕሊኬሽኖች በተለይ ተስማሚ ያደርጋቸዋል።
3. የገጽታ ህክምና ቴክኖሎጂ፡- በተለይ ለ12 ኢንች SiC ንጣፎች አዲስ የኬሚካል ሜካኒካል ፖሊሽንግ (CMP) ሂደት አዘጋጅተናል፣ ይህም የአቶሚክ ደረጃ ወለል ጠፍጣፋነት (Ra<0.15nm) አስገኝቷል። ይህ ግኝት ከፍተኛ ዲያሜትር ያለው የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈር ወለል ህክምናን በዓለም አቀፍ ደረጃ የሚፈታ ሲሆን ከፍተኛ ጥራት ላለው የኤፒታክሲያል እድገት እንቅፋቶችን ያስወግዳል።
4. የሙቀት አስተዳደር አፈጻጸም፡- በተግባራዊ አፕሊኬሽኖች፣ 12 ኢንች SiC ንጣፎች አስደናቂ የሙቀት ማሰራጫ ችሎታዎችን ያሳያሉ። የሙከራ መረጃዎች እንደሚያሳዩት በተመሳሳይ የኃይል ጥግግት፣ 12 ኢንች ንጣፎችን የሚጠቀሙ መሳሪያዎች ከሲሊኮን ላይ ከተመሰረቱ መሳሪያዎች በ40-50°ሴ ዝቅተኛ የሙቀት መጠን የሚሰሩ ሲሆን ይህም የመሳሪያዎችን የአገልግሎት ዘመን በእጅጉ ያራዝማል።

ዋና ዋና አፕሊኬሽኖች

1. አዲስ የኢነርጂ ተሽከርካሪ ሥነ-ምህዳር፡- የ12 ኢንች SiC ንጣፍ (12 ኢንች የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ) የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ የኃይል ባቡር አርክቴክቸርን አብዮት እያደረገ ነው። ከውስጥ ቻርጀሮች (OBC) እስከ ዋና ድራይቭ ኢንቨርተሮች እና የባትሪ አስተዳደር ስርዓቶች፣ በ12 ኢንች ንጣፍ የሚመጡ የቅልጥፍና ማሻሻያዎች የተሽከርካሪውን ክልል በ5-8% ጨምረዋል። ከአንድ ታዋቂ የመኪና አምራች ሪፖርቶች እንደሚያሳዩት የ12 ኢንች ንጣፍ መቀበላችን በፈጣን የኃይል መሙያ ስርዓታቸው ውስጥ ያለውን የኃይል ብክነት በ62% ቀንሷል።
2. የታዳሽ የኃይል ዘርፍ፡- በፎቶቮልታይክ የኃይል ማመንጫ ጣቢያዎች ውስጥ፣ በ12 ኢንች SiC ንጣፎች ላይ የተመሰረቱ ኢንቨርተሮች ትናንሽ የቅርጽ ሁኔታዎችን ብቻ ሳይሆን ከ99% በላይ የልወጣ ቅልጥፍናን ያስገኛሉ። በተለይም በተከፋፈለ ትውልድ ሁኔታዎች፣ ይህ ከፍተኛ ቅልጥፍና ለኦፕሬተሮች በየዓመቱ በመቶ ሺዎች የሚቆጠር የዩዋን የኤሌክትሪክ ኪሳራ ቁጠባን ያስከትላል።
3. የኢንዱስትሪ አውቶሜሽን፡- 12 ኢንች ንጣፎችን የሚጠቀሙ የድግግሞሽ መቀየሪያዎች በኢንዱስትሪ ሮቦቶች፣ በሲኤንሲ ማሽን መሳሪያዎች እና በሌሎች መሳሪያዎች ውስጥ እጅግ በጣም ጥሩ አፈፃፀም ያሳያሉ። ከፍተኛ ድግግሞሽ መቀየሪያ ባህሪያቸው የሞተር ምላሽ ፍጥነትን በ30% ያሻሽላሉ፣ እንዲሁም የኤሌክትሮማግኔቲክ ጣልቃገብነትን ወደ አንድ ሶስተኛው መደበኛ መፍትሄዎች ይቀንሳሉ።
4. የሸማቾች ኤሌክትሮኒክስ ፈጠራ፡- የቀጣዩ ትውልድ የስማርትፎን ፈጣን የኃይል መሙያ ቴክኖሎጂዎች 12 ኢንች የሲሲ ንጣፎችን መጠቀም ጀምረዋል። ከ65 ዋት በላይ የሆኑ ፈጣን የኃይል መሙያ ምርቶች ሙሉ በሙሉ ወደ ሲሊኮን ካርቦይድ መፍትሄዎች እንደሚሸጋገሩ ይገመታል፣ 12 ኢንች ንጣፎች ደግሞ እንደ ምርጥ የወጪ አፈጻጸም ምርጫ ሆነው ብቅ ይላሉ።

ለ12 ኢንች SiC substrate የተበጁ የXKH አገልግሎቶች

ለ12 ኢንች SiC ንጣፎች (12 ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ ንጣፎች) የተወሰኑ መስፈርቶችን ለማሟላት፣ XKH አጠቃላይ የአገልግሎት ድጋፍ ይሰጣል፡
1. የውፍረት ማበጀት፡
የተለያዩ የማመልከቻ ፍላጎቶችን ለማሟላት 725μmን ጨምሮ በተለያዩ የውፍረት ዝርዝሮች ውስጥ 12 ኢንች ንጣፎችን እናቀርባለን።
2. የዶፒንግ ክምችት፡
የእኛ ማምረቻ በ0.01-0.02Ω·ሴሜ ክልል ውስጥ ትክክለኛ የተቃውሞ መቆጣጠሪያ ያለው የn-type እና p-type substratesን ጨምሮ በርካታ የኮንዳክቲቭ አይነቶችን ይደግፋል።
3. የሙከራ አገልግሎቶች፡
ሙሉ የዋፈር ደረጃ የሙከራ መሳሪያዎች ስላሉን፣ ሙሉ የፍተሻ ሪፖርቶችን እናቀርባለን።
XKH እያንዳንዱ ደንበኛ ለ12 ኢንች SiC ንጣፎች ልዩ መስፈርቶች እንዳሉት ይረዳል። ስለዚህ በጣም ተወዳዳሪ የሆኑ መፍትሄዎችን ለማቅረብ ተለዋዋጭ የንግድ ትብብር ሞዴሎችን እናቀርባለን፣ ለሚከተሉትም ቢሆን፡
· የምርምር እና ልማት ናሙናዎች
· የመጠን ምርት ግዢዎች
ብጁ አገልግሎቶቻችን ለ12 ኢንች SiC ንጣፎች የእርስዎን ልዩ የቴክኒክ እና የምርት ፍላጎቶች ማሟላት እንደምንችል ያረጋግጣሉ።