3 ኢንች ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱሌሽን (HPSI) SiC ዋፈር 350um Dummy grade Prime grade
ማመልከቻ
የHPSI SiC ዋፈሮች ለቀጣዩ ትውልድ የኃይል መሳሪያዎችን በማንቃት ረገድ ወሳኝ ናቸው፣ እነዚህም በተለያዩ ከፍተኛ አፈጻጸም ባላቸው አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ፡
የኃይል ልወጣ ስርዓቶች፡- የሲሲ ዋፈርስ እንደ ፓወር MOSFETs፣ ዳዮዶች እና IGBTs ላሉ የኃይል መሳሪያዎች እንደ ዋና ቁሳቁስ ሆኖ ያገለግላል፣ እነዚህም በኤሌክትሪክ ወረዳዎች ውስጥ ውጤታማ የኃይል ልወጣ ለማድረግ ወሳኝ ናቸው። እነዚህ ክፍሎች በከፍተኛ ብቃት ባላቸው የኃይል አቅርቦቶች፣ በሞተር ድራይቮች እና በኢንዱስትሪ ኢንቨርተሮች ውስጥ ይገኛሉ።
የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች (ኢቪዎች)፡የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች ፍላጎት እየጨመረ መምጣቱ የበለጠ ቀልጣፋ የኃይል ኤሌክትሮኒክስ መጠቀምን ይጠይቃል፣ እና የሲሲ ዋፈርስ በዚህ ለውጥ ግንባር ቀደም ናቸው። በኤሌክትሪክ ኃይል ማመንጫዎች ውስጥ፣ እነዚህ ዋፈርዎች ከፍተኛ ቅልጥፍና እና ፈጣን የመቀየሪያ ችሎታዎችን ይሰጣሉ፣ ይህም ፈጣን የኃይል መሙያ ጊዜን፣ ረዘም ያለ ርቀትን እና አጠቃላይ የተሽከርካሪ አፈጻጸምን ለማሻሻል አስተዋጽኦ ያደርጋል።
ታዳሽ ኃይል፡እንደ የፀሐይ ኃይል እና የንፋስ ኃይል ባሉ ታዳሽ የኃይል ስርዓቶች ውስጥ፣ የSiC ዋፈርዎች የበለጠ ቀልጣፋ የኃይል ቀረጻ እና ስርጭትን በሚያስችሉ ኢንቨርተሮች እና ኮንቨርተሮች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ። ከፍተኛ የሙቀት አማቂ ኃይል እና የላቀ የSiC ብልሽት ቮልቴጅ እነዚህ ስርዓቶች በአስከፊ የአካባቢ ሁኔታዎች ውስጥ እንኳን በአስተማማኝ ሁኔታ እንዲሰሩ ያረጋግጣሉ።
የኢንዱስትሪ አውቶሜሽን እና ሮቦቲክስ፡በኢንዱስትሪ አውቶሜሽን ሲስተሞች እና ሮቦቲክስ ውስጥ ከፍተኛ አፈጻጸም ያላቸው የኃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች በፍጥነት የመቀየር፣ ትላልቅ የኃይል ጭነቶችን የማስተናገድ እና በከፍተኛ ጭንቀት ስር የመስራት ችሎታ ያላቸው መሳሪያዎችን ይፈልጋሉ። በሲሲ ላይ የተመሰረቱ ሴሚኮንዳክተሮች እነዚህን መስፈርቶች የሚያሟሉት በአስቸጋሪ የአሠራር ሁኔታዎች ውስጥም ቢሆን ከፍተኛ ቅልጥፍና እና ጥንካሬ በማቅረብ ነው።
የቴሌኮሙኒኬሽን ስርዓቶች፡ከፍተኛ አስተማማኝነት እና ቀልጣፋ የኃይል ልወጣ ወሳኝ በሆኑባቸው የቴሌኮሙኒኬሽን መሠረተ ልማቶች ውስጥ፣ የSiC ዋፈሮች በኃይል አቅርቦቶች እና በዲሲ-ዲሲ መቀየሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ። የSiC መሳሪያዎች የኃይል ፍጆታን ለመቀነስ እና በመረጃ ማዕከላት እና በመገናኛ አውታረ መረቦች ውስጥ የስርዓት አፈፃፀምን ለማሻሻል ይረዳሉ።
ለከፍተኛ ኃይል አፕሊኬሽኖች ጠንካራ መሠረት በማቅረብ፣ የHPSI SiC ዋፈር ኃይል ቆጣቢ መሳሪያዎችን እንዲገነቡ ያስችላል፣ ይህም ኢንዱስትሪዎች ወደ አረንጓዴ እና የበለጠ ዘላቂ መፍትሄዎች እንዲሸጋገሩ ይረዳል።
ንብረቶች
| ኦፕሬቲ | የምርት ደረጃ | የምርምር ደረጃ | የውሸት ደረጃ |
| ዲያሜትር | 75.0 ሚሜ ± 0.5 ሚሜ | 75.0 ሚሜ ± 0.5 ሚሜ | 75.0 ሚሜ ± 0.5 ሚሜ |
| ውፍረት | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| የዋፈር አቀማመጥ | በዘንግ ላይ፦ <0001> ± 0.5° | በዘንግ ላይ፦ <0001> ± 2.0° | በዘንግ ላይ፦ <0001> ± 2.0° |
| የማይክሮፓይፕ ጥግግት ለ95% ዋፈርስ (MPD) | ≤ 1 ሴ.ሜ⁻² | ≤ 5 ሴ.ሜ⁻² | ≤ 15 ሴ.ሜ⁻² |
| የኤሌክትሪክ መቋቋም ችሎታ | ≥ 1E7 Ω·ሴሜ | ≥ 1E6 Ω·ሴሜ | ≥ 1E5 Ω·ሴሜ |
| ዶፓንት | ያልተወሰደ | ያልተወሰደ | ያልተወሰደ |
| ዋና ጠፍጣፋ አቀማመጥ | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| ዋና ጠፍጣፋ ርዝመት | 32.5 ሚሜ ± 3.0 ሚሜ | 32.5 ሚሜ ± 3.0 ሚሜ | 32.5 ሚሜ ± 3.0 ሚሜ |
| ሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ ርዝመት | 18.0 ሚሜ ± 2.0 ሚሜ | 18.0 ሚሜ ± 2.0 ሚሜ | 18.0 ሚሜ ± 2.0 ሚሜ |
| ሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ አቀማመጥ | ፊት ለፊት ወደ ላይ፦ ከዋናው ጠፍጣፋ ± 5.0° 90° CW | ፊት ለፊት ወደ ላይ፦ ከዋናው ጠፍጣፋ ± 5.0° 90° CW | ፊት ለፊት ወደ ላይ፦ ከዋናው ጠፍጣፋ ± 5.0° 90° CW |
| የጠርዝ ማግለል | 3 ሚሜ | 3 ሚሜ | 3 ሚሜ |
| ኤልቲቪ/ቲቲቪ/ቦው/ዋርፕ | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm |
| የወለል ሻካራነት | ሲ-ፊት፡ የተወለወለ፣ ሲ-ፊት፡ ሲኤምፒ | ሲ-ፊት፡ የተወለወለ፣ ሲ-ፊት፡ ሲኤምፒ | ሲ-ፊት፡ የተወለወለ፣ ሲ-ፊት፡ ሲኤምፒ |
| ስንጥቆች (በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የሚመረመሩ) | ምንም | ምንም | ምንም |
| የሄክስ ፕሌትስ (በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የተፈተሸ) | ምንም | ምንም | የተጠራቀመ ቦታ 10% |
| ፖሊታይፕ አካባቢዎች (በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የሚመረመር) | የተጠራቀመ ቦታ 5% | የተጠራቀመ ቦታ 5% | የተጠራቀመ ቦታ 10% |
| ጭረቶች (በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የሚመረመሩ) | ≤ 5 ጭረቶች፣ ድምር ርዝመት ≤ 150 ሚሜ | ≤ 10 ጭረቶች፣ ድምር ርዝመት ≤ 200 ሚሜ | ≤ 10 ጭረቶች፣ ድምር ርዝመት ≤ 200 ሚሜ |
| ኤጅ ቺፕፒንግ | ምንም አይፈቀድም ≥ 0.5 ሚሜ ስፋት እና ጥልቀት | 2 ተፈቅዷል፣ ≤ 1 ሚሜ ስፋት እና ጥልቀት | 5 ተፈቅዷል፣ ≤ 5 ሚሜ ስፋት እና ጥልቀት |
| የገጽታ ብክለት (በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን የሚመረመር) | ምንም | ምንም | ምንም |
ቁልፍ ጥቅሞች
የላቀ የሙቀት አፈጻጸም፡- የሲሲ ከፍተኛ የሙቀት ምህዳራዊነት በሃይል መሳሪያዎች ውስጥ ውጤታማ የሙቀት መሟጠጥን ያረጋግጣል፣ ይህም በከፍተኛ የኃይል ደረጃዎች እና ድግግሞሽ ሳይሞቁ እንዲሰሩ ያስችላቸዋል። ይህ ወደ ትናንሽ፣ የበለጠ ቀልጣፋ ስርዓቶች እና ረጅም የስራ ዘመን ይተረጎማል።
ከፍተኛ የብልሽት ቮልቴጅ፡- ከሲሊኮን ጋር ሲነጻጸር ሰፊ የባንድ ክፍተት ስላለው፣ የሲሲ ዋፈርስ ከፍተኛ ቮልቴጅ ያላቸውን አፕሊኬሽኖች ይደግፋል፣ ይህም እንደ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች፣ የፍርግርግ የኃይል ስርዓቶች እና የታዳሽ የኃይል ስርዓቶች ያሉ ከፍተኛ የብልሽት ቮልቴጅዎችን ለመቋቋም ለሚፈልጉ የኃይል ኤሌክትሮኒክስ ክፍሎች ተስማሚ ያደርጋቸዋል።
የኃይል ኪሳራ መቀነስ፡- የSiC መሳሪያዎች ዝቅተኛ የመቋቋም አቅም እና ፈጣን የመቀየሪያ ፍጥነት በስራ ወቅት የኃይል ብክነትን ይቀንሳል። ይህ ቅልጥፍናን ከማሻሻል ባለፈ የተተገበሩባቸውን ስርዓቶች አጠቃላይ የኃይል ቁጠባ ያሻሽላል።
በጠንካራ አካባቢዎች የተሻሻለ አስተማማኝነት፡- የSiC ጠንካራ የቁሳቁስ ባህሪያት እንደ ከፍተኛ ሙቀት (እስከ 600°ሴ)፣ ከፍተኛ ቮልቴጅ እና ከፍተኛ ድግግሞሽ ባሉ ከባድ ሁኔታዎች ውስጥ እንዲሠራ ያስችሉታል። ይህም የSiC ዋፈሮችን ለከፍተኛ የኢንዱስትሪ፣ ለአውቶሞቲቭ እና ለኢነርጂ አፕሊኬሽኖች ተስማሚ ያደርገዋል።
የኢነርጂ ቅልጥፍና፡ የሲሲ መሳሪያዎች ከባህላዊ ሲሊኮን ላይ ከተመሰረቱ መሳሪያዎች የበለጠ የኃይል ጥግግት ይሰጣሉ፣ ይህም የኃይል ኤሌክትሮኒክስ ስርዓቶችን መጠን እና ክብደት በመቀነስ አጠቃላይ ቅልጥፍናቸውን ያሻሽላሉ። ይህም እንደ ታዳሽ ኃይል እና የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች ባሉ አፕሊኬሽኖች ውስጥ የወጪ ቁጠባ እና አነስተኛ የአካባቢ አሻራ ያስከትላል።
ሊሰፋ የሚችልበት ሁኔታ፡ የHPSI SiC ዋፈር ባለ 3 ኢንች ዲያሜትር እና ትክክለኛ የማኑፋክቸሪንግ መቻቻል ለጅምላ ምርት ሊሰፋ የሚችል መሆኑን እና የምርምር እና የንግድ ማምረቻ መስፈርቶችን የሚያሟላ መሆኑን ያረጋግጣሉ።
መደምደሚያ
የ3 ኢንች ዲያሜትር እና 350 µm ± 25 µm ውፍረት ያለው የHPSI SiC ዋፈር ለቀጣዩ ትውልድ ከፍተኛ አፈጻጸም ላላቸው የኃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ተስማሚ ቁሳቁስ ነው። ልዩ የሆነው የሙቀት ማስተላለፊያ፣ ከፍተኛ የመበላሸት ቮልቴጅ፣ ዝቅተኛ የኃይል ብክነት እና በአስከፊ ሁኔታዎች ውስጥ አስተማማኝነት ጥምረት በኃይል ልወጣ፣ በታዳሽ ኃይል፣ በኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች፣ በኢንዱስትሪ ስርዓቶች እና በቴሌኮሙኒኬሽን ውስጥ ለተለያዩ አፕሊኬሽኖች አስፈላጊ አካል ያደርገዋል።
ይህ የሲሲ ዋፈር በተለይ ከፍተኛ ቅልጥፍናን፣ የተሻለ የኢነርጂ ቁጠባን እና የተሻሻለ የስርዓት አስተማማኝነትን ለማግኘት ለሚፈልጉ ኢንዱስትሪዎች ተስማሚ ነው። የኃይል ኤሌክትሮኒክስ ቴክኖሎጂ እየተሻሻለ ሲሄድ፣ የኤችፒኤስአይሲ ሲሲ ዋፈር ለቀጣዩ ትውልድ፣ ለኢነርጂ ቆጣቢ መፍትሄዎች ልማት መሠረት ይሰጣል፣ ይህም ወደ ይበልጥ ዘላቂ እና ዝቅተኛ የካርቦን የወደፊት ሽግግር ይመራል።
ዝርዝር ዲያግራም
