Substrate
-
ሲኦ2 ቀጭን ፊልም ቴርማል ኦክሳይድ ሲሊኮን ዋፈር 4 ኢንች 6 ኢንች 8 ኢንች 12 ኢንች
-
የሲሊኮን-በኢንሱሌተር ንኡስ ክፍል SOI wafer ሶስት ንብርብሮች ለማይክሮኤሌክትሮኒክስ እና የሬዲዮ ድግግሞሽ
-
የ SOI ዋፈር ኢንሱሌተር በሲሊኮን 8 ኢንች እና ባለ 6-ኢንች SOI (ሲሊኮን-በኢንሱሌተር) ዋይፎች ላይ
-
6ኢንች SiC Epitaxy wafer N/P አይነት ብጁ መቀበል
-
አልሙና ሴራሚክ ዋፈር 4ኢንች ንፅህና 99% ፖሊክሪስታሊን መልበስ የሚቋቋም 1 ሚሜ ውፍረት
-
ሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ዋፈር SiO2 wafer ወፍራም የተወለወለ፣ ፕራይም እና የሙከራ ደረጃ
-
200ሚሜ የሲሲ substrate dummy grade 4H-N 8inch SiC wafer
-
4 ኢንች SiC Wafers 6H ከፊል-ኢንሱላር ሲሲ ንኡስ ክፍል ፕራይም ፣ ምርምር እና ዲሚ ክፍል
-
6ኢንች HPSI SiC substrate wafer ሲሊከን ካርቦይድ ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፎች
-
4ኢንች ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፈሮች HPSI SiC substrate ዋና የምርት ደረጃ
-
3ኢንች 76.2ሚሜ 4H-ሴሚ ሲሲ substrate wafer ሲሊኮን ካርቦይድ ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፈሮች
-
3ኢንች Dia76.2mm SiC substrates HPSI Prime Research እና Dummy grade