3 ኢንች 76.2ሚሜ 4H-Semi SiC substrate wafer Silicon Carbide ከፊል-ስድብ SiC wafers

አጭር መግለጫ፡

ከፍተኛ ጥራት ያለው ነጠላ ክሪስታል ሲሲ ዋፈር (ሲሊከን ካርባይድ) ለኤሌክትሮኒክስ እና ለኦፕቶኤሌክትሮኒክስ ኢንዱስትሪ። ባለ 3 ኢንች ሲሲ ዋፈር የቀጣዩ ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ሲሆን ከፊል-ኢንሱሌሽን ሲሊከን-ካርባይድ ዋፈርስ 3 ኢንች ዲያሜትር አለው። ዋፈርዎቹ ለኃይል፣ ለRF እና ለኦፕቶኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ለማምረት የታሰቡ ናቸው።

ኢሜይል ይላኩልን

ባህሪያት

የምርት ዝርዝር መግለጫ

3 ኢንች 4H ከፊል-ኢንሱሌትድ SiC (ሲሊከን ካርባይድ) ንኡስ ክፍል ዋፈርስ በተለምዶ ጥቅም ላይ የሚውል የሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው። 4H የቴትራሄክሳሄድራል ክሪስታል መዋቅርን ያመለክታል። ከፊል-ኢንሱሌሽን ማለት ንኡስ ክፍል ከፍተኛ የመቋቋም ባህሪያት ያሉት እና ከአሁኑ ፍሰት በተወሰነ ደረጃ ሊገለል የሚችል ማለት ነው።

እንደነዚህ ያሉት የንጥረ ነገር ዋፈሮች የሚከተሉት ባህሪያት አሏቸው፡ ከፍተኛ የሙቀት አማቂ ኃይል፣ ዝቅተኛ የኮንዲሽን ኪሳራ፣ እጅግ በጣም ጥሩ ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም እና እጅግ በጣም ጥሩ የሜካኒካል እና የኬሚካል መረጋጋት። የሲሊኮን ካርቦይድ ሰፊ የኃይል ክፍተት ስላለው እና ከፍተኛ የሙቀት መጠኖችን እና ከፍተኛ የኤሌክትሪክ መስክ ሁኔታዎችን መቋቋም ስለሚችል፣ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሌትድ ዋፈሮች በሃይል ኤሌክትሮኒክስ እና በሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) መሳሪያዎች ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ።

የ4H-SiC ከፊል-ኢንሱሌትድ ዋፈር ዋና ዋና አፕሊኬሽኖች የሚከተሉትን ያካትታሉ፡

1--ፓወር ኤሌክትሮኒክስ፡- 4H-SiC ዋፈርስ እንደ MOSFETs (ሜታል ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር ፊልድ ኢፌክት ትራንዚስተሮች)፣ IGBTs (ኢንሱሌትድ ጌት ባይፖላር ትራንዚስተሮች) እና ሾትኪ ዳዮዶች ያሉ የኃይል መቀየሪያ መሳሪያዎችን ለማምረት ሊያገለግሉ ይችላሉ። እነዚህ መሳሪያዎች በከፍተኛ ቮልቴጅ እና ከፍተኛ የሙቀት መጠን አካባቢዎች ዝቅተኛ የኮንዶሚሽን እና የመቀየሪያ ኪሳራዎች አሏቸው እና ከፍተኛ ቅልጥፍና እና አስተማማኝነት ይሰጣሉ።

2--የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) መሳሪያዎች፡- 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሌትድ ዋፈርስ ከፍተኛ ኃይል፣ ከፍተኛ ፍሪኩዌንሲ RF የኃይል ማጉያዎችን፣ የቺፕ ሬዚስተሮችን፣ ማጣሪያዎችን እና ሌሎች መሳሪያዎችን ለማምረት ሊያገለግል ይችላል። ሲሊኮን ካርቦይድ በኤሌክትሮን ሙሌት የመንሸራተቻ ፍጥነት እና ከፍተኛ የሙቀት አማቂነት ምክንያት የተሻለ ከፍተኛ ድግግሞሽ አፈጻጸም እና የሙቀት መረጋጋት አለው።

3--የኦፕቶኤሌክትሮኒክ መሳሪያዎች፡- 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሌትድ ዋፈርስ ከፍተኛ ኃይል ያላቸውን የሌዘር ዳዮዶች፣ የአልትራቫዮሌት ብርሃን መመርመሪያዎችን እና የኦፕቶኤሌክትሮኒክ የተቀናጁ ሰርክዩቶችን ለማምረት ሊያገለግል ይችላል።

ከገበያ አቅጣጫ አንፃር፣ የ4H-SiC ከፊል-ኢንሱሌሽን ዋፈርዎች ፍላጎት እየጨመረ በመምጣቱ የኃይል ኤሌክትሮኒክስ፣ የRF እና የኦፕቶኤሌክትሮኒክስ መስኮች እየጨመሩ መጥተዋል። ይህ የሆነበት ምክንያት ሲሊከን ካርቦይድ የተለያዩ አፕሊኬሽኖች ስላሉት፣ የኃይል ቆጣቢነት፣ የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች፣ የታዳሽ ኃይል እና የመገናኛ ዘዴዎችን ጨምሮ። ወደፊት የ4H-SiC ከፊል-ኢንሱሌሽን ዋፈርዎች ገበያ በጣም ተስፋ ሰጪ ሆኖ ቀጥሏል፣ እና በተለያዩ አፕሊኬሽኖች ውስጥ የተለመዱ የሲሊኮን ቁሳቁሶችን እንደሚተካ ይጠበቃል።