ሲሲ
-
4H-N 8 ኢንች የሲሲ ኮምፓክት ዋፈር ሲሊኮን ካርቦይድ ዱሚ የምርምር ደረጃ 500um ውፍረት
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate
-
12 ኢንች SIC substrate ሲሊከን ካርቦይድ ዋና ደረጃ ዲያሜትር 300mm ትልቅ መጠን 4H-N ለከፍተኛ ኃይል መሣሪያ ሙቀት መበታተን ተስማሚ
-
HPSI SiC ዋፈር ዲያ፡3 ኢንች ውፍረት፡350um± 25 µm ለኃይል ኤሌክትሮኒክስ
-
8 ኢንች ሲሲሲ ሲሊከን ካርቦዳይድ ዋፈር 4H-N አይነት 0.5ሚሜ የምርት ደረጃ የምርምር ደረጃ ብጁ የተጣራ ንጣፍ
-
3ኢንች ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱሌቲንግ (HPSI) የሲሲ ዋፈር 350um ዱሚ ክፍል ፕራይም ደረጃ
-
የፒ-አይነት የሲሲ ንኡስ ክፍል ሲሲ ዋፈር Dia2inch አዲስ ምርት
-
8ኢንች 200ሚሜ ሲሊኮን ካርቦይድ ሲሲ ዋፈርስ 4H-N አይነት የምርት ደረጃ 500um ውፍረት
-
2ኢንች 6H-N የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ሲክ ዋፈር ድርብ የተወለወለ መሪ ዋና ደረጃ ከፍተኛ ደረጃ
-
3 ኢንች ከፍተኛ ንፅህና (የተነቀለ) ሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ ከፊል-ኢንሱላር ሲክ ንፁህ ንጥረ ነገሮች (HPSl)
-
Au የተሸፈነ ዋፍር፣ ሰንፔር ዋፍር፣ ሲሊከን ዋፍር፣ ሲሲ ዋፍር፣ 2ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች፣ በወርቅ የተሸፈነ ውፍረት 10nm 50nm 100nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-Semi 6H-Semi 4H-P 6H-P 3C አይነት 2ኢንች 3ኢንች 4ኢንች 6ኢንች 8ኢንች