8ኢንች 200ሚሜ ሲሊኮን ካርቦይድ ሲሲ ዋፈርስ 4H-N አይነት የምርት ደረጃ 500um ውፍረት

አጭር መግለጫ፡-

የሻንጋይ Xinkehui ቴክ.Co., Ltd ከፍተኛ ጥራት ላለው የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈር እና እስከ 8ኢንች ዲያሜትሮች ከኤን እና ከፊል መከላከያ ዓይነቶች ጋር ምርጥ ምርጫ እና ዋጋዎችን ያቀርባል።ትናንሽ እና ትልቅ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ኩባንያዎች እና የምርምር ላብራቶሪዎች በእኛ የሲሊኮን ካርቦይድ ዋይፈር ይጠቀማሉ እና ይተማመናሉ።

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

200ሚሜ 8ኢንች SiC Substrate ዝርዝር

መጠን: 8 ኢንች;

ዲያሜትር: 200mm± 0.2;

ውፍረት: 500um± 25;

የገጽታ አቀማመጥ፡ 4 ወደ [11-20]±0.5°;

የኖት አቀማመጥ፡[1-100]±1°;

የኖት ጥልቀት: 1 ± 0.25 ሚሜ;

ማይክሮፓይፕ፡ <1cm2;

የሄክስ ፕሌትስ: አንዳቸውም አይፈቀዱም;

የመቋቋም ችሎታ: 0.015 ~ 0.028Ω;

EPD፡<8000cm2;

TED:<6000cm2

ቢፒዲ፡<2000cm2

TSD:<1000cm2

ኤስኤፍ፡ አካባቢ<1%

ቲቲቪ≤15um;

Warp≤40um;

ቀስት≤25um;

የፖሊ ቦታዎች: ≤5%;

ጭረት፡ <5 እና ድምር ርዝመት< 1 ዋፈር ዲያሜትር;

ቺፕስ/ኢንደንትስ፡ ምንም ፍቃድ የለም D>0.5ሚሜ ስፋት እና ጥልቀት;

ስንጥቆች፡ የለም;

እድፍ፡ የለም

ዋፈር ጠርዝ፡ ቻምፈር;

የገጽታ አጨራረስ፡ ባለ ሁለት ጎን ፖላንድኛ፣ ሲ ፊት ሲኤምፒ;

ማሸግ: ባለብዙ-ዋፈር ካሴት ወይም ነጠላ ዋፈር መያዣ;

የ 200mm 4H-SiC ክሪስታሎች ዋና ዋና ችግሮች በማዘጋጀት ላይ ያሉ ችግሮች

1) ከፍተኛ ጥራት ያለው 200mm 4H-SiC ዘር ክሪስታሎች ማዘጋጀት;

2) ትልቅ መጠን ያለው የሙቀት መስክ አለመመጣጠን እና የኑክሌር አሠራር ቁጥጥር;

3) በትላልቅ ክሪስታል የእድገት ስርዓቶች ውስጥ የጋዝ አካላት የትራንስፖርት ቅልጥፍና እና ዝግመተ ለውጥ;

4) በትልቅ የሙቀት መጠን መጨመር ምክንያት ክሪስታል መሰንጠቅ እና ጉድለት መስፋፋት.

እነዚህን ፈተናዎች ለማሸነፍ እና ከፍተኛ ጥራት ያለው 200mm SiC waferssolutions ለማግኘት ታቅዷል፡-

ከ200ሚ.ሜ ዘር ክሪስታል ዝግጅት አንጻር ተገቢው የሙቀት መጠን የመስክ ፍሰት መስክ እና የማስፋፋት ስብሰባ ተጠንቶ የክሪስታል ጥራት እና የመስፋፋት መጠንን ከግምት ውስጥ ለማስገባት ተዘጋጅቷል።ከ150ሚሜ ሲሲ ሴ፡ዲ ክሪስታል ጀምሮ የሲሲ ክሪስታዜዝ 200ሚሜ እስኪደርስ ድረስ ቀስ በቀስ ለማስፋት የዘር ክሪስታል ድግግሞሹን ያካሂዱ።በበርካታ ክሪስታል እድገት እና ፕሮሰሲንግ አማካኝነት በክሪስታል ማስፋፊያ ቦታ ላይ ያለውን ክሪስታል ጥራት ቀስ በቀስ ያሳድጉ እና የ200ሚሜ የዘር ክሪስታሎች ጥራትን ያሻሽሉ።

ከ 200ሚሜ ኮንዳክቲቭ ክሪስታል እና የንዑስ ፕላስተር ዝግጅት አንፃር ፣ምርምር የሙቀት መጠንን እና የፍሰት መስክ ዲዛይንን ለትልቅ መጠን ክሪስታሎውዝ አመቻችቷል ፣200ሚሜ የሚመራ የሲሲ ክሪስታል እድገትን ያካሂዳል እና የዶፒንግ ወጥነትን ይቆጣጠራል።ክሪስታል ከተሰራ እና ከተቀረጸ በኋላ ባለ 8 ኢንች ኤሌክትሪክ የሚሰራ 4H-SiC መደበኛ ዲያሜትር ያለው ኢንጎት ተገኝቷል።525um ወይም ከዚያ በላይ የሆነ ውፍረት ያለው ሲሲ 200ሚሜ ዋይፍ ለማግኘት ከተቆረጠ፣ ከመፍጨት፣ ከጽዳት፣ ከተሰራ በኋላ