ጋኤን ኤፒታክሲ ዋፈር

ጋኤን በGlass 4-ኢንች፡- JGS1፣ JGS2፣ BF33 እና ተራ ኳርትዝን ጨምሮ ሊበጁ የሚችሉ የመስታወት አማራጮች
ጋሊየም ኒትሪድ በሲሊኮን ዋፈር ላይ 4ኢንች 6ኢንች የተበጀ ሲ Substrate አቀማመጥ፣ የመቋቋም እና የኤን-አይነት/ፒ አይነት አማራጮች
ብጁ GaN-on-SiC Epitaxial Wafers (100ሚሜ፣ 150ሚሜ) - በርካታ የSIC Substrate አማራጮች (4H-N፣ HPSI፣ 4H/6H-P)
GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch ጠቅላላ የኤፒዲ ውፍረት (ማይክሮን) 0.6 ~ 2.5 ወይም ለከፍተኛ ድግግሞሽ አፕሊኬሽኖች ብጁ የተደረገ