6 በሲሊኮን ካርቦይድ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሊንግ ኢንጎት፣ ዱሚ ክፍል
ንብረቶች
1. አካላዊ እና መዋቅራዊ ባህሪያት
●የቁሳቁስ አይነት፡ ሲሊከን ካርቦይድ (ሲሲ)
●Polytype: 4H-SiC, ባለ ስድስት ጎን ክሪስታል መዋቅር
●ዲያሜትር፡ 6 ኢንች (150 ሚሜ)
●ውፍረት፡ ሊዋቀር የሚችል (ከ5-15 ሚ.ሜ ለዳሚ ክፍል የተለመደ)
●የክሪስታል አቀማመጥ፡-
የመጀመሪያ ደረጃ፡ [0001] (ሲ-አውሮፕላን)
o ሁለተኛ ደረጃ አማራጮች፡ ከዘንግ ውጪ 4° ለተመቻቸ ኤፒታክሲያል እድገት
●ዋና ጠፍጣፋ አቀማመጥ፡ (10-10) ± 5°
●የሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ አቀማመጥ፡ 90° በተቃራኒ ሰዓት አቅጣጫ ከአንደኛ ደረጃ አፓርታማ ± 5°
2. የኤሌክትሪክ ንብረቶች
● የመቋቋም ችሎታ;
oሴሚ-መከላከያ (> 106 ^ 66 Ω · ሴሜ) ፣ የጥገኛ አቅምን ለመቀነስ ተስማሚ።
● የዶፒንግ ዓይነት፡-
ባለማወቅ ዶፕ የተደረገ ፣ ይህም ከፍተኛ የኤሌክትሪክ መከላከያ እና በተለያዩ የአሠራር ሁኔታዎች ውስጥ መረጋጋትን ያስከትላል።
3. የሙቀት ባህሪያት
● Thermal Conductivity: 3.5-4.9 W / cm · K, በከፍተኛ ኃይል ስርዓቶች ውስጥ ውጤታማ የሆነ ሙቀትን ማስወገድን ያስችላል.
●Thermal Expansion Coefficient: 4.2×10−64.2 \times 10^{-6}4.2×10−6/K፣ በከፍተኛ ሙቀት ሂደት ውስጥ የመጠን መረጋጋትን ያረጋግጣል።
4. የጨረር ባህሪያት
●የባንድጋፕ፡ የ 3.26 eV ሰፊ የባንድጋፕ፣ በከፍተኛ ቮልቴጅ እና ሙቀቶች ስር እንዲሰራ ያስችላል።
●ግልጽነት፡ ለ UV ከፍተኛ ግልጽነት እና የሚታይ የሞገድ ርዝመት፣ ለኦፕቶኤሌክትሮኒካዊ ሙከራ ጠቃሚ።
5. ሜካኒካል ባህሪያት
● ጠንካራነት፡ የሞህስ ስኬል 9፣ ከአልማዝ ቀጥሎ ሁለተኛ፣ በሂደት ጊዜ ዘላቂነትን ማረጋገጥ።
● ጉድለት እፍጋት፡
ለደማቅ ደረጃ አፕሊኬሽኖች በቂ ጥራትን በማረጋገጥ ለአነስተኛ ማክሮ ጉድለቶች ቁጥጥር የሚደረግበት።
● ጠፍጣፋነት፡- ከልዩነት ጋር አንድ ወጥነት
| መለኪያ | ዝርዝሮች | ክፍል |
| ደረጃ | ዱሚ ደረጃ | |
| ዲያሜትር | 150.0 ± 0.5 | mm |
| የዋፈር አቀማመጥ | ዘንግ ላይ፡ <0001> ± 0.5° | ዲግሪ |
| የኤሌክትሪክ መቋቋም | > 1E5 | Ω · ሴሜ |
| የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ አቀማመጥ | {10-10} ± 5.0° | ዲግሪ |
| የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ ርዝመት | ኖት | |
| ስንጥቆች (ከፍተኛ-ጥንካሬ ብርሃን ፍተሻ) | ራዲያል ውስጥ <3 ሚሜ | mm |
| የሄክስ ፕሌትስ (ከፍተኛ-ጥንካሬ የብርሃን ፍተሻ) | ድምር አካባቢ ≤ 5% | % |
| የፖሊታይፕ ቦታዎች (ከፍተኛ-ብርሃን ፍተሻ) | ድምር አካባቢ ≤ 10% | % |
| የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት | < 50 | ሴሜ-2 ^ -2-2 |
| የጠርዝ ቺፕስ | 3 ተፈቅዷል፣ እያንዳንዱ ≤ 3 ሚሜ | mm |
| ማስታወሻ | የመቁረጥ ውፍረት <1 ሚሜ ፣> 70% (ከሁለት ጫፎች በስተቀር) ከላይ ያሉትን መስፈርቶች ያሟላሉ |
መተግበሪያዎች
1. ፕሮቶታይፕ እና ምርምር
ዲሚ-ደረጃ 6 ኢንች 4H-SiC ingot ለፕሮቶታይፕ እና ለምርምር ጥሩ ቁሳቁስ ነው፣ ይህም አምራቾች እና ላቦራቶሪዎች የሚከተሉትን እንዲያደርጉ ያስችላቸዋል፡-
●የኬሚካላዊ የእንፋሎት ማጠራቀሚያ (CVD) ወይም አካላዊ የእንፋሎት ማጠራቀሚያ (PVD) ውስጥ የሂደት መለኪያዎችን ሞክር።
●የማሳከክ፣የማጥራት እና የዋፈር የመቁረጥ ቴክኒኮችን አዳብር እና አጥራ።
●ወደ ምርት ደረጃ ማቴሪያል ከመሸጋገርዎ በፊት አዳዲስ የመሳሪያ ንድፎችን ያስሱ።
2. የመሣሪያ ልኬት እና ሙከራ
ከፊል-መከላከያ ባህሪያቶቹ ይህንን ኢንጎት ለሚከተሉት ጠቃሚ ያደርጉታል።
●የከፍተኛ ኃይል እና የድግግሞሽ መሳሪያዎችን የኤሌክትሪክ ባህሪያት መገምገም እና ማስተካከል.
●ለሙከራ አከባቢዎች ለMOSFETs፣ IGBTs ወይም ዳዮዶች የስራ ሁኔታዎችን ማስመሰል።
●በቅድመ-ደረጃ እድገት ወቅት ለከፍተኛ ንፅህና መለዋወጫ እንደ ወጪ ቆጣቢ ምትክ ሆኖ ማገልገል።
3. የኃይል ኤሌክትሮኒክስ
የ 4H-SiC ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ እና ሰፊ የባንድጋፕ ባህሪያት በሃይል ኤሌክትሮኒክስ ውስጥ ቀልጣፋ ስራን ያስችላሉ፣ እነዚህንም ጨምሮ፡-
●ከፍተኛ-ቮልቴጅ የኃይል አቅርቦቶች.
●የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ (ኢ.ቪ.) ኢንቮርተርስ።
●እንደ ፀሐይ ኢንቬንተሮች እና የንፋስ ተርባይኖች ያሉ ታዳሽ የኃይል ስርዓቶች።
4. የሬዲዮ ድግግሞሽ (RF) መተግበሪያዎች
የ 4H-SiC ዝቅተኛ የዲኤሌክትሪክ ኪሳራ እና ከፍተኛ የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት ለሚከተሉት ተስማሚ ያደርገዋል፡
●RF amplifiers እና ትራንዚስተሮች በመገናኛ መሠረተ ልማት ውስጥ.
●ለአየር እና ለመከላከያ አፕሊኬሽኖች ከፍተኛ ድግግሞሽ ራዳር ሲስተም።
●ገመድ አልባ አውታር አካላት ለታዳጊ 5ጂ ቴክኖሎጂዎች።
5. የጨረር መከላከያ መሳሪያዎች
በጨረር ለተፈጠሩ ጉድለቶች በተፈጥሮው የመቋቋም ችሎታ ምክንያት፣ ከፊል መከላከያ 4H-SiC ለሚከተሉት ተስማሚ ነው።
● የሳተላይት ኤሌክትሮኒክስ እና የኃይል ስርዓቶችን ጨምሮ የጠፈር ፍለጋ መሳሪያዎች።
●በጨረር የተጠናከረ ኤሌክትሮኒክስ ለኑክሌር ቁጥጥር እና ቁጥጥር።
●በከባድ አካባቢዎች ውስጥ ጥንካሬን የሚጠይቁ የመከላከያ መተግበሪያዎች።
6. ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ
የ4H-SiC የጨረር ግልፅነት እና ሰፊ የባንድ ክፍተት በሚከተሉት ውስጥ መጠቀምን ያስችለዋል፡
●UV photodetectors እና ከፍተኛ-ኃይል LEDs.
●የጨረር ሽፋኖችን እና የገጽታ ሕክምናዎችን መሞከር።
●ለላቁ ዳሳሾች የጨረር ክፍሎችን በፕሮቶታይፕ ማድረግ።
የዱሚ-ግሬድ ቁሳቁስ ጥቅሞች
ወጪ ቆጣቢነት፡-
የዱሚ ግሬድ ለምርምር ወይም ለምርት ደረጃ ቁሶች የበለጠ ተመጣጣኝ አማራጭ ነው፣ይህም ለወትሮው ፍተሻ እና ለሂደት ማጣሪያ ተመራጭ ያደርገዋል።
ማበጀት፡
ሊዋቀሩ የሚችሉ ልኬቶች እና የክሪስታል አቅጣጫዎች ከተለያዩ መተግበሪያዎች ጋር ተኳሃኝነትን ያረጋግጣሉ።
መጠነኛነት፡
ባለ 6 ኢንች ዲያሜትር ከኢንዱስትሪ ደረጃዎች ጋር ይጣጣማል፣ ይህም ወደ ምርት ደረጃ ሂደቶች እንከን የለሽ ልኬትን ይፈቅዳል።
ጥንካሬ፡
ከፍተኛ የሜካኒካል ጥንካሬ እና የሙቀት መረጋጋት በተለያዩ የሙከራ ሁኔታዎች ውስጥ ኢንጎት ዘላቂ እና አስተማማኝ ያደርገዋል።
ሁለገብነት፡
ለብዙ ኢንዱስትሪዎች ተስማሚ ነው, ከኃይል ስርዓቶች እስከ መገናኛዎች እና ኦፕቶ ኤሌክትሮኒክስ.
ማጠቃለያ
ባለ 6-ኢንች ሲሊኮን ካርቦይድ (4H-SiC) ከፊል ኢንሱላር ኢንጎት፣ ዲሚ ግሬድ፣ ለምርምር፣ ለፕሮቶታይፕ እና ለሙከራ እጅግ በጣም ጥሩ የቴክኖሎጂ ዘርፎች አስተማማኝ እና ሁለገብ መድረክን ይሰጣል። ልዩ የሙቀት፣ ኤሌክትሪክ እና ሜካኒካል ባህሪያቱ ከተመጣጣኝ ዋጋ እና ማበጀት ጋር ተዳምሮ ለአካዳሚም ሆነ ለኢንዱስትሪ የማይጠቅም ቁሳቁስ ያደርገዋል። ከኃይል ኤሌክትሮኒክስ እስከ RF ሲስተሞች እና የጨረር-ጠንካራ መሳሪያዎች ይህ ኢንጎት በእያንዳንዱ የእድገት ደረጃ ላይ ፈጠራን ይደግፋል።
ለበለጠ ዝርዝር መግለጫዎች ወይም ጥቅስ ለመጠየቅ፣ እባክዎን በቀጥታ ያግኙን። የኛ የቴክኒክ ቡድን የእርስዎን መስፈርቶች ለማሟላት ብጁ መፍትሄዎችን ለመርዳት ዝግጁ ነው።
ዝርዝር ሥዕላዊ መግለጫ
