6 በሲሊኮን ካርቦይድ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱላይትድ ኢንጎት፣ ዱሚ ግሬድ
ንብረቶች
1. አካላዊ እና መዋቅራዊ ባህሪያት
●የቁሳቁስ አይነት፡ ሲሊከን ካርቦይድ (ሲሲ)
●ፖሊታይፕ፡ 4H-SiC፣ ባለ ስድስት ጎን ክሪስታል መዋቅር
●ዲያሜትር፡ 6 ኢንች (150 ሚሜ)
●ውፍረት፡ ሊዋቀር የሚችል (ለአሚ ደረጃ የተለመደ 5-15 ሚሜ)
● የክሪስታል አቀማመጥ፡
oPrimary: [0001] (C-plane)
ሁለተኛ አማራጮች፡ ለተመቻቸ የኤፒታክሲያል እድገት ከዘንግ ውጪ 4°
●ዋና ጠፍጣፋ አቀማመጥ፡ (10-10) ± 5°
●ሁለተኛ ደረጃ ጠፍጣፋ አቀማመጥ፡ ከዋናው ጠፍጣፋ ± 5° በተቃራኒ ሰዓት አቅጣጫ 90°
2. የኤሌክትሪክ ባህሪያት
● የመቋቋም አቅም፡
oሴሚ-ኢንሱሌሽን (>106^66 Ω·cm)፣ የጥገኛ አቅምን ለመቀነስ ተስማሚ።
●የዶፒንግ አይነት፡
ሆን ተብሎ የተወሰደ፣ ይህም በተለያዩ የአሠራር ሁኔታዎች ውስጥ ከፍተኛ የኤሌክትሪክ መቋቋም እና መረጋጋት ያስከትላል።
3. የሙቀት ባህሪያት
●የሙቀት ማስተላለፊያ፡ 3.5-4.9 W/cm·K፣ ይህም በከፍተኛ ኃይል ባላቸው ስርዓቶች ውስጥ ውጤታማ የሆነ የሙቀት መሟጠጥ እንዲኖር ያስችላል።
●የሙቀት ማስፋፊያ ኮፊሸንት፡ 4.2×10−64.2 \በ10^{-6}4.2×10−6/ኪ፣ በከፍተኛ ሙቀት ሂደት ወቅት የመጠን መረጋጋትን ያረጋግጣል።
4. የኦፕቲካል ባህሪያት
●ባንድ ክፍተት፡- 3.26 eV ሰፊ የባንድ ክፍተት፣ ይህም በከፍተኛ ቮልቴጅ እና የሙቀት መጠን ስር እንዲሰራ ያስችላል።
●ግልጽነት፡- ለUV ከፍተኛ ግልጽነት እና የሚታይ የሞገድ ርዝመት፣ ለኦፕቶኤሌክትሮኒክ ምርመራ ጠቃሚ።
5. የሜካኒካል ባህሪያት
●ጠንካራነት፡ የሞህስ ሚዛን 9፣ ከአልማዝ ቀጥሎ ሁለተኛ፣ በማቀነባበሪያ ወቅት ዘላቂነትን ያረጋግጣል።
●የጉድለት ጥግግት፡
o ለአነስተኛ ማክሮ ጉድለቶች ቁጥጥር የሚደረግበት፣ ለሞሚ-ደረጃ አፕሊኬሽኖች በቂ ጥራት ያለው መሆኑን ያረጋግጣል።
● ጠፍጣፋነት፡- ከልዩነቶች ጋር ተመሳሳይነት
| መለኪያ | ዝርዝሮች | ዩኒት |
| ደረጃ | የውሸት ደረጃ | |
| ዲያሜትር | 150.0 ± 0.5 | mm |
| የዋፈር አቀማመጥ | ኦን-ዘንግ፡ <0001> ± 0.5° | ዲግሪ |
| የኤሌክትሪክ መቋቋም ችሎታ | > 1E5 | Ω·ሴሜ |
| ዋና ጠፍጣፋ አቀማመጥ | {10-10} ± 5.0° | ዲግሪ |
| ዋና ጠፍጣፋ ርዝመት | ኖች | |
| ስንጥቆች (ከፍተኛ-ጥንካሬ የብርሃን ፍተሻ) | < 3 ሚሜ ራዲያል ውስጥ | mm |
| የሄክስ ፕሌትስ (ከፍተኛ-ግፊት የብርሃን ፍተሻ) | የተጠራቀመ ቦታ ≤ 5% | % |
| ፖሊታይፕ አካባቢዎች (ከፍተኛ-ጥንካሬ ያለው የብርሃን ምርመራ) | የተጠራቀመ ቦታ ≤ 10% | % |
| የማይክሮፓይፕ ጥግግት | < 50 | ሴሜ−2^-2−2 |
| ኤጅ ቺፕፒንግ | 3 ተፈቅዷል፣ እያንዳንዱ ≤ 3 ሚሜ | mm |
| ማስታወሻ | የዋፈር ውፍረት < 1 ሚሜ፣ > 70% (ሁለት ጫፎችን ሳይጨምር) ከላይ የተጠቀሱትን መስፈርቶች ያሟላል |
አፕሊኬሽኖች
1. ፕሮቶታይፕ እና ምርምር
የውሸት ደረጃ 6-ኢንች 4H-SiC ኢንጎት ለፕሮቶታይፕ እና ለምርምር ተስማሚ ቁሳቁስ ሲሆን አምራቾች እና ላቦራቶሪዎች የሚከተሉትን እንዲያደርጉ ያስችላቸዋል፡
●በኬሚካል ትነት ዲፖዚሽን (CVD) ወይም ፊዚካል ትነት ዲፖዚሽን (PVD) ውስጥ የሙከራ ሂደት መለኪያዎች።
●የመቁረጥ፣ የማጥራት እና የዋፈር መቆራረጥ ቴክኒኮችን ማዳበር እና ማሻሻል።
●ወደ ምርት ደረጃ ያለው ቁሳቁስ ከመቀየርዎ በፊት አዳዲስ የመሳሪያ ዲዛይኖችን ያስሱ።
2. የመሣሪያ ማስተካከያ እና ሙከራ
ከፊል-ኢንሱሌሽን ባህሪያት ይህንን ኢንጎት ለሚከተሉት ጠቃሚ ያደርጉታል፦
●የከፍተኛ ኃይል እና ከፍተኛ ድግግሞሽ መሣሪያዎችን የኤሌክትሪክ ባህሪያት መገምገም እና ማስተካከል።
●በሙከራ አካባቢዎች ውስጥ ለMOSFETዎች፣ IGBTዎች ወይም ዳዮዶች የአሠራር ሁኔታዎችን ማስመሰል።
●በመጀመሪያ ደረጃ ልማት ወቅት ከፍተኛ ንፁህ የሆኑ ንጥረ ነገሮችን ለመተካት ወጪ ቆጣቢ ምትክ ሆኖ ያገለግላል።
3. የኃይል ኤሌክትሮኒክስ
የ4H-SiC ከፍተኛ የሙቀት አማቂ ኃይል እና ሰፊ የባንድ ክፍተት ባህሪያት በሃይል ኤሌክትሮኒክስ ውስጥ ውጤታማ አሠራር እንዲኖር ያስችላሉ፣ የሚከተሉትንም ጨምሮ፡
● ከፍተኛ ቮልቴጅ ያላቸው የኃይል አቅርቦቶች።
●የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ (ኢቪ) ኢንቨርተሮች።
●እንደ የፀሐይ ኃይል ኢንቨርተርስ እና የንፋስ ተርባይኖች ያሉ ሊታደሱ የሚችሉ የኃይል ስርዓቶች።
4. የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) አፕሊኬሽኖች
የ4H-SiC ዝቅተኛ የዲኤሌክትሪክ ኪሳራዎች እና ከፍተኛ የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት ለሚከተሉት ተስማሚ ያደርጉታል፦
●በኮሙኒኬሽን መሠረተ ልማት ውስጥ የRF ማጉያዎች እና ትራንዚስተሮች።
● ለአየር በረራ እና ለመከላከያ አፕሊኬሽኖች ከፍተኛ ድግግሞሽ ያላቸው የራዳር ስርዓቶች።
●ለታዳጊ የ5ጂ ቴክኖሎጂዎች የገመድ አልባ ኔትወርክ ክፍሎች።
5. ጨረርን የሚቋቋሙ መሳሪያዎች
በጨረር ምክንያት ለሚመጡ ጉድለቶች ባለው ውስጣዊ ተቃውሞ ምክንያት፣ ከፊል-ኢንሱሌሽን 4H-SiC ለሚከተሉት ተስማሚ ነው፡
●የሳተላይት ኤሌክትሮኒክስ እና የኃይል ስርዓቶችን ጨምሮ የጠፈር ፍለጋ መሳሪያዎች።
● ለኑክሌር ክትትልና ቁጥጥር በጨረር የተጠናከሩ ኤሌክትሮኒክስ።
●በአስቸጋሪ አካባቢዎች ጠንካራነትን የሚጠይቁ የመከላከያ አፕሊኬሽኖች።
6. ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ
የኦፕቲካል ግልጽነት እና የ4H-SiC ሰፊ ባንድ ክፍተት በሚከተሉት ሁኔታዎች ውስጥ ጥቅም ላይ እንዲውል ያስችላሉ፦
●የUV ፎቶዲቴክተሮች እና ከፍተኛ ኃይል ያላቸው ኤልኢዲዎች።
● የኦፕቲካል ሽፋኖችን እና የገጽታ ህክምናዎችን መሞከር።
● ለላቁ ዳሳሾች የኦፕቲፕቲንግ ክፍሎችን በፕሮቶታይፕ ማድረግ።
የዱሚ-ደረጃ ቁሳቁስ ጥቅሞች
የወጪ ቅልጥፍና፡
የውሸት ደረጃ ለምርምር ወይም ለምርት ደረጃ ቁሳቁሶች የበለጠ ተመጣጣኝ አማራጭ ሲሆን ይህም ለመደበኛ ምርመራ እና ለሂደት ማሻሻያ ተስማሚ ያደርገዋል።
ማበጀት፡
ሊዋቀሩ የሚችሉ ልኬቶች እና የክሪስታል አቅጣጫዎች ከተለያዩ አፕሊኬሽኖች ጋር ተኳሃኝነትን ያረጋግጣሉ።
ሊሰፋ የሚችልበት ሁኔታ፦
የ6 ኢንች ዲያሜትር ከኢንዱስትሪ ደረጃዎች ጋር የሚጣጣም ሲሆን ይህም በምርት ደረጃ ሂደቶች ላይ ያለምንም እንከን እንዲያድግ ያስችላል።
ጠንካራነት፡
ከፍተኛ የሜካኒካል ጥንካሬ እና የሙቀት መረጋጋት ኢንጎቱን በተለያዩ የሙከራ ሁኔታዎች ውስጥ ዘላቂ እና አስተማማኝ ያደርጉታል።
ሁለገብነት፡
ከኃይል ስርዓቶች እስከ ኮሙኒኬሽን እና ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ ድረስ ለብዙ ኢንዱስትሪዎች ተስማሚ።
መደምደሚያ
ባለ 6 ኢንች ሲሊከን ካርባይድ (4H-SiC) ከፊል-ኢንሱሌሽን ኢንጎት፣ ዲሚ ደረጃ፣ በዘመናዊ የቴክኖሎጂ ዘርፎች ለምርምር፣ ለፕሮቶታይፕ እና ለሙከራ አስተማማኝ እና ሁለገብ መድረክ ያቀርባል። ልዩ የሆነው የሙቀት፣ የኤሌክትሪክ እና የሜካኒካል ባህሪያቱ፣ ከተመጣጣኝ ዋጋ እና ብጁነት ጋር ተዳምሮ ለአካዳሚክም ሆነ ለኢንዱስትሪ አስፈላጊ ቁሳቁስ ያደርገዋል። ከኃይል ኤሌክትሮኒክስ እስከ የRF ስርዓቶች እና በጨረር የተጠናከሩ መሳሪያዎች፣ ይህ ኢንጎት በእያንዳንዱ የእድገት ደረጃ ላይ ፈጠራን ይደግፋል።
ለተጨማሪ ዝርዝር መግለጫዎች ወይም የዋጋ ጥያቄ ለማቅረብ፣ እባክዎን በቀጥታ ያግኙን። የቴክኒክ ቡድናችን ፍላጎቶችዎን ለማሟላት በተዘጋጁ መፍትሄዎች ለመርዳት ዝግጁ ነው።
ዝርዝር ዲያግራም
