6 ኢንች GaN-On-Sapphire
150ሚሜ 6 ኢንች GaN በሲሊኮን/ሳፋየር/ሲሲ ላይ የኤፒ-ንብርብር ዋፈር ጋሊየም ናይትራይድ ኤፒታክሲያል ዋፈር
ባለ 6 ኢንች የሳፋየር ንጣፎች ዋፈር በሰንፔር ንጣፎች ላይ የሚበቅሉ የጋሊየም ናይትሬድ (GaN) ንብርብሮችን ያካተተ ከፍተኛ ጥራት ያለው ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው። ቁሱ እጅግ በጣም ጥሩ የኤሌክትሮኒክስ ትራንስፖርት ባህሪያት ያሉት ሲሆን ከፍተኛ ኃይል እና ከፍተኛ ድግግሞሽ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን ለማምረት ተስማሚ ነው።
የማኑፋክቸሪንግ ዘዴ፡ የማኑፋክቸሪንግ ሂደቱ እንደ ብረት-ኦርጋኒክ ኬሚካል ትነት ማስቀመጫ (MOCVD) ወይም ሞለኪውላር ቢም ኤፒታክሲ (MBE) ያሉ የላቁ ቴክኒኮችን በመጠቀም በሳፋየር ንጣፍ ላይ የGaN ንብርብሮችን ማሳደግን ያካትታል። የማኑፋክቸሪንግ ሂደቱ የሚከናወነው ከፍተኛ የክሪስታል ጥራት እና ወጥ የሆነ ፊልም ለማረጋገጥ በተቆጣጠሩ ሁኔታዎች ውስጥ ነው።
6 ኢንች የGaN-On-Sapphire አፕሊኬሽኖች፡ 6 ኢንች የሳፕየር ንጣፍ ቺፖች በማይክሮዌቭ ኮሙኒኬሽን፣ በራዳር ሲስተሞች፣ በገመድ አልባ ቴክኖሎጂ እና በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ።
አንዳንድ የተለመዱ አፕሊኬሽኖች የሚከተሉትን ያካትታሉ
1. የ Rf የኃይል ማጉያ
2. የ LED መብራት ኢንዱስትሪ
3. ገመድ አልባ የኔትወርክ የመገናኛ መሳሪያዎች
4. በከፍተኛ ሙቀት አካባቢ ውስጥ ያሉ የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች
5. የኦፕቶኤሌክትሮኒክ መሳሪያዎች
የምርት ዝርዝር መግለጫዎች
- መጠን፡ የንዑስ ክፍሉ ዲያሜትር 6 ኢንች (ወደ 150 ሚሜ አካባቢ) ነው።
- የገጽታ ጥራት፡- እጅግ በጣም ጥሩ የመስታወት ጥራት ለማቅረብ ወለሉ በጥሩ ሁኔታ ተጠርጓል።
- ውፍረት፡ የ GaN ንብርብር ውፍረት በተወሰኑ መስፈርቶች መሰረት ሊበጅ ይችላል።
- ማሸጊያ፡- ንጣፉ በትራንስፖርት ወቅት ጉዳት እንዳይደርስ ለመከላከል በፀረ-ስታቲክ ቁሳቁሶች በጥንቃቄ ተሞልቷል።
- የጠርዞች አቀማመጥ፡- የንጣፉ ክፍል በመሳሪያ ዝግጅት ወቅት አሰላለፍን እና አሠራርን የሚያመቻቹ የተወሰኑ የአቀማመጥ ጠርዞች አሉት።
- ሌሎች መለኪያዎች፡- እንደ ቀጭንነት፣ የመቋቋም አቅም እና የዶፒንግ ክምችት ያሉ የተወሰኑ መለኪያዎች በደንበኛ መስፈርቶች መሠረት ሊስተካከሉ ይችላሉ።
ባለ 6 ኢንች የሰፔር ንጣፍ ዋፈርዎች ከፍተኛ አፈጻጸም ያላቸውን የሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን ለማልማት አስተማማኝ ምርጫ ናቸው።
| ንጣፍ | 6” 1ሚሜ <111> ፒ-አይነት Si | 6” 1ሚሜ <111> ፒ-አይነት Si |
| ኤፒ ወፍራም አማካይ | ~5 ኡም | ~7 ኡም |
| ኤፒ ቲክ ዩኒፍ | <2% | <2% |
| ቦው | +/-45um | +/-45um |
| ስንጥቅ | <5ሚሜ | <5ሚሜ |
| ቋሚ የቢቪ (Vertical BV) | >1000 ቮልት | >1400 ቮልት |
| HEMT አል% | 25-35% | 25-35% |
| የሄምቲ ውፍረት አማካይ | 20-30nm | 20-30nm |
| የኢንሲቱ ሲኤን ካፕ | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG ኮንክ. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| ተንቀሳቃሽነት | ~ 2000 ሴ.ሜ2/ቪ (<2%) | ~ 2000 ሴ.ሜ2/ቪ (<2%) |
| አርሽ | <330ohm/ስኩዌር (<2%) | <330ohm/ስኩዌር (<2%) |
ዝርዝር ዲያግራም
