8 ኢንች SiC የምርት ደረጃ ዋፈር 4H-N SiC ንጣፍ

አጭር መግለጫ፡

ባለ 8 ኢንች የሲሲ ንጣፎች እንደ ፓወር MOSFETs (ሜታል ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር ፊልድ ኢፌክት ትራንዚስተሮች)፣ ሾትኪ ዳዮዶች እና ሌሎች ፓወር ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ባሉ ከፍተኛ ኃይል ባላቸው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ።


ባህሪያት

የሚከተለው ሰንጠረዥ የ8 ኢንች SiC ዋፈሮቻችንን ዝርዝር መግለጫዎች ያሳያል፡

8 ኢንች N-type SiC DSP ዝርዝሮች

ቁጥር እቃ ዩኒት ፕሮዳክሽን ምርምር ውሸታም
1: መለኪያዎች
1.1 ፖሊታይፕ -- 4H 4H 4H
1.2 የወለል አቀማመጥ ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2: የኤሌክትሪክ መለኪያ
2.1 ዶፓንት -- n-አይነት ናይትሮጅን n-አይነት ናይትሮጅን n-አይነት ናይትሮጅን
2.2 የመቋቋም ችሎታ ኦህም · ሴሜ 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3:ሜካኒካል መለኪያ
3.1 ዲያሜትር mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2 ውፍረት μሜ 500±25 500±25 500±25
3.3 የኖት አቀማመጥ ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 የሾልት ጥልቀት mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 ኤልቲቪ (LTV) μሜ ≤5(10ሚሜ*10ሚሜ) ≤5(10ሚሜ*10ሚሜ) ≤10(10ሚሜ*10ሚሜ)
3.6 ቲቲቪ μሜ ≤10 ≤10 ≤15
3.7 ቦው μሜ -25~25 -45~45 -65~65
3.8 ዋርፕ μሜ ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm ራ≤0.2 ራ≤0.2 ራ≤0.2
4፡ ስቴክቸር
4.1 የማይክሮፓይፕ ጥግግት ኢአ/ሴሜ 2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 የብረት ይዘት አቶሞች/ሴሜ2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 ቲኤስዲ ኢአ/ሴሜ 2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 ቢፒዲ (BPD) ኢአ/ሴሜ 2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 ቴድ ኢአ/ሴሜ 2 ≤7000 ≤10000 NA
5. የፊት ጥራት
5.1 ፊት ለፊት -- Si Si Si
5.2 የወለል አጨራረስ -- ሲ-ፊት ሲኤምፒ ሲ-ፊት ሲኤምፒ ሲ-ፊት ሲኤምፒ
5.3 ቅንጣት ኢአ/ዋፈር ≤100(መጠን≥0.3μm) NA NA
5.4 ጭረት ኢአ/ዋፈር ≤5፣ ጠቅላላ ርዝመት ≤200ሚሜ NA NA
5.5 ጠርዝ
ቺፕስ/ኢንደንስ/ስንጥቆች/እድፍ/ብክለት
-- ምንም ምንም NA
5.6 የፖሊታይፕ አካባቢዎች -- ምንም አካባቢ ≤10% አካባቢ ≤30%
5.7 የፊት ምልክት ማድረጊያ -- ምንም ምንም ምንም
6፡ የኋላ ጥራት
6.1 የኋላ አጨራረስ -- ሲ-ፊት ኤምፒ ሲ-ፊት ኤምፒ ሲ-ፊት ኤምፒ
6.2 ጭረት mm NA NA NA
6.3 የኋላ ጉድለቶች ጠርዝ
ቺፕስ/ኢንደንትስ
-- ምንም ምንም NA
6.4 የጀርባ ሸካራነት nm ራ≤5 ራ≤5 ራ≤5
6.5 የኋላ ምልክት ማድረጊያ -- ኖች ኖች ኖች
7:ጠርዝ
7.1 ጠርዝ -- ቻምፈር ቻምፈር ቻምፈር
8:ጥቅል
8.1 ማሸጊያ -- ኤፒ-ዝግጁ ከቫክዩም ጋር
ማሸጊያ
ኤፒ-ዝግጁ ከቫክዩም ጋር
ማሸጊያ
ኤፒ-ዝግጁ ከቫክዩም ጋር
ማሸጊያ
8.2 ማሸጊያ -- ባለብዙ-ዋፈር
የካሴት ማሸጊያ
ባለብዙ-ዋፈር
የካሴት ማሸጊያ
ባለብዙ-ዋፈር
የካሴት ማሸጊያ

ዝርዝር ዲያግራም

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • ቀዳሚ፡
  • ቀጣይ፡

  • መልእክትዎን እዚህ ይፃፉ እና ይላኩልን