N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch ከፍተኛ ጥራት ያለው ሞኖክሪስታሊን እና ዝቅተኛ ጥራት ያለው ንጣፍ
N-Type SiC ጥምር ንጣፎች የጋራ መለኪያ ሰንጠረዥ
项目እቃዎች | 指标ዝርዝር መግለጫ | 项目እቃዎች | 指标ዝርዝር መግለጫ |
直径ዲያሜትር | 150 ± 0.2 ሚሜ | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 የፊት (Si-face) ሸካራነት | ራ≤0.2nm (5μm*5μm) |
晶型ፖሊታይፕ | 4H | የጠርዝ ቺፕ፣ ክራች፣ ክራክ (የእይታ ፍተሻ) | ምንም |
电阻率የመቋቋም ችሎታ | 0.015-0.025ohm · ሴሜ | 总厚度变化ቲቲቪ | ≤3μm |
የማስተላለፊያ ንብርብር ውፍረት | ≥0.4μm | 翘曲度ዋርፕ | ≤35μm |
空洞ባዶ | ≤5ኢአ/ዋፈር (2ሚሜ>መ>0.5ሚሜ) | 总厚度ውፍረት | 350± 25μm |
የ "N-type" ስያሜ በሲሲ ቁሳቁሶች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለውን የዶፒንግ አይነት ያመለክታል. በሴሚኮንዳክተር ፊዚክስ ውስጥ ዶፒንግ የኤሌክትሪክ ባህሪያቱን ለመለወጥ ሆን ተብሎ ቆሻሻዎችን ወደ ሴሚኮንዳክተር ማስገባትን ያካትታል። የኤን-አይነት ዶፒንግ ከመጠን በላይ ነፃ ኤሌክትሮኖችን የሚያቀርቡ ንጥረ ነገሮችን ያስተዋውቃል ፣ ይህም ለቁሳዊው አሉታዊ የኃይል ማጓጓዣ ትኩረት ይሰጣል።
የኤን-አይነት ሲሲ ድብልቅ ንጣፎች ጥቅሞች የሚከተሉትን ያካትታሉ:
1. ከፍተኛ ሙቀት ያለው አፈጻጸም፡- ሲሲ ከፍተኛ የሙቀት አማቂነት ያለው እና በከፍተኛ ሙቀት የሚሰራ ሲሆን ይህም ለከፍተኛ ሃይል እና ለከፍተኛ ድግግሞሽ የኤሌክትሮኒክስ አፕሊኬሽኖች ተስማሚ ያደርገዋል።
2. ከፍተኛ የብልሽት ቮልቴጅ፡- የሲሲ ቁሳቁሶች ከፍተኛ የቮልቴጅ ቮልቴጅ አላቸው, ይህም ያለ ኤሌክትሪክ ብልሽት ከፍተኛ የኤሌክትሪክ መስኮችን ለመቋቋም ያስችላል.
3. ኬሚካላዊ እና አካባቢን መቋቋም፡- ሲሲ በኬሚካላዊ ተከላካይ እና ከባድ የአካባቢ ሁኔታዎችን መቋቋም ስለሚችል ፈታኝ በሆኑ መተግበሪያዎች ውስጥ ለመጠቀም ተስማሚ ያደርገዋል።
4. የተቀነሰ የሃይል ብክነት፡- ከባህላዊ ሲሊኮን ላይ ከተመሰረቱ ቁሶች ጋር ሲነፃፀር፣የሲሲ ንኡስ እቃዎች የበለጠ ቀልጣፋ የሃይል መለዋወጥን እና በኤሌክትሮኒካዊ መሳሪያዎች ላይ የኃይል ብክነትን ይቀንሳል።
5. ሰፊ ባንድጋፕ፡- ሲሲ ሰፋ ያለ ባንድጋፕ ያለው ሲሆን ይህም በከፍተኛ ሙቀት እና ከፍተኛ የሃይል እፍጋቶች የሚሰሩ የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች እንዲፈጠሩ ያስችላል።
በአጠቃላይ የኤን-አይነት ሲሲ ድብልቅ ንኡስ ንጣፎች ከፍተኛ አፈጻጸም ላላቸው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች እድገት ከፍተኛ ጠቀሜታዎችን ይሰጣሉ፣ በተለይም ከፍተኛ ሙቀት ያለው አሠራር፣ ከፍተኛ የሃይል ጥግግት እና ቀልጣፋ የሃይል መለዋወጥ ወሳኝ በሆኑ አፕሊኬሽኖች ውስጥ።