ምርቶች
-
6ኢንች HPSI SiC substrate wafer ሲሊከን ካርቦይድ ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፎች
-
4ኢንች ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፈሮች HPSI SiC substrate ዋና የምርት ደረጃ
-
3ኢንች 76.2ሚሜ 4H-ሴሚ ሲሲ substrate wafer ሲሊኮን ካርቦይድ ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፈሮች
-
3ኢንች Dia76.2mm SiC substrates HPSI Prime Research እና Dummy grade
-
4H-ከፊል HPSI 2ኢንች SiC substrate wafer ምርት ዱሚ የምርምር ደረጃ
-
2 ኢንች SiC Wafers 6H ወይም 4H ከፊል-ኢንሱላር የሲሲ ንኡስ ንጣፎች Dia50.8ሚሜ
-
8 ኢንች 200ሚሜ የሳፋየር ንጣፍ ሰንፔር ዋፈር ቀጭን ውፍረት 1SP 2SP 0.5ሚሜ 0.75ሚሜ
-
ነጠላ ክሪስታል Al2O3 99.999% ዲያ200ሚሜ ሰንፔር ዋፈር 1.0ሚሜ 0.75ሚሜ ውፍረት
-
ኤሌክትሮድ ሰንፔር ንጣፍ እና ዋፈር ሲ-አውሮፕላን LED Substrates
-
156ሚሜ 159ሚሜ 6 ኢንች Sapphire Wafer ለአገልግሎት አቅራቢC-Plane DSP TTV
-
Dia101.6mm 4inch M-plane Sapphire Substrates Wafer LED Substrates ውፍረት 500um
-
C/A/M ዘንግ 4 ኢንች ሰንፔር ዋፈር ነጠላ ክሪስታል አል2O3፣ ኤስኤስፒ DSP ከፍተኛ ጠንካራነት ሰንፔር ንጣፍ