SiC substrate P እና D ደረጃ Dia50mm 4H-N 2inch

SiC substrate P እና D ደረጃ Dia50ሚሜ 4H-N 2ኢንች ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

ሲሊኮን ካርቦይድ (ሲሲ) የ IV-IV ቡድን ሁለትዮሽ ውህድ ነው ፣ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነውንጹህ ሲሊከን እና ንጹህ ካርቦን የተዋቀረ. ናይትሮጅን ወይም ፎስፎረስ በሲአይሲ ውስጥ ኤን-አይነት ሴሚኮንዳክተሮችን መፍጠር ይቻላል፣ወይም ቤሪሊየም፣ አልሙኒየም ወይም ጋሊየም ፒ-አይነት ሴሚኮንዳክተሮችን ለመፍጠር በዶፒ መጠቀም ይቻላል። ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ ፣ ከፍተኛ የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት ፣ ከፍተኛ ብልሽት ቮልቴጅ ፣ ኬሚካዊ መረጋጋት እና ተኳሃኝነት ፣ ቀልጣፋ የሙቀት አስተዳደርን ማረጋገጥ ፣ የመሣሪያ አስተማማኝነትን እና አፈፃፀምን ያሳድጋል ፣ ለከፍተኛ ድግግሞሽ አፕሊኬሽኖች ተስማሚ የሆነ ከፍተኛ ፍጥነት ያለው የኤሌክትሮኒክስ መቀያየርን ያስችላል እና በከባድ ሁኔታዎች ውስጥ አፈፃፀምን ይይዛል ። የመሳሪያውን ዕድሜ ለማራዘም.

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የ 2inch SiC mosfet wafers ዋና ዋና ባህሪያት እንደሚከተለው ናቸው.

ከፍተኛ የሙቀት አማቂነት፡ ቀልጣፋ የሙቀት አስተዳደርን ያረጋግጣል፣የመሣሪያ አስተማማኝነትን እና አፈጻጸምን ያሳድጋል

ከፍተኛ የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት፡- ከፍተኛ ፍጥነት ያለው የኤሌክትሮኒክስ መቀያየርን ያስችላል፣ ለከፍተኛ ድግግሞሽ መተግበሪያዎች ተስማሚ።

ኬሚካላዊ መረጋጋት፡ በከባድ ሁኔታዎች የመሳሪያውን የህይወት ዘመን አፈጻጸምን ያቆያል

ተኳኋኝነት: አሁን ካለው ሴሚኮንዳክተር ውህደት እና የጅምላ ምርት ጋር ተኳሃኝ

2 ኢንች ፣ 3 ኢንች ፣ 4 ኢንች ፣ 6 ኢንች ፣ 8 ኢንች ሲሲ ሞስፌት ዋፋር በሚከተሉት አካባቢዎች በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላሉ-ለኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች የኃይል ሞጁሎች ፣የተረጋጋ እና ቀልጣፋ የኃይል ስርዓቶችን ፣የጠላቶች ታዳሽ የኃይል ስርዓቶችን ፣የኢነርጂ አስተዳደርን እና የልወጣ ቅልጥፍናን ማሳደግ

ለሳተላይት እና ለኤሮስፔስ ኤሌክትሮኒክስ SiC wafer እና Epi-Layer wafer አስተማማኝ ከፍተኛ ድግግሞሽ ግንኙነትን ያረጋግጣል።

የላቀ የመብራት እና የማሳያ ቴክኖሎጂዎችን ፍላጎት በማሟላት ከፍተኛ አፈፃፀም ላሳዩ ሌዘር እና ኤልኢዲዎች የኦፕቶኤሌክትሮኒካዊ መተግበሪያዎች።

የእኛ የሲሲ ዋይፈሮች ሲሲ ንኡስ እቃዎች ለኤሌክትሪክ ኤሌክትሮኒክስ እና ለ RF መሳሪያዎች ተስማሚ ምርጫ ናቸው, በተለይም ከፍተኛ አስተማማኝነት እና ልዩ አፈፃፀም በሚያስፈልግበት ቦታ. እያንዳንዱ የዋፌር ቡድን ከፍተኛውን የጥራት ደረጃ ማሟያ ለማረጋገጥ ጥብቅ ሙከራዎችን ያደርጋል።

የእኛ 2inch፣ 3inch፣ 4inch፣ 6inch፣ 8inch 4H-N type D-grade እና P-grade SiC wafers ከፍተኛ አፈጻጸም ላለው ሴሚኮንዳክተር አፕሊኬሽኖች ፍጹም ምርጫ ናቸው። ልዩ በሆነ የክሪስታል ጥራት፣ ጥብቅ የጥራት ቁጥጥር፣ የማበጀት አገልግሎቶች እና ሰፊ አፕሊኬሽኖች፣ እንደፍላጎትዎ ብጁ ማድረግ እንችላለን። ጥያቄዎች እንኳን ደህና መጡ!