ሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ዋፈር SiO2 wafer ወፍራም የተወለወለ፣ ፕራይም እና የሙከራ ደረጃ

አጭር መግለጫ፡-

Thermal oxidation የሲሊኮን ዋፈርን ወደ ኦክሳይድ ወኪሎች በማጋለጥ እና ሙቀትን የሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ንብርብር (SiO2) .የእኛ ኩባንያ ሲሊኮን ዳይኦክሳይድን ኦክሳይድ ቅንጣትን ለደንበኞች በተለያየ መመዘኛ ማበጀት ይችላል ጥራት ያለው ጥራት ያለው; የኦክሳይድ ንብርብር ውፍረት፣ ውሱንነት፣ ተመሳሳይነት እና ተከላካይ ክሪስታል አቅጣጫ ሁሉም በብሔራዊ ደረጃዎች መሠረት ይተገበራሉ።

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የቫፈር ሳጥንን ማስተዋወቅ

ምርት	Thermal Oxide (Si+SiO2) ዋፍሮች
የምርት ዘዴ	LPCVD
የገጽታ መጥረጊያ	SSP/DSP
ዲያሜትር	2 ኢንች / 3 ኢንች / 4 ኢንች / 5 ኢንች / 6 ኢንች
ዓይነት	P ዓይነት / N ዓይነት
የኦክሳይድ ንብርብር ውፍረት	100nm ~ 1000nm
አቀማመጥ	<100> <111>
የኤሌክትሪክ መከላከያ	0.001-25000(Ω•ሴሜ)
መተግበሪያ	ለ synchrotron የጨረር ናሙና ተሸካሚ፣ የPVD/CVD ሽፋን እንደ ንጣፍ፣ ማግኔትሮን የሚረጭ የእድገት ናሙና፣ XRD፣ SEM፣አቶሚክ ሃይል፣ ኢንፍራሬድ ስፔክትሮስኮፒ፣ የፍሎረሰንስ ስፔክትሮስኮፒ እና ሌሎች የትንታኔ መመዘኛዎች፣ የሞለኪውላር ጨረር ኤፒታክሲያል እድገት ንጣፎች፣ የክሪስታል ሴሚኮንዳክተሮች ኤክስሬይ ትንተና

የሲሊኮን ኦክሳይድ ዋይፋዎች በከባቢ አየር ግፊት እቶን ቱቦ መሳሪያዎች የሙቀት ኦክሳይድ ሂደትን በመጠቀም በኦክስጂን ወይም በውሃ ትነት አማካኝነት በከፍተኛ ሙቀት (800 ° ሴ ~ 1150 ° ሴ) በሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ወለል ላይ የሚበቅሉ የሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ፊልሞች ናቸው። የሂደቱ ውፍረት ከ 50 ናኖሜትር እስከ 2 ማይክሮን ይደርሳል, የሂደቱ ሙቀት እስከ 1100 ዲግሪ ሴንቲ ግሬድ ይደርሳል, የእድገት ዘዴው "እርጥብ ኦክሲጅን" እና "ደረቅ ኦክሲጅን" በሁለት ዓይነት ይከፈላል. Thermal Oxide "ያደገ" ኦክሳይድ ንብርብር ነው፣ እሱም ከሲቪዲ የተከማቸ ኦክሳይድ ንብርብሮች የበለጠ ወጥነት ያለው፣ የተሻለ ዲንሴሽን እና ከፍተኛ የዲኤሌክትሪክ ጥንካሬ ያለው፣ ይህም ከፍተኛ ጥራት ያለው ነው።

ደረቅ ኦክሲጅን ኦክሳይድ

ሲሊኮን ከኦክሲጅን ጋር ምላሽ ይሰጣል እና የኦክሳይድ ንብርብር ያለማቋረጥ ወደ ታችኛው ንብርብር ይንቀሳቀሳል። ደረቅ ኦክሳይድ ከ 850 እስከ 1200 ዲግሪ ሴንቲግሬድ ባለው የሙቀት መጠን መከናወን አለበት, ዝቅተኛ የእድገት ደረጃዎች እና ለ MOS የታሸገ የበር እድገትን መጠቀም ይቻላል. ከፍተኛ ጥራት ያለው እጅግ በጣም ቀጭን የሲሊኮን ኦክሳይድ ንብርብር በሚያስፈልግበት ጊዜ ደረቅ ኦክሳይድ ከእርጥብ ኦክሳይድ ይመረጣል. ደረቅ ኦክሳይድ አቅም: 15nm ~ 300nm.

2. እርጥብ ኦክሳይድ

ይህ ዘዴ የውሃ ትነት በከፍተኛ ሙቀት ውስጥ ወደ ምድጃ ቱቦ ውስጥ በመግባት ኦክሳይድ ንብርብር ይፈጥራል. የእርጥበት ኦክሲጅን ኦክሲዴሽን መጨናነቅ ከደረቅ ኦክሲጅን ኦክሲዴሽን ትንሽ የከፋ ነው, ነገር ግን ከደረቅ ኦክሲጅን ኦክሳይድ ጋር ሲነፃፀር ጥቅሙ ከፍ ያለ የእድገት መጠን ያለው ሲሆን ይህም ከ 500nm በላይ የፊልም እድገትን ያመጣል. እርጥብ ኦክሳይድ አቅም: 500nm ~ 2µm.

የ AEMD የከባቢ አየር ግፊት oxidation እቶን ቱቦ የቼክ አግድም እቶን ቱቦ ነው, ይህም ከፍተኛ ሂደት መረጋጋት, ጥሩ የፊልም ተመሳሳይነት እና የላቀ ቅንጣት ቁጥጥር ባሕርይ ነው. የሲሊኮን ኦክሳይድ እቶን ቱቦ በአንድ ቱቦ እስከ 50 ዋይፋሪዎችን ማካሄድ ይችላል፣ በጣም ጥሩ የሆነ የውስጥ እና ኢንተር-ዋፈር ተመሳሳይነት ያለው።