3ኢንች 76.2ሚሜ 4H-ሴሚ ሲሲ substrate wafer ሲሊኮን ካርቦይድ ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፈሮች

3ኢንች 76.2ሚሜ 4H-ሴሚ ሲሲ substrate wafer ሲሊኮን ካርቦይድ ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፎች ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

ከፍተኛ ጥራት ያለው ነጠላ ክሪስታል ሲሲ ዋይፈር (ሲሊኮን ካርቦይድ) ወደ ኤሌክትሮኒክስ እና ኦፕቶኤሌክትሮኒክ ኢንዱስትሪ። 3ኢንች ሲሲ ዋይፈር የሚቀጥለው ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ፣ ከፊል የማያስተላልፍ የሲሊኮን-ካርቦይድ ዋፈር የ3 ኢንች ዲያሜትር ነው። ዋፍሮቹ ለኃይል, ለ RF እና ለኦፕቶኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ለማምረት የታቀዱ ናቸው.

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

መግለጫ

3-ኢንች 4H ከፊል-insulated SiC (ሲሊኮን ካርቦይድ) substrate wafers በተለምዶ ጥቅም ላይ ሴሚኮንዳክተር ቁሳዊ ናቸው. 4H የ tetrahexahedral ክሪስታል መዋቅርን ያመለክታል. ከፊል-ኢንሱሌሽን ማለት ንጣፉ ከፍተኛ የመከላከያ ባህሪያት ያለው እና ከአሁኑ ፍሰት በተወሰነ ደረጃ ሊገለል ይችላል ማለት ነው.

እንዲህ ዓይነቱ የንጥረ-ነገር መጋገሪያዎች የሚከተሉት ባህሪያት አሏቸው-ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ, ዝቅተኛ የመተላለፊያ መጥፋት, እጅግ በጣም ጥሩ ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም እና እጅግ በጣም ጥሩ የሜካኒካል እና የኬሚካል መረጋጋት. የሲሊኮን ካርቦይድ ሰፊ የኃይል ክፍተት ስላለው እና ከፍተኛ ሙቀትን እና ከፍተኛ የኤሌክትሪክ መስክ ሁኔታዎችን መቋቋም ስለሚችል, 4H-SiC ከፊል-ኢንሱልድ ቫውቸር በሃይል ኤሌክትሮኒክስ እና በሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) መሳሪያዎች ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላል.

የ 4H-SiC ከፊል-የተሸፈኑ ዋፍሮች ዋና መተግበሪያዎች የሚከተሉትን ያካትታሉ:

1--Power Electronics: 4H-SiC Wafers እንደ MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)፣ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) እና ሾትኪ ዳዮዶችን የመሳሰሉ የሃይል መቀየሪያ መሳሪያዎችን ለማምረት ያስችላል። እነዚህ መሳሪያዎች በከፍተኛ የቮልቴጅ እና ከፍተኛ ሙቀት አካባቢዎች ዝቅተኛ የመተላለፊያ እና የመቀያየር ኪሳራ አላቸው እና ከፍተኛ ብቃት እና አስተማማኝነት ይሰጣሉ.

2--የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) መሳሪያዎች፡- 4H-SiC ከፊል-ኢንሱልድ ዋፍሮች ከፍተኛ ሃይል፣ከፍተኛ ድግግሞሽ RF power amplifiers፣ቺፕ ተቃዋሚዎች፣ማጣሪያዎች እና ሌሎች መሳሪያዎች ለማምረት ሊያገለግሉ ይችላሉ። ሲሊኮን ካርቦይድ በትልቅ የኤሌክትሮን ሙሌት ተንሳፋፊ ፍጥነት እና ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ ምክንያት የተሻለ ከፍተኛ-ድግግሞሽ አፈፃፀም እና የሙቀት መረጋጋት አለው።

3--የኦፕቶኤሌክትሮኒካዊ መሳሪያዎች፡- 4H-SiC ከፊል-ኢንሱልድ ዋፍሮች ከፍተኛ ኃይል ያላቸውን ሌዘር ዳዮዶች፣UV light detectors እና optoelectronic insulated circuits ለማምረት ሊያገለግሉ ይችላሉ።

ከገቢያ አቅጣጫ አንጻር የ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱልድ ዋፍቶች ፍላጎት እየጨመረ በመጣው የኃይል ኤሌክትሮኒክስ, RF እና optoelectronics መስኮች እየጨመረ ነው. ይህ የሆነበት ምክንያት ሲሊኮን ካርቦይድ የኃይል ቆጣቢነትን ፣ የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎችን ፣ ታዳሽ ኃይልን እና ግንኙነቶችን ጨምሮ ሰፊ አፕሊኬሽኖች ስላለው ነው። ለወደፊቱ የ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱልድ ዋፍሮች ገበያው በጣም ተስፋ ሰጪ ሆኖ የሚቆይ ሲሆን የተለመዱ የሲሊኮን ቁሳቁሶችን በተለያዩ አፕሊኬሽኖች ይተካል ተብሎ ይጠበቃል።