4H-N 4 ኢንች SiC ንጣፍ ዋፈር ሲሊኮን ካርቦይድ ፕሮዳክሽን ዱሚ የምርምር ደረጃ

4H-N 4 ኢንች SiC substrate wafer Silicon Carbide Production Dummy Research grade ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡

ባለ 4 ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋፈር ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ቁሳቁስ ሲሆን እጅግ በጣም ጥሩ አካላዊ እና ኬሚካላዊ ባህሪያት አሉት። እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት አማቂነት፣ ሜካኒካል መረጋጋት እና ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም ካለው ከፍተኛ ንፁህ ሲሊከን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ቁሳቁስ የተሰራ ነው። በከፍተኛ ትክክለኛነት ዝግጅት ሂደቱ እና ከፍተኛ ጥራት ባላቸው ቁሳቁሶች ምክንያት ይህ ቺፕ በብዙ መስኮች ከፍተኛ አፈጻጸም ያላቸውን የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማዘጋጀት ከሚመረጡት ቁሳቁሶች አንዱ ነው።

ኢሜይል ይላኩልን

ባህሪያት

አፕሊኬሽኖች

ባለ 4 ኢንች የሲሊኮን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፎች በብዙ መስኮች ውስጥ ትልቅ ሚና ይጫወታሉ። በመጀመሪያ፣ በሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ እንደ የኃይል ትራንዚስተሮች፣ የተቀናጁ ወረዳዎች እና የኃይል ሞጁሎች ያሉ ከፍተኛ ኃይል ያላቸውን የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን በማዘጋጀት በስፋት ጥቅም ላይ ይውላል። ከፍተኛ የሙቀት አማቂነት እና ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም ሙቀትን በተሻለ ሁኔታ ለማሰራጨት እና የተሻለ የስራ ቅልጥፍና እና አስተማማኝነት ለማቅረብ ያስችለዋል። በሁለተኛ ደረጃ፣ የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፎች በምርምር መስክም በአዳዲስ ቁሳቁሶች እና መሳሪያዎች ላይ ምርምር ለማካሄድ ያገለግላሉ። በተጨማሪም፣ የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፎች በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ ውስጥ እንደ ኤልኢዲዎች እና የሌዘር ዳዮዶች ማምረት ባሉ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ።

የ4 ኢንች SiC ዋፈር ዝርዝር መግለጫዎች

4 ኢንች (101.6 ሚሜ አካባቢ) ያለው ባለ 4 ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፎች ዋፈር ዲያሜትር፣ እስከ Ra < 0.5 nm የሚደርስ የገጽታ አጨራረስ፣ ውፍረት 600±25 μm ነው። የዋፈር ኮንዳክሽን N አይነት ወይም P አይነት ሲሆን በደንበኛ ፍላጎት መሰረት ሊበጅ ይችላል። በተጨማሪም፣ ቺፕው እጅግ በጣም ጥሩ የሜካኒካል መረጋጋት አለው፣ የተወሰነ የግፊት እና የንዝረት መጠን መቋቋም ይችላል።

ኢንች ሲሊከን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋፈር በሴሚኮንዳክተር፣ በምርምር እና በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ መስኮች በስፋት ጥቅም ላይ የሚውል ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ቁሳቁስ ነው። እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት ማስተላለፊያ፣ ሜካኒካል መረጋጋት እና ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም አለው፣ ይህም ከፍተኛ ኃይል ያላቸውን የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማዘጋጀት እና አዳዲስ ቁሳቁሶችን ለማጥናት ተስማሚ ነው። የተለያዩ የደንበኛ ፍላጎቶችን ለማሟላት የተለያዩ ዝርዝር መግለጫዎችን እና የማበጀት አማራጮችን እናቀርባለን። ስለ ሲሊከን ካርቦይድ ንጣፎች የምርት መረጃ የበለጠ ለማወቅ እባክዎን ለገለልተኛ ድረ ገጻችን ትኩረት ይስጡ።

ቁልፍ ስራዎች፡ የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ፣ የሲሊኮን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፎች ዋፈርስ፣ 4 ኢንች፣ የሙቀት ማስተላለፊያ፣ ሜካኒካል መረጋጋት፣ ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም፣ የኃይል ትራንዚስተሮች፣ የተቀናጁ ወረዳዎች፣ የኃይል ሞጁሎች፣ ኤልኢዲዎች፣ የሌዘር ዳዮዶች፣ የገጽታ አጨራረስ፣ ኮንዳክሽን፣ ብጁ አማራጮች