4H-N 4 ኢንች SiC substrate wafer የሲሊኮን ካርቦይድ ምርት ዱሚ የምርምር ደረጃ

4H-N 4 ኢንች ሲሲ substrate wafer ሲሊኮን ካርቦይድ ማምረት የዱሚ የምርምር ደረጃ ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

ባለ 4-ኢንች ሲሊከን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋፈር እጅግ በጣም ጥሩ አካላዊ እና ኬሚካላዊ ባህሪያት ያለው ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ቁሳቁስ ነው። ከፍተኛ-ንፅህና ካለው የሲሊኮን ካርቦይድ ነጠላ ክሪስታል ቁሳቁስ እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት መቆጣጠሪያ ፣ የሜካኒካል መረጋጋት እና ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም። ለከፍተኛ ትክክለኛነት የዝግጅት ሂደት እና ከፍተኛ ጥራት ያላቸው ቁሳቁሶች ምስጋና ይግባቸውና ይህ ቺፕ በበርካታ መስኮች ከፍተኛ አፈፃፀም ያላቸውን የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማዘጋጀት ከሚመረጡት ቁሳቁሶች አንዱ ነው.

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

መተግበሪያዎች

ባለ 4-ኢንች ሲሊከን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋይፋሪዎች በብዙ መስኮች ውስጥ ትልቅ ሚና ይጫወታሉ። በመጀመሪያ ደረጃ, በሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ እንደ ሃይል ትራንዚስተሮች, የተቀናጁ ወረዳዎች እና የኃይል ሞጁሎች የመሳሰሉ ከፍተኛ ኃይል ያላቸው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማዘጋጀት በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላል. ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ እና ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም ሙቀትን በተሻለ ሁኔታ ለማጥፋት እና የበለጠ የስራ ቅልጥፍናን እና አስተማማኝነትን ለማቅረብ ያስችለዋል. በሁለተኛ ደረጃ, የሲሊኮን ካርቦይድ ቫፈርስ በአዳዲስ ቁሳቁሶች እና መሳሪያዎች ላይ ምርምር ለማካሄድ በምርምር መስክ ውስጥም ጥቅም ላይ ይውላል. በተጨማሪም የሲሊኮን ካርቦዳይድ ቫፈርስ በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ ውስጥ እንደ ሊድ እና ሌዘር ዳዮዶች ማምረት በስፋት ጥቅም ላይ ይውላል.

የ 4ኢንች SiC ዋፈር መግለጫዎች

ባለ 4-ኢንች ሲሊከን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋፈር ዲያሜትር 4 ኢንች (ወደ 101.6 ሚሜ)፣ የወለል አጨራረስ እስከ ራ< 0.5 nm፣ ውፍረት 600±25 μm። የ Wafer conductivity N አይነት ወይም P አይነት ነው እና ደንበኛ ፍላጎት መሰረት ሊበጅ ይችላል. በተጨማሪም ቺፕው በጣም ጥሩ የሆነ የሜካኒካዊ መረጋጋት አለው, የተወሰነ ጫና እና ንዝረትን መቋቋም ይችላል.

ኢንች ሲሊከን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋይፈር በሴሚኮንዳክተር ፣በምርምር እና በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ መስኮች በስፋት ጥቅም ላይ የሚውል ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ቁሳቁስ ነው። ከፍተኛ ኃይል ያለው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማዘጋጀት እና ለአዳዲስ እቃዎች ምርምር ተስማሚ የሆነ እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት መቆጣጠሪያ, የሜካኒካዊ መረጋጋት እና ከፍተኛ የሙቀት መከላከያ አለው. የተለያዩ የደንበኛ ፍላጎቶችን ለማሟላት የተለያዩ ዝርዝሮችን እና የማበጀት አማራጮችን እናቀርባለን። እባክዎን ስለ ሲሊኮን ካርቦይድ ዌፈርስ የምርት መረጃ የበለጠ ለማወቅ ወደ ገለልተኛ ጣቢያችን ትኩረት ይስጡ።

ቁልፍ ስራዎች: የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ, የሲሊኮን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ, 4 ኢንች, የሙቀት መቆጣጠሪያ, ሜካኒካል መረጋጋት, ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም, የኃይል ትራንዚስተሮች, የተቀናጁ ወረዳዎች, የኃይል ሞጁሎች, LEDs, laser diodes, surface finish, conductivity, ብጁ አማራጮች