4H-N 4 ኢንች SiC substrate wafer የሲሊኮን ካርቦይድ ምርት ዱሚ የምርምር ደረጃ

ባለ 4-ኢንች ሲሊከን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋፈር ዲያሜትር 4 ኢንች (ወደ 101.6 ሚሜ)፣ የወለል አጨራረስ እስከ ራ< 0.5 nm፣ ውፍረት 600±25 μm።የ Wafer conductivity N አይነት ወይም P አይነት ነው እና ደንበኛ ፍላጎት መሰረት ሊበጅ ይችላል.በተጨማሪም ቺፕው በጣም ጥሩ የሆነ የሜካኒካዊ መረጋጋት አለው, የተወሰነ ጫና እና ንዝረትን መቋቋም ይችላል.

ኢንች ሲሊከን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ ዋይፈር በሴሚኮንዳክተር ፣በምርምር እና በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ መስኮች በስፋት ጥቅም ላይ የሚውል ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ቁሳቁስ ነው።ከፍተኛ ኃይል ያለው የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎችን ለማዘጋጀት እና ለአዳዲስ እቃዎች ምርምር ተስማሚ የሆነ እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት መቆጣጠሪያ, የሜካኒካዊ መረጋጋት እና ከፍተኛ የሙቀት መከላከያ አለው.የተለያዩ የደንበኛ ፍላጎቶችን ለማሟላት የተለያዩ ዝርዝሮችን እና የማበጀት አማራጮችን እናቀርባለን።እባክዎን ስለ ሲሊኮን ካርቦይድ ዌፈርስ የምርት መረጃ የበለጠ ለማወቅ ወደ ገለልተኛ ጣቢያችን ትኩረት ይስጡ።

ቁልፍ ስራዎች: የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ, የሲሊኮን ካርቦዳይድ ነጠላ ክሪስታል ንጣፍ, 4 ኢንች, የሙቀት መቆጣጠሪያ, ሜካኒካል መረጋጋት, ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም, የኃይል ትራንዚስተሮች, የተቀናጁ ወረዳዎች, የኃይል ሞጁሎች, LEDs, laser diodes, surface finish, conductivity, ብጁ አማራጮች