4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150ሚሜ የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ

4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

እኛ ከፍተኛ ሙቀት superconducting ቀጭን ፊልም substrate, መግነጢሳዊ ቀጭን ፊልሞች እና ferroelectric ቀጭን ፊልም substrate, ሴሚኮንዳክተር ክሪስታል, ኦፕቲካል ክሪስታል, የሌዘር ክሪስታል ቁሶች, በተመሳሳይ ጊዜ ዝንባሌ ማቅረብ ይችላሉ, ክሪስታል መቁረጥ, መፍጨት, polishing እና ሌሎች ሂደት አገልግሎቶች.የእኛ የሲሲ ንጣፎች ከቻይና ታንከብሉ ፋብሪካ ይመጣሉ።

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

6 ኢንች ዲያሜትር ሲሊከን ካርቦይድ (SiC) substrate ዝርዝር

ደረጃ	ዜሮ MPD	ማምረት	የምርምር ደረጃ	ዱሚ ደረጃ
ዲያሜትር	150.0 ሚሜ ± 0.25 ሚሜ
ውፍረት	4H-N	350um±25um
	4H-SI	500um±25um
የዋፈር አቀማመጥ	ዘንግ ላይ፡<0001>±0.5°ለ 4H-SI ከዘንግ ውጪ፡ 4.0°ወደ<1120>±0.5°ለ 4H-N
የመጀመሪያ ደረጃ ፍላት	{10-10}±5.0°
የመጀመሪያ ደረጃ ጠፍጣፋ ርዝመት	47.5 ሚሜ ± 2.5 ሚሜ
ጠርዝ ማግለል	3 ሚሜ
ቲቲቪ/ቀስት/ዋርፕ	≤15um/≤40um/≤60um
የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት	≤1 ሴሜ-2	≤5 ሴሜ-2	≤15 ሴሜ-2	≤50 ሴሜ-2
የመቋቋም 4H-N 4H-SI	0.015 ~ 0.028Ω! ሴሜ
	≥1E5Ω!ሴሜ
ሸካራነት	የፖላንድ ራ ≤1nm ሲኤምፒ ራ≤0.5nm
#በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን ስንጥቅ	ምንም		1 ተፈቅዷል ≤2 ሚሜ	ድምር ርዝመት ≤10 ሚሜ፣ ነጠላ ርዝመት≤2 ሚሜ
* ሄክስ ሳህኖች በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን	ድምር አካባቢ ≤1%		ድምር አካባቢ ≤ 2%	ድምር አካባቢ ≤ 5%
* የፖሊታይፕ ቦታዎች በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን	ምንም		ድምር አካባቢ ≤ 2%	ድምር አካባቢ ≤ 5%
*&በከፍተኛ ብርሃን ይቧጭራል።	3 ጭረቶች እስከ 1 x ዋፈር ዲያሜትር ድምር ርዝመት		5 ጭረቶች እስከ 1 x ዋፈር ዲያሜትር ድምር ርዝመት	5scratches እስከ 1 x ዋፈር ዲያሜትር ድምር ርዝመት
የጠርዝ ቺፕ	ምንም		3 ተፈቅዷል፣ ≤0.5 ሚሜ እያንዳንዳቸው	5 ተፈቅዷል፣ ≤1 ሚሜ እያንዳንዳቸው
በከፍተኛ ኃይለኛ ብርሃን መበከል	ምንም