4ኢንች ከፊል ዘለፋ የሲሲ ዋይፈሮች HPSI SiC substrate ዋና የምርት ደረጃ

አጭር መግለጫ፡-

ባለ 4-ኢንች ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-የተሸፈነ ሲሊኮን ካርቦዳይድ ባለ ሁለት ጎን መጥረጊያ ሳህን በዋናነት በ 5G ግንኙነት እና በሌሎች መስኮች ጥቅም ላይ የሚውለው የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ ክልልን የማሻሻል ፣ እጅግ በጣም ረጅም ርቀት መለየት ፣ ፀረ-ጣልቃ ገብነት ፣ ከፍተኛ ፍጥነት ያለው ነው። ፣ ትልቅ አቅም ያለው የመረጃ ስርጭት እና ሌሎች አፕሊኬሽኖች ፣ እና የማይክሮዌቭ ኃይል መሳሪያዎችን ለማምረት እንደ ተስማሚ ንጣፍ ተደርጎ ይቆጠራል።

ኢሜይል ይላኩልን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የምርት ዝርዝር

ሲሊኮን ካርቦዳይድ (ሲሲ) ከካርቦን እና ሲሊኮን ንጥረ ነገሮች የተዋቀረ ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው ፣ እና ከፍተኛ ሙቀት ፣ ከፍተኛ ድግግሞሽ ፣ ከፍተኛ ኃይል እና ከፍተኛ-ቮልቴጅ መሳሪያዎችን ለመስራት ተስማሚ ከሆኑ ቁሳቁሶች ውስጥ አንዱ ነው።ከባህላዊው የሲሊኮን ቁሳቁስ (ሲ) ጋር ሲነፃፀር የተከለከለው የሲሊኮን ካርቦይድ ስፋት ከሲሊኮን ሶስት እጥፍ ነው;የሙቀት መቆጣጠሪያው ከሲሊኮን 4-5 እጥፍ ነው;የብልሽት ቮልቴጅ ከሲሊኮን 8-10 እጥፍ ነው;እና የኤሌክትሮን ሙሌት ተንሳፋፊ ፍጥነት ከሲሊኮን 2-3 እጥፍ ነው, ይህም የዘመናዊውን ኢንዱስትሪ ለከፍተኛ ኃይል, ከፍተኛ-ቮልቴጅ እና ከፍተኛ-ድግግሞሽ ፍላጎቶች የሚያሟላ ሲሆን በዋናነት ከፍተኛ ፍጥነት ያለው, ከፍተኛ- ፍሪኩዌንሲ፣ ከፍተኛ ሃይል እና ብርሃን-አመንጪ ኤሌክትሮኒካዊ ክፍሎች፣ እና የታችኛው ተፋሰስ አፕሊኬሽን ቦታዎች ስማርት ፍርግርግ፣ አዲስ ኢነርጂ ተሽከርካሪዎች፣ የፎቶቮልታይክ ንፋስ ሃይል፣ 5ጂ ኮሙኒኬሽን ወዘተ. በንግድ ተተግብሯል.

የ SiC wafers/SiC substrate ጥቅሞች

ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም.የተከለከለው የሲሊኮን ካርቦዳይድ ስፋት ከሲሊኮን 2-3 እጥፍ ነው, ስለዚህ ኤሌክትሮኖች በከፍተኛ የሙቀት መጠን ለመዝለል ዕድላቸው አነስተኛ ነው እና ከፍተኛ የሙቀት መጠንን ይቋቋማሉ, እና የሲሊኮን ካርቦይድ የሙቀት መጠን ከሲሊኮን 4-5 እጥፍ ይበልጣል. ከመሳሪያው ላይ ሙቀትን ለማስወገድ ቀላል እና ከፍተኛ ገደብ ያለው የሙቀት መጠን እንዲኖር ያስችላል.የከፍተኛ ሙቀት ባህሪያት የኃይል ጥንካሬን በከፍተኛ ሁኔታ ሊጨምሩ ይችላሉ, ለሙቀት ማከፋፈያ ስርዓት የሚያስፈልጉትን መስፈርቶች በመቀነስ, ተርሚናሉን የበለጠ ቀላል እና አነስተኛ ያደርገዋል.

ከፍተኛ የቮልቴጅ መቋቋም.የሲሊኮን ካርቦዳይድ የመስክ ጥንካሬ ከሲሊኮን 10 እጥፍ ይበልጣል, ይህም ከፍተኛ ቮልቴጅን ለመቋቋም ያስችላል, ይህም ለከፍተኛ-ቮልቴጅ መሳሪያዎች ተስማሚ ያደርገዋል.

ከፍተኛ-ድግግሞሽ መቋቋም.ሲሊከን ካርበይድ ሁለት እጥፍ የሲሊኮን ሙሌት ኤሌክትሮን ተንሳፋፊ ፍጥነት አለው, በዚህም ምክንያት መሳሪያው በመዘጋቱ ሂደት ውስጥ አሁን ባለው የመጎተት ክስተት ውስጥ የለም, የመሣሪያውን አነስተኛነት ለመድረስ, የመሳሪያውን የመቀያየር ድግግሞሽን በተሳካ ሁኔታ ማሻሻል ይችላል.

ዝቅተኛ የኃይል ማጣት.የሲሊኮን ካርቦይድ ከሲሊኮን ቁሳቁሶች ጋር ሲነፃፀር በጣም ዝቅተኛ የመቋቋም ችሎታ አለው, ዝቅተኛ የመተላለፊያ መጥፋት;በተመሳሳይ ጊዜ የሲሊኮን ካርቦይድ ከፍተኛ የመተላለፊያ ይዘት ፍሰት ፍሰት ፣ የኃይል መጥፋትን በእጅጉ ይቀንሳል ።በተጨማሪም, በመዝጋት ሂደት ውስጥ ያሉ የሲሊኮን ካርቦይድ መሳሪያዎች አሁን ባለው የመጎተት ክስተት, ዝቅተኛ የመቀያየር ኪሳራ ውስጥ አይኖሩም.