የሲሊኮን ካርቦይድ መግቢያ
ሲሊኮን ካርቦይድ (ሲሲ) ከካርቦን እና ከሲሊኮን የተዋቀረ ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ ነው ፣ ይህም ከፍተኛ ሙቀትን ፣ ከፍተኛ ድግግሞሽን ፣ ከፍተኛ ኃይልን እና ከፍተኛ የቮልቴጅ መሳሪያዎችን ለማምረት ተስማሚ ከሆኑ ቁሳቁሶች ውስጥ አንዱ ነው።ከተለምዷዊ የሲሊኮን ማቴሪያል (ሲ) ጋር ሲነጻጸር, የሲሊኮን ካርቦይድ ባንድ ክፍተት ከሲሊኮን 3 እጥፍ ይበልጣል.የሙቀት መቆጣጠሪያው ከሲሊኮን 4-5 እጥፍ ነው;የብልሽት ቮልቴጅ ከሲሊኮን 8-10 እጥፍ ነው;የኤሌክትሮኒካዊ ሙሌት ተንሳፋፊ ፍጥነት ከሲሊኮን 2-3 እጥፍ ነው, ይህም የዘመናዊ ኢንዱስትሪ ፍላጎቶችን ለከፍተኛ ኃይል, ከፍተኛ ቮልቴጅ እና ከፍተኛ ድግግሞሽ ያሟላል.በዋናነት ለከፍተኛ ፍጥነት፣ ለከፍተኛ ድግግሞሽ፣ ለከፍተኛ ኃይል እና ብርሃን አመንጪ የኤሌክትሮኒክስ ክፍሎችን ለማምረት ያገለግላል።የታችኛው አፕሊኬሽን መስኮች ስማርት ፍርግርግ፣ አዲስ ኢነርጂ ተሽከርካሪዎች፣ የፎቶቮልታይክ የንፋስ ሃይል፣ 5ጂ ኮሙኒኬሽን ወዘተ ያካትታሉ። ሲሊኮን ካርቦዳይድ ዳዮዶች እና MOSFETs ለንግድ ተተግብረዋል።
ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም.የሲሊኮን ካርቦዳይድ የባንድ ክፍተት ስፋት ከሲሊኮን 2-3 እጥፍ ነው, ኤሌክትሮኖች በከፍተኛ ሙቀት ውስጥ ለመሸጋገር ቀላል አይደሉም, እና ከፍተኛ የሙቀት መጠንን መቋቋም ይችላሉ, እና የሲሊኮን ካርቦይድ የሙቀት መጠን ከሲሊኮን 4-5 እጥፍ ነው. የመሳሪያውን ሙቀት ማባከን ቀላል እና የስራው የሙቀት መጠን ገደብ ከፍ ያለ እንዲሆን ማድረግ.ከፍተኛ የሙቀት መጠን መቋቋም የኃይል ጥንካሬን በከፍተኛ ሁኔታ በመጨመር በማቀዝቀዣው ስርዓት ላይ ያሉትን መስፈርቶች በመቀነስ, ተርሚናል ቀላል እና ትንሽ ያደርገዋል.
ከፍተኛ ግፊት መቋቋም.የሲሊኮን ካርቦይድ የኤሌክትሪክ መስክ ጥንካሬ ከሲሊኮን 10 እጥፍ ይበልጣል, ይህም ከፍተኛ ቮልቴጅን መቋቋም የሚችል እና ለከፍተኛ-ቮልቴጅ መሳሪያዎች ተስማሚ ነው.
ከፍተኛ ድግግሞሽ መቋቋም.የሲሊኮን ካርቦዳይድ የሳቹሬትድ ኤሌክትሮን ተንሳፋፊ ፍጥነት ከሲሊኮን በእጥፍ ይበልጣል፣በዚህም ምክንያት በመዘጋቱ ሂደት ውስጥ የአሁኑ ጅራት አለመኖር ፣ይህም የመሳሪያውን የመቀያየር ድግግሞሽን ውጤታማ በሆነ መንገድ ያሻሽላል እና የመሳሪያውን አነስተኛነት ይገነዘባል።
ዝቅተኛ የኃይል ማጣት.ከሲሊኮን ማቴሪያል ጋር ሲነጻጸር, ሲሊከን ካርቦይድ በጣም ዝቅተኛ የመቋቋም እና ዝቅተኛ ኪሳራ አለው.በተመሳሳይ ጊዜ የሲሊኮን ካርቦይድ ከፍተኛ የባንድ-ክፍተት ስፋት የፍሰት ፍሰትን እና የኃይል መጥፋትን በእጅጉ ይቀንሳል።በተጨማሪም የሲሊኮን ካርቦይድ መሳሪያው በመዝጋት ሂደት ውስጥ የአሁኑን የመከታተያ ክስተት የለውም, እና የመቀያየር ኪሳራ ዝቅተኛ ነው.
የሲሊኮን ካርቦይድ ኢንዱስትሪ ሰንሰለት
በዋነኛነት ንዑሳን ክፍል፣ ኤፒታክሲ፣ የመሣሪያ ዲዛይን፣ ማምረት፣ ማተም እና የመሳሰሉትን ያጠቃልላል።የሲሊኮን ካርቦዳይድ ከእቃው እስከ ሴሚኮንዳክተር ሃይል መሳሪያ ነጠላ ክሪስታል እድገት፣ ኢንጎት መቁረጥ፣ ኤፒታክሲያል እድገት፣ ዋፈር ዲዛይን፣ ማምረት፣ ማሸግ እና ሌሎች ሂደቶችን ያጋጥመዋል።የሲሊኮን ካርቦይድ ዱቄት ከተዋሃደ በኋላ የሲሊኮን ካርቦይድ ኢንጎት መጀመሪያ ይሠራል, ከዚያም የሲሊኮን ካርቦይድ ንጥረ ነገር በመቁረጥ, በመፍጨት እና በማጣራት የተገኘ ሲሆን የኤፒታክሲያል ሉህ የሚገኘው በ epitaxial እድገት ነው.የ epitaxial wafer ከሲሊኮን ካርበይድ በሊቶግራፊ ፣ ኢቲች ፣ ion መትከያ ፣ የብረት ማለፊያ እና ሌሎች ሂደቶች ፣ ቫፈር ወደ ሞት ተቆርጧል ፣ መሣሪያው የታሸገ እና መሣሪያው ወደ ልዩ ዛጎል ይጣመራል እና ወደ ሞጁል ይሰበሰባል።
ወደ ላይ ያለው የኢንዱስትሪ ሰንሰለት 1: substrate - ክሪስታል እድገት ዋና ሂደት አገናኝ ነው
የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ ከሲሊኮን ካርቦይድ መሳሪያዎች ዋጋ 47% ያህሉ, ከፍተኛው የማምረቻ ቴክኒካል እንቅፋቶች, ትልቁ እሴት, የ SiC የወደፊት መጠነ-ሰፊ ኢንዱስትሪያልነት ዋና አካል ነው.
ከኤሌክትሮኬሚካላዊ ንብረት ልዩነት አንጻር የሲሊኮን ካርቦይድ ንጥረ ነገር ቁሳቁሶች ወደ ኮንዳክቲቭ ንጥረ ነገሮች (resistivity ክልል 15 ~ 30mΩ · ሴሜ) እና ከፊል-ኢንሱልድ ንጣፎች (ከ 105Ω · ሴሜ በላይ የመቋቋም ችሎታ) ሊከፋፈሉ ይችላሉ.እነዚህ ሁለት ዓይነት ንጣፎች ከኤፒታክሲያል እድገት በኋላ እንደ የኃይል መሣሪያዎች እና የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ መሣሪያዎች ያሉ ልዩ መሳሪያዎችን ለማምረት ያገለግላሉ።ከነሱ መካከል, ከፊል-insulated ሲሊከን ካርቦይድ substrate በዋናነት ጋሊየም ናይትራይድ RF መሣሪያዎች, የፎቶ ኤሌክትሪክ መሳሪያዎች እና የመሳሰሉትን ለማምረት ያገለግላል.ከፊል-insulated SIC substrate ላይ ጋን epitaxial ንብርብር በማደግ, sic epitaxial ሳህን ተዘጋጅቷል, ይህም ተጨማሪ HEMT gan iso-nitride RF መሣሪያዎች ውስጥ ሊዘጋጅ ይችላል.Conductive ሲሊከን ካርቦዳይድ substrate በዋናነት ኃይል መሣሪያዎች ማምረት ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል.ከባህላዊው የሲሊኮን ኃይል መሣሪያ የማምረት ሂደት የተለየ ፣ የሲሊኮን ካርቦይድ ሃይል መሳሪያ በቀጥታ በሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ላይ ሊሠራ አይችልም ፣ የሲሊኮን ካርቦይድ ኤፒታክሲያል ንብርብር የሲሊኮን ካርቦይድ epitaxial ሉህ ለማግኘት በኮንዳክቲቭ ንጣፍ ላይ ማደግ እና የ epitaxial ንጣፍ ማግኘት አለበት። ንብርብር የሚመረተው በሾትኪ diode፣ MOSFET፣ IGBT እና ሌሎች የኃይል መሣሪያዎች ላይ ነው።
የሲሊኮን ካርቦዳይድ ዱቄት ከከፍተኛ ንፅህና የካርቦን ዱቄት እና ከፍተኛ ንፅህና የሲሊኮን ዱቄት የተዋሃደ ሲሆን የተለያየ መጠን ያለው የሲሊኮን ካርቦይድ ኢንጎት በልዩ የሙቀት መስክ ውስጥ ይበቅላል, ከዚያም የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጥረ ነገር በበርካታ ማቀነባበሪያ ሂደቶች ተዘጋጅቷል.ዋናው ሂደት የሚከተሉትን ያካትታል:
የጥሬ ዕቃ ውህደት፡- ከፍተኛ-ንፅህና ያለው የሲሊኮን ዱቄት + ቶነር በቀመርው መሠረት የተቀላቀለ ሲሆን ምላሹ የሚከናወነው ከ 2000 ዲግሪ ሴንቲግሬድ በላይ ባለው ከፍተኛ የሙቀት መጠን ባለው የምላሽ ክፍል ውስጥ የሲሊኮን ካርቦይድ ቅንጣቶችን በልዩ ክሪስታል ዓይነት እና ቅንጣት ለማዋሃድ ነው። መጠን.ከዚያም በመጨፍለቅ, በማጣራት, በማጽዳት እና በሌሎች ሂደቶች, ከፍተኛ ንፅህናን የሲሊኮን ካርቦይድ ዱቄት ጥሬ ዕቃዎችን ለማሟላት.
የክሪስታል እድገት የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ማምረቻ ዋና ሂደት ነው ፣ እሱም የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ኤሌክትሪክ ባህሪዎችን ይወስናል።በአሁኑ ጊዜ ለክሪስታል እድገት ዋና ዘዴዎች አካላዊ የእንፋሎት ማስተላለፊያ (PVT)፣ ከፍተኛ ሙቀት ያለው የኬሚካል ትነት ክምችት (HT-CVD) እና ፈሳሽ ፋዝ ኤፒታክሲ (LPE) ናቸው።ከነሱ መካከል የ PVT ዘዴ በአሁኑ ጊዜ ከፍተኛ የቴክኒክ ብስለት ያለው እና በኢንጂነሪንግ ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ የዋለው የ SiC substrate የንግድ እድገት ዋና ዘዴ ነው።
የ SiC substrate ዝግጅት አስቸጋሪ ነው, ይህም ወደ ከፍተኛ ዋጋ ይመራል
የሙቀት መጠንን መቆጣጠር አስቸጋሪ ነው፡ የሲ ክሪስታል ዘንግ እድገት 1500 ℃ ብቻ ነው የሚያስፈልገው ፣ ሲሲ ክሪስታል ግንድ ከ 2000 ℃ በላይ በሆነ የሙቀት መጠን ማደግ አለበት ፣ እና ከ 250 በላይ የሲሲ አይሶመሮች አሉ ፣ ግን ዋናው 4H-SiC ነጠላ ክሪስታል መዋቅር ለ የኃይል መሳሪያዎችን ማምረት, ትክክለኛ ቁጥጥር ካልሆነ, ሌሎች ክሪስታል መዋቅሮችን ያገኛሉ.በተጨማሪም, በ crucible ውስጥ ያለው የሙቀት ቅልመት SiC sublimation ማስተላለፍ ፍጥነት እና ዝግጅት እና ክሪስታል በይነ ገጽ ላይ gaseous አቶሞች መካከል ዝግጅት እና ዕድገት ሁነታ, ክሪስታል እድገት ፍጥነት እና ክሪስታል ጥራት ላይ ተጽዕኖ ይወስናል, ስለዚህ ስልታዊ የሙቀት መስክ ለመመስረት አስፈላጊ ነው. የመቆጣጠሪያ ቴክኖሎጂ.ከሲ ቁሶች ጋር ሲነፃፀር የሲሲ ምርት ልዩነት እንደ ከፍተኛ የሙቀት መጠን ion መትከል, ከፍተኛ ሙቀት ኦክሳይድ, ከፍተኛ ሙቀት መጨመር እና በእነዚህ ከፍተኛ የሙቀት ሂደቶች የሚያስፈልገው የሃርድ ጭንብል ሂደት ውስጥም ጭምር ነው.
ቀስ ብሎ ክሪስታል እድገት: የሲ ክሪስታል ዘንግ የእድገት ፍጥነት 30 ~ 150mm / h ሊደርስ ይችላል, እና 1-3m የሲሊኮን ክሪስታል ዘንግ ማምረት 1 ቀን ብቻ ይወስዳል;የሲሲ ክሪስታል ዘንግ ከ PVT ዘዴ ጋር እንደ ምሳሌ, የእድገቱ ፍጥነት ከ 0.2-0.4 ሚሜ / ሰ, ከ 3-6 ሴ.ሜ ያነሰ ለማደግ 7 ቀናት ነው, የእድገቱ መጠን ከሲሊኮን ቁሳቁስ ከ 1% ያነሰ ነው, የማምረት አቅሙ እጅግ በጣም ብዙ ነው. የተወሰነ.
ከፍተኛ ምርት መለኪያዎች እና ዝቅተኛ ምርት: SiC substrate ያለውን ዋና መለኪያዎች microtubule ጥግግት, መፈናቀል ጥግግት, resistivity, warpage, የገጽታ ሸካራነት, ወዘተ ያካትታሉ. ይህ ዝግ ከፍተኛ ሙቀት ክፍል ውስጥ አተሞች እና የተሟላ ክሪስታል እድገት ውስጥ አተሞች ዝግጅት ውስብስብ ሥርዓት ምሕንድስና ነው. የመለኪያ ኢንዴክሶችን በሚቆጣጠሩበት ጊዜ.
ቁሱ ከፍተኛ ጥንካሬ ፣ ከፍተኛ ስብራት ፣ ረጅም የመቁረጥ ጊዜ እና ከፍተኛ ድካም አለው፡ የ SiC Mohs ጥንካሬ 9.25 ከአልማዝ ቀጥሎ ሁለተኛ ነው ፣ ይህም የመቁረጥ ፣ የመፍጨት እና የመሳል ችግር ላይ ከፍተኛ ጭማሪ ያስከትላል እና ወደ 120 ሰዓታት ያህል ይወስዳል። ከ 3 ሴ.ሜ ውፍረት ያለው 35-40 ቁርጥራጮች ይቁረጡ.በተጨማሪም ፣ በሲሲ ከፍተኛ ስብራት ምክንያት ፣ የ wafer ማቀነባበሪያ ልብስ የበለጠ ይሆናል ፣ እና የውጤት ጥምርታ 60% ብቻ ነው።
የእድገት አዝማሚያ፡ የመጠን መጨመር + የዋጋ ቅነሳ
የአለም አቀፍ የሲሲ ገበያ ባለ 6 ኢንች ጥራዝ ምርት መስመር እየበሰለ ነው, እና መሪ ኩባንያዎች ወደ 8 ኢንች ገበያ ገብተዋል.የሀገር ውስጥ ልማት ፕሮጀክቶች በዋናነት 6 ኢንች ናቸው።በአሁኑ ወቅት አብዛኛዎቹ የሀገር ውስጥ ኩባንያዎች በ4 ኢንች የማምረቻ መስመሮች ላይ የተመሰረቱ ቢሆኑም፣ ኢንዱስትሪው ቀስ በቀስ ወደ 6 ኢንች በማደግ ላይ ያለ፣ ባለ 6 ኢንች ደጋፊ መሳሪያዎች ቴክኖሎጂ ብስለት፣ የሀገር ውስጥ የሲሲ ኮምፓክት ቴክኖሎጂም ቀስ በቀስ የኢኮኖሚውን እድገት እያሳደገ ነው። ከፍተኛ መጠን ያላቸው የምርት መስመሮች የሚንፀባረቁበት ሲሆን አሁን ያለው የአገር ውስጥ ባለ 6 ኢንች የጅምላ ምርት ጊዜ ልዩነት ወደ 7 ዓመታት ዝቅ ብሏል።ትልቁ የዋፈር መጠን የነጠላ ቺፖችን ብዛት እንዲጨምር፣ የምርት መጠንን ያሻሽላል እና የጠርዝ ቺፕስ መጠንን ይቀንሳል እንዲሁም የምርምር እና ልማት ወጪ እና የምርት ኪሳራ በ 7% አካባቢ ይቆያል ፣ በዚህም ዋፈርን ያሻሽላል። አጠቃቀም.
በመሳሪያ ዲዛይን ውስጥ አሁንም ብዙ ችግሮች አሉ
የ SiC diode የንግድ ልውውጥ ቀስ በቀስ እየተሻሻለ ነው, በአሁኑ ጊዜ, በርካታ የሀገር ውስጥ አምራቾች የ SiC SBD ምርቶችን ዲዛይን አድርገዋል, መካከለኛ እና ከፍተኛ የቮልቴጅ SiC SBD ምርቶች ጥሩ መረጋጋት አላቸው, በተሽከርካሪው OBC ውስጥ, የተረጋጋ ለመድረስ የ SiC SBD + SI IGBT አጠቃቀም. የአሁኑ እፍጋት.በአሁኑ ጊዜ በቻይና ውስጥ በሲሲሲ ኤስቢዲ ምርቶች የፓተንት ዲዛይን ውስጥ ምንም እንቅፋቶች የሉም, እና ከውጭ ሀገራት ጋር ያለው ልዩነት አነስተኛ ነው.
SiC MOS አሁንም ብዙ ችግሮች አሉበት፣ በሲሲ MOS እና በውጭ አገር አምራቾች መካከል አሁንም ክፍተት አለ፣ እና አግባብነት ያለው የማምረቻ መድረክ አሁንም በመገንባት ላይ ነው።በአሁኑ ጊዜ ST, Infineon, Rohm እና ሌሎች 600-1700V SiC MOS የጅምላ ምርት አግኝተው ከብዙ የማኑፋክቸሪንግ ኢንዱስትሪዎች ጋር ተፈራርመው ተልከዋል, አሁን ያለው የአገር ውስጥ የሲሲሲ MOS ንድፍ በመሠረቱ ተጠናቅቋል, በርካታ የንድፍ አምራቾች በፋብሎች እየሰሩ ነው. የዋፈር ፍሰት ደረጃ ፣ እና በኋላ የደንበኛ ማረጋገጫ አሁንም የተወሰነ ጊዜ ይፈልጋል ፣ ስለዚህ አሁንም ከትልቅ የንግድ ልውውጥ ረጅም ጊዜ አለ።
በአሁኑ ጊዜ የእቅድ አወቃቀሩ ዋናው ምርጫ ነው, እና የቦይ አይነት ለወደፊቱ በከፍተኛ ግፊት መስክ ውስጥ በሰፊው ጥቅም ላይ ይውላል.የፕላን መዋቅር የሲሲ ኤምኦኤስ አምራቾች ብዙ ናቸው, የፕላኔቱ መዋቅር ከጉድጓድ ጋር ሲነፃፀር የአካባቢያዊ ብልሽት ችግሮችን ለማምረት ቀላል አይደለም, የሥራውን መረጋጋት ይነካል, ከ 1200 ቮ በታች ባለው ገበያ ውስጥ ሰፊ የመተግበሪያ እሴት አለው, እና የእቅድ አወቃቀሩ በአንጻራዊነት ነው. በማኑፋክቸሪንግ መጨረሻ ላይ ቀላል, የማኑፋክቸሪንግ እና የዋጋ ቁጥጥር ሁለት ገጽታዎችን ለማሟላት.የግሩቭ መሳሪያው እጅግ በጣም ዝቅተኛ ጥገኛ ተውሳክ, ፈጣን የመቀያየር ፍጥነት, ዝቅተኛ ኪሳራ እና በአንጻራዊነት ከፍተኛ አፈፃፀም ጥቅሞች አሉት.
2--የሲሲ ዋፈር ዜና
የሲሊኮን ካርቦይድ ገበያ ምርት እና የሽያጭ ዕድገት, በአቅርቦት እና በፍላጎት መካከል መዋቅራዊ አለመመጣጠን ትኩረት ይስጡ
ለከፍተኛ ድግግሞሽ እና ከፍተኛ ኃይል ያለው የኤሌክትሮኒክስ ዕቃዎች የገበያ ፍላጎት በፍጥነት እያደገ በመምጣቱ በሲሊኮን ላይ የተመሰረቱ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች አካላዊ ገደብ ማነቆ ቀስ በቀስ ጎልቶ እየታየ ሲሆን የሶስተኛው ትውልድ ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁሶች በሲሊኮን ካርቦይድ (ሲሲ) ይወከላሉ ። ኢንደስትሪየለሽ መሆን።ከቁሳዊው የአፈፃፀም እይታ አንጻር ሲሊንኮን ካርበይድ የሲሊኮን ቁሳቁስ 3 እጥፍ የባንድ ክፍተት ስፋት አለው, 10 ጊዜ ወሳኝ ብልሽት የኤሌክትሪክ መስክ ጥንካሬ, 3 እጥፍ የሙቀት አማቂነት, ስለዚህ የሲሊኮን ካርቦይድ ሃይል መሳሪያዎች ለከፍተኛ ድግግሞሽ, ከፍተኛ ግፊት, ተስማሚ ናቸው. ከፍተኛ ሙቀት እና ሌሎች አፕሊኬሽኖች, የኃይል ኤሌክትሮኒክስ ስርዓቶችን ቅልጥፍና እና የኃይል ጥንካሬን ለማሻሻል ይረዳሉ.
በአሁኑ ጊዜ, SiC ዳዮዶች እና SiC MOSFETs ቀስ በቀስ ወደ ገበያ ተንቀሳቅሷል, እና ተጨማሪ የበሰሉ ምርቶች አሉ, ይህም መካከል SiC ዳዮዶች በግልባጭ ማግኛ ክፍያ ጥቅም ስለሌላቸው በአንዳንድ መስኮች ሲሊከን-ተኮር ዳዮዶች ይልቅ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላሉ;SiC MOSFET እንዲሁ ቀስ በቀስ በአውቶሞቲቭ ፣ በኃይል ማከማቻ ፣ በኃይል መሙያ ፣ በፎቶቮልታይክ እና በሌሎች መስኮች ጥቅም ላይ ይውላል ።በአውቶሞቲቭ አፕሊኬሽኖች መስክ ፣ የሞዱላራይዜሽን አዝማሚያ ከጊዜ ወደ ጊዜ እየጨመረ መጥቷል ፣ የ SiC የላቀ አፈፃፀም ለማሳካት በተራቀቁ የማሸጊያ ሂደቶች ላይ መታመን አለበት ፣ በቴክኒካዊ በአንፃራዊነት የበሰለ ዛጎል እንደ ዋና ፣ ወደፊት ወይም ወደ ፕላስቲክ ማሸግ ልማት። , የተበጁ የእድገት ባህሪያት ለሲሲ ሞጁሎች የበለጠ ተስማሚ ናቸው.
የሲሊኮን ካርቦይድ ዋጋ ማሽቆልቆል ፍጥነት ወይም ከማሰብ በላይ
የሲሊኮን ካርቦይድ መሳሪያዎች አተገባበር በዋናነት በከፍተኛ ወጪ የተገደበ ነው, በተመሳሳይ ደረጃ የሲሲ MOSFET ዋጋ ከሲ የተመሰረተ IGBT በ 4 እጥፍ ከፍ ያለ ነው, ይህ የሆነበት ምክንያት የሲሊኮን ካርቦይድ ሂደት ውስብስብ ነው, በዚህ ውስጥ የእድገት እድገት ነጠላ ክሪስታል እና ኤፒታክሲያል በአካባቢው ላይ ከባድ ብቻ ሳይሆን የእድገቱ ፍጥነትም አዝጋሚ ነው, እና ነጠላ ክሪስታል ማቀነባበሪያ ወደ ንጣፉ ውስጥ የመቁረጥ እና የማጥራት ሂደትን ማለፍ አለበት.በእራሱ የቁሳቁስ ባህሪያት እና ያልበሰለ የማቀነባበሪያ ቴክኖሎጂ ላይ በመመስረት, የአገር ውስጥ ምርት ምርት ከ 50% ያነሰ ነው, እና የተለያዩ ምክንያቶች ወደ ከፍተኛ ንጣፎች እና ኤፒታክሲያል ዋጋዎች ይመራሉ.
ይሁን እንጂ, ሲሊከን carbide መሣሪያዎች እና ሲሊከን ላይ የተመሠረቱ መሣሪያዎች ወጪ ስብጥር diametrically ተቃራኒ ነው, የፊት ሰርጥ ያለውን substrate እና epitaxial ወጪዎች 47% እና መላው መሣሪያ በቅደም 23%, ስለ 70% በድምሩ, መሣሪያው ንድፍ, የማምረት. እና የኋላ ሰርጥ ማኅተም አገናኞች 30% ብቻ ነው, ሲሊከን ላይ የተመሠረቱ መሣሪያዎች ምርት ዋጋ በዋነኝነት ጀርባ ሰርጥ ስለ 50% ያለውን wafer በማኑፋክቸሪንግ ላይ ያተኮረ ነው, እና substrate ወጪ ብቻ 7% ነው.የሲሊኮን ካርቦዳይድ ኢንደስትሪ ሰንሰለት ዋጋ ክስተት ወደላይ ወደላይ የሚሄዱ የኤፒታክሲ አምራቾች የመናገር ዋና መብት አላቸው ማለት ነው ይህም የሀገር ውስጥ እና የውጭ ኢንተርፕራይዞች አቀማመጥ ቁልፍ ነው.
በገበያ ላይ ካለው ተለዋዋጭ እይታ አንጻር የሲሊኮን ካርቦይድ ወጪን በመቀነስ, የሲሊኮን ካርቦይድ ረጅም ክሪስታል እና የመቁረጫ ሂደትን ከማሻሻል በተጨማሪ, የ wafer መጠንን ማስፋፋት ነው, ይህም ባለፈው ጊዜ የሴሚኮንዳክተር ልማት የበሰለ መንገድ ነው. የቮልፍስፔድ መረጃ እንደሚያሳየው የሲሊኮን ካርቦይድ ንጥረ ነገር ከ 6 ኢንች ወደ 8 ኢንች አሻሽሏል, ብቁ የሆነ ቺፕ ማምረት በ 80% -90% ሊጨምር እና ምርቱን ለማሻሻል ይረዳል.የተዋሃደውን ክፍል ዋጋ በ 50% ሊቀንስ ይችላል.
2023 "8-ኢንች SiC የመጀመሪያ ዓመት" በመባል ይታወቃል, በዚህ ዓመት, የአገር ውስጥ እና የውጭ ሲሊከን carbide አምራቾች እንደ 14.55 ሲሊከን carbide ምርት ማስፋፊያ ቢሊዮን የአሜሪካ ዶላር እንደ Wolfspeed እብድ ኢንቨስትመንት እንደ 8-ኢንች ሲሊከን carbide, ያለውን አቀማመጥ በማፋጠን ላይ ናቸው. የ 8 ኢንች የሲሲ ኮምፓክት ማምረቻ ፋብሪካ ግንባታ አስፈላጊው አካል ለወደፊቱ የ 200 ሚሜ ሲሲ ባዶ ብረት ለበርካታ ኩባንያዎች አቅርቦትን ለማረጋገጥ;የሀገር ውስጥ Tianyue Advanced እና Tianke Heda ለወደፊቱ ባለ 8 ኢንች የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንኡስ እቃዎች ለማቅረብ ከኢንፊኔዮን ጋር የረጅም ጊዜ ስምምነት ተፈራርመዋል።
ከዚህ አመት ጀምሮ ሲሊከን ካርባይድ ከ6 ኢንች እስከ 8 ኢንች ያፋጥናል፣ Wolfspeed በ2024፣ በ 2022 የ 6 ኢንች substrate ካለው አሃድ ቺፕ ዋጋ ጋር ሲነፃፀር የ 8 ኢንች ቺፑ ዋጋ ከ60% በላይ እንደሚቀንስ Wolfspeed ይጠብቃል። , እና የወጪ ማሽቆልቆሉ የመተግበሪያውን ገበያ የበለጠ እንደሚከፍት, Ji Bond Consulting የምርምር መረጃ አመልክቷል.አሁን ያለው የ8 ኢንች ምርቶች የገበያ ድርሻ ከ2 በመቶ በታች ሲሆን የገበያ ድርሻው በ2026 ወደ 15 በመቶ ገደማ እንደሚያድግ ይጠበቃል።
በእርግጥ የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ ዋጋ ማሽቆልቆሉ ከብዙ ሰዎች ሀሳብ ሊበልጥ ይችላል ፣ አሁን ያለው የገበያ አቅርቦት ባለ 6 ኢንች ንጣፍ 4000-5000 ዩዋን / ቁራጭ ነው ፣ ከአመቱ መጀመሪያ ጋር ሲነፃፀር በጣም ወድቋል ፣ በሚቀጥለው ዓመት ከ 4000 ዩዋን በታች ይወድቃል ተብሎ ይጠበቃል ፣ አንዳንድ አምራቾች የመጀመሪያውን ገበያ ለማግኘት የሽያጭ ዋጋን ወደ ዋጋ መስመር ዝቅ እንዳደረጉ ልብ ሊባል ይገባል ፣ የዋጋ ጦርነትን ሞዴል ከፍቷል ፣ በዋነኝነት በሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ውስጥ ያተኮረ ነው። በዝቅተኛ-ቮልቴጅ መስክ አቅርቦት በአንፃራዊነት በቂ ነው፣ የሀገር ውስጥ እና የውጭ አምራቾች የማምረት አቅምን በከፍተኛ ሁኔታ እያሳደጉ ነው፣ ወይም የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ ከመጠን በላይ አቅርቦትን ከተገመተው ቀድመው ይተዉት።
የልጥፍ ጊዜ: ጥር-19-2024