SiC MOSFET፣ 2300 ቮልት

እ.ኤ.አ. በ 26 ኛው ፣ ፓወር ኩብ ሴሚ የደቡብ ኮሪያ የመጀመሪያ 2300V SiC (ሲሊኮን ካርቦይድ) MOSFET ሴሚኮንዳክተር ስኬታማ እድገትን አስታውቋል።

አሁን ካለው ሲ (ሲሊኮን) ላይ ከተመሠረቱ ሴሚኮንዳክተሮች ጋር ሲወዳደር ሲሲ (ሲሊኮን ካርቦይድ) ከፍተኛ ቮልቴጅን ይቋቋማል፣ ስለዚህም የኃይል ሴሚኮንዳክተሮችን ወደፊት የሚመራ ቀጣዩ ትውልድ መሣሪያ ተብሎ ይወደሳል።እንደ የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች መስፋፋት እና በአርቴፊሻል ኢንተለጀንስ የሚነዱ የመረጃ ማእከላት መስፋፋትን የመሳሰሉ ዘመናዊ ቴክኖሎጂዎችን ለማስተዋወቅ የሚያስፈልገው ወሳኝ አካል ሆኖ ያገለግላል።

አስድ

Power Cube Semi የኃይል ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን በሶስት ዋና ዋና ክፍሎች የሚያዘጋጅ ተረት ኩባንያ ነው፡ ሲሲ (ሲሊኮን ካርቦይድ)፣ ሲ (ሲሊኮን) እና ጋ2O3 (ጋሊየም ኦክሳይድ)።በቅርቡ ኩባንያው ለሴሚኮንዳክተር ዲዛይን እና ቴክኖሎጂ እውቅና በማግኘቱ ከፍተኛ አቅም ያለው ሾትኪ ባሪየር ዳዮድስ (ኤስቢዲ) በቻይና ለሚገኘው ዓለም አቀፍ የኤሌክትሪክ ተሸከርካሪ ኩባንያ አመልክቶ ሸጧል።

የ 2300V SiC MOSFET መለቀቅ በደቡብ ኮሪያ ውስጥ የመጀመሪያው እንደዚህ ዓይነት የልማት ጉዳይ ትኩረት የሚስብ ነው።በጀርመን የሚገኘው ኢንፊኔዮን የተሰኘው አለምአቀፍ የሀይል ሴሚኮንዳክተር ኩባንያም የ2000V ምርቱን በመጋቢት ወር መጀመሩን አስታውቋል፣ነገር ግን ያለ 2300V ምርት መስመር።

የ TO-247PLUS-4-HCC ጥቅልን በመጠቀም የ Infineon 2000V CoolSiC MOSFET በዲዛይነሮች መካከል ያለውን የኃይል መጠጋጋት ፍላጐትን ያሟላል ፣ ይህም በከፍተኛ-ቮልቴጅ እና በተለዋዋጭ ድግግሞሽ ሁኔታዎች ውስጥ እንኳን የስርዓት አስተማማኝነትን ያረጋግጣል።

የCoolSiC MOSFET ከፍተኛ ቀጥተኛ የአሁኑ የአገናኝ ቮልቴጅ ያቀርባል፣ ይህም የአሁኑን ሳይጨምር የኃይል መጨመር ያስችላል።የ TO-247PLUS-4-HCC ጥቅልን በ14 ሚሜ ርቀት እና 5.4 ሚሜ ርቀት በመጠቀም በገበያ ላይ የመጀመሪያው discrete የሲሊኮን ካርቦዳይድ መሳሪያ በ 2000V ብልሽት ቮልቴጅ ነው።እነዚህ መሳሪያዎች ዝቅተኛ የመቀያየር ኪሳራዎችን ያመለክታሉ እና እንደ የፀሀይ ገመድ ኢንቬንተሮች፣ የኢነርጂ ማከማቻ ስርዓቶች እና የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ መሙላት ላሉ መተግበሪያዎች ተስማሚ ናቸው።

የCoolSiC MOSFET 2000V ምርት ተከታታይ ለከፍተኛ-ቮልቴጅ የዲሲ አውቶቡስ ስርዓቶች እስከ 1500V ዲሲ ተስማሚ ነው።ከ1700V SiC MOSFET ጋር ሲነጻጸር ይህ መሳሪያ ለ1500V DC ሲስተሞች በቂ የትርፍ ህዳግ ያቀርባል።CoolSiC MOSFET የ 4.5V የመነሻ ቮልቴጅ ያቀርባል እና ለጠንካራ መጓጓዣ በጠንካራ የሰውነት ዳዮዶች የታጠቁ ነው።በ .XT ግንኙነት ቴክኖሎጂ, እነዚህ ክፍሎች በጣም ጥሩ የሙቀት አፈፃፀም እና ጠንካራ የእርጥበት መከላከያ ይሰጣሉ.

ከ2000V CoolSiC MOSFET በተጨማሪ፣ Infineon በTO-247PLUS 4-pin እና TO-247-2 ፓኬጆች በ2024 ሶስተኛው ሩብ እና በ2024 የመጨረሻ ሩብ ውስጥ በቅርቡ ተጨማሪ CoolSiC ዳዮዶችን ይጀምራል።እነዚህ ዳዮዶች በተለይ ለፀሃይ አፕሊኬሽኖች ተስማሚ ናቸው.የሚዛመደው የበር ሾፌር ምርት ጥምረትም ይገኛል።

የCoolSiC MOSFET 2000V ምርት ተከታታይ አሁን በገበያ ላይ ይገኛል።በተጨማሪም፣ Infineon ተስማሚ የግምገማ ሰሌዳዎችን ያቀርባል፡ EVAL-COOLSIC-2KVHCC።ገንቢዎች ሁሉንም CoolSiC MOSFETs እና ዳዮዶች በ2000V እንዲሁም EiceDRIVER የታመቀ ነጠላ ቻናል ማግለል በር ሾፌር 1ED31xx ምርት ተከታታይ ባለሁለት-pulse ወይም ቀጣይነት PWM ክወና ለመገምገም ይህን ቦርድ እንደ ትክክለኛ አጠቃላይ የሙከራ መድረክ ሊጠቀሙበት ይችላሉ።

የፓወር ኩብ ሰሚ ዋና የቴክኖሎጂ ኦፊሰር ጉንግ ሺን ሱ እንዳሉት፣ “በ1700V SiC MOSFETs ልማት እና የጅምላ ምርት ልምዳችንን ወደ 2300V ማሳደግ ችለናል።


የልጥፍ ሰዓት፡- ኤፕሪል-08-2024