ሲሲ
-
12 ኢንች SIC substrate ሲሊከን ካርቦይድ ዋና ደረጃ ዲያሜትር 300mm ትልቅ መጠን 4H-N ለከፍተኛ ኃይል መሣሪያ ሙቀት መበታተን ተስማሚ
-
8 ኢንች ሲሲሲ ሲሊከን ካርቦዳይድ ዋፈር 4H-N አይነት 0.5ሚሜ የምርት ደረጃ የምርምር ደረጃ ብጁ የተጣራ ንጣፍ
-
HPSI SiC ዋፈር ዲያ፡3 ኢንች ውፍረት፡350um± 25 µm ለኃይል ኤሌክትሮኒክስ
-
3ኢንች ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱሌቲንግ (HPSI) የሲሲ ዋፈር 350um ዱሚ ክፍል ፕራይም ደረጃ
-
የፒ-አይነት የሲሲ ንኡስ ክፍል ሲሲ ዋፈር Dia2inch አዲስ ምርት
-
8ኢንች 200ሚሜ ሲሊኮን ካርቦይድ ሲሲ ዋፈርስ 4H-N አይነት የምርት ደረጃ 500um ውፍረት
-
2ኢንች 6H-N የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ሲክ ዋፈር ድርብ የተወለወለ መሪ ዋና ደረጃ ከፍተኛ ደረጃ
-
HPSI SiC Wafer ≥90% ማስተላለፊያ ኦፕቲካል ደረጃ ለ AI/AR መነጽር
-
ከፊል-ኢንሱላር ሲሊኮን ካርቦይድ (ሲሲ) ከፍተኛ-ንፅህና ለ ar ብርጭቆዎች
-
4H-Sic Epitaxial Wafers ለአልትራ-ከፍተኛ ቮልቴጅ MOSFETs (100-500 μm፣ 6 ኢንች)
-
SICOI (ሲሊኮን ካርቦይድ በኢንሱሌተር ላይ) Wafers SiC ፊልም በሲሊኮን ላይ
-
የሲሊኮን ካርቦይድ (ሲሲ) ነጠላ-ክሪስታል ንጣፍ - 10 × 10 ሚሜ ዋፈር