SiC silicon carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI(ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱሌሽን) 4H/6H-P 3C -n አይነት 2 3 4 6 8ኢንች ይገኛል

አጭር መግለጫ፡-

በላቁ የኦፕቶኤሌክትሮኒክስ፣ የሃይል መሳሪያዎች እና ከፍተኛ ሙቀት አከባቢዎች ውስጥ ለትግበራ ምቹ በሆኑት በ N-type 4H-N እና 6H-N wafers ላይ ልዩ ትኩረት በማድረግ ከፍተኛ ጥራት ያላቸውን የሲሲ (ሲሊኮን ካርቦይድ) ዋይፋሪዎችን እናቀርባለን። . እነዚህ የኤን-አይነት ዋይፎች በልዩ የሙቀት አማቂነት፣ በኤሌክትሪካዊ መረጋጋት እና በሚያስደንቅ ጥንካሬ ይታወቃሉ፣ ይህም እንደ ሃይል ኤሌክትሮኒክስ፣ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ ድራይቭ ሲስተምስ፣ ታዳሽ ሃይል ኢንቬንተሮች እና የኢንዱስትሪ ሃይል አቅርቦቶች ላሉ ከፍተኛ አፈጻጸም አፕሊኬሽኖች ፍጹም ያደርጋቸዋል። ከኤን-አይነት አቅርቦቶቻችን በተጨማሪ የP-type 4H/6H-P እና 3C SiC wafers ለልዩ ፍላጎቶች ከፍተኛ ድግግሞሽ እና RF መሳሪያዎችን እና እንዲሁም የፎቶኒክ አፕሊኬሽኖችን እናቀርባለን። የእኛ ዋይፋሪዎች ከ 2 ኢንች እስከ 8 ኢንች ባለው መጠን ይገኛሉ, እና የተለያዩ የኢንዱስትሪ ዘርፎች ልዩ መስፈርቶችን ለማሟላት የተጣጣሙ መፍትሄዎችን እናቀርባለን. ለተጨማሪ ዝርዝሮች ወይም ጥያቄዎች እባክዎ እኛን ለማነጋገር ነፃነት ይሰማዎ።


የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

ንብረቶች

4H-N እና 6H-N (N-type SiC Wafers)

ማመልከቻ፡-በዋናነት በሃይል ኤሌክትሮኒክስ፣ ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ እና ከፍተኛ ሙቀት አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል።

ዲያሜትር ክልል፡ከ 50.8 ሚሜ እስከ 200 ሚ.ሜ.

ውፍረት፡350 μm ± 25 μm, የአማራጭ ውፍረት 500 μm ± 25 μm.

የመቋቋም ችሎታ;N-type 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω · ሴሜ (Z-grade), ≤ 0.3 Ω · ሴሜ (P-grade); N-አይነት 3C-N፡ ≤ 0.8 mΩ · ሴሜ (Z-grade)፣ ≤ 1 mΩ · ሴሜ (P-grade)።

ሸካራነት፡ራ ≤ 0.2 nm (ሲኤምፒ ወይም ኤምፒ)።

የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት (MPD)፦<1 ea/ሴሜ²።

ቲቲቪ፡ ≤ 10 μm ለሁሉም ዲያሜትሮች።

ዋርፕ፡ ≤ 30 μm (≤ 45 μm ለ 8-ኢንች ዋፍሮች)።

የጠርዝ ማግለል፡ከ 3 ሚሊ ሜትር እስከ 6 ሚሜ እንደ ዋፈር ዓይነት ይወሰናል.

ማሸግ፡ባለብዙ-ዋፈር ካሴት ወይም ነጠላ የሱፍ መያዣ።

ኦተር የሚገኝ መጠን 3 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች 8 ኢንች

HPSI (ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱላር ሲሲ ዋይፈርስ)

ማመልከቻ፡-እንደ RF መሳሪያዎች፣ የፎቶኒክ አፕሊኬሽኖች እና ዳሳሾች ላሉ መሳሪያዎች ከፍተኛ የመቋቋም እና የተረጋጋ አፈጻጸም ለሚፈልጉ መሳሪያዎች ያገለግላል።

ዲያሜትር ክልል፡ከ 50.8 ሚሜ እስከ 200 ሚ.ሜ.

ውፍረት፡መደበኛ ውፍረት 350 μm ± 25 μm ከምርጫዎቹ ጋር እስከ 500 μm ጥቅጥቅ ያሉ ዋፍሮች።

ሸካራነት፡ራ ≤ 0.2 nm.

የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት (MPD)፦ ≤ 1 ኢአ/ሴሜ²።

የመቋቋም ችሎታ;ከፍተኛ የመቋቋም ችሎታ ፣ በተለይም በከፊል መከላከያ ትግበራዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል።

ዋርፕ፡ ≤ 30 μm (ለአነስተኛ መጠኖች)፣ ≤ 45 μm ለትላልቅ ዲያሜትሮች።

ቲቲቪ፡ ≤ 10 μm

ኦተር የሚገኝ መጠን 3 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች 8 ኢንች

4H-P,6 ኤች-ፒ&3C ሲሲ ዋፈር(P-type SiC Wafers)

ማመልከቻ፡-በዋናነት ለኃይል እና ለከፍተኛ ድግግሞሽ መሳሪያዎች.

ዲያሜትር ክልል፡ከ 50.8 ሚሜ እስከ 200 ሚ.ሜ.

ውፍረት፡350 μm ± 25 μm ወይም ብጁ አማራጮች።

የመቋቋም ችሎታ;ፒ-አይነት 4H/6H-P፡ ≤ 0.1 Ω · ሴሜ (Z-grade)፣ ≤ 0.3 Ω · ሴሜ (P-grade)።

ሸካራነት፡ራ ≤ 0.2 nm (ሲኤምፒ ወይም ኤምፒ)።

የማይክሮ ፓይፕ ትፍገት (MPD)፦<1 ea/ሴሜ²።

ቲቲቪ፡ ≤ 10 μm

የጠርዝ ማግለል፡ከ 3 ሚሜ እስከ 6 ሚሜ.

ዋርፕ፡ ≤ 30 μm ለአነስተኛ መጠኖች፣ ≤ 45 μm ለትላልቅ መጠኖች።

ኦተር የሚገኝ መጠን 3 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች5×5 10×10

ከፊል የውሂብ መለኪያዎች ሰንጠረዥ

ንብረት

2 ኢንች

3 ኢንች

4 ኢንች

6 ኢንች

8 ኢንች

ዓይነት

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-ሴሚ

ዲያሜትር

50.8 ± 0.3 ሚሜ

76.2 ± 0.3 ሚሜ

100 ± 0.3 ሚሜ

150 ± 0.3 ሚሜ

200 ± 0.3 ሚሜ

ውፍረት

330 ± 25 ኤም

350 ± 25 ኤም

350 ± 25 ኤም

350 ± 25 ኤም

350 ± 25 ኤም

350± 25um;

500± 25um

500± 25um

500± 25um

500± 25um

ወይም ብጁ የተደረገ

ወይም ብጁ የተደረገ

ወይም ብጁ የተደረገ

ወይም ብጁ የተደረገ

ወይም ብጁ የተደረገ

ሸካራነት

ራ ≤ 0.2nm

ራ ≤ 0.2nm

ራ ≤ 0.2nm

ራ ≤ 0.2nm

ራ ≤ 0.2nm

ዋርፕ

≤ 30 ሚ

≤ 30 ሚ

≤ 30 ሚ

≤ 30 ሚ

≤45um

ቲቲቪ

≤ 10 ሚ

≤ 10 ሚ

≤ 10 ሚ

≤ 10 ሚ

≤ 10 ሚ

ጭረት/መቆፈር

ሲኤምፒ/ኤምፒ

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

ቅርጽ

ክብ ፣ ጠፍጣፋ 16 ሚሜ;የOF ርዝመት 22 ሚሜ; የ 30/32.5 ሚሜ ርዝመት; ርዝመት 47.5 ሚሜ; NOTCH; NOTCH;

ቤቭል

45 °, ሴሚአይ Spec; ሐ ቅርጽ

 ደረጃ

የምርት ደረጃ ለ MOS & SBD; የምርምር ደረጃ; ዱሚ ግሬድ፣የዘር ዋፈር ደረጃ

አስተያየቶች

ዲያሜትር ፣ ውፍረት ፣ አቀማመጥ ፣ ከላይ ያሉት ዝርዝሮች በጥያቄዎ መሠረት ሊበጁ ይችላሉ።

 

መተግበሪያዎች

·የኃይል ኤሌክትሮኒክስ

ከፍተኛ የቮልቴጅ እና ከፍተኛ አሁኑን የመቆጣጠር ችሎታ ስላላቸው የ N አይነት ሲሲ ዋይፍ በሃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ውስጥ ወሳኝ ናቸው። እንደ ታዳሽ ኢነርጂ፣ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች እና የኢንዱስትሪ አውቶማቲክ ላሉ ኢንዱስትሪዎች በኃይል መቀየሪያ፣ ኢንቬንተሮች እና ሞተር ድራይቮች ውስጥ በብዛት ጥቅም ላይ ይውላሉ።

· ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ
N አይነት የሲሲ ቁሳቁሶች፣ በተለይም ለኦፕቶኤሌክትሮኒካዊ አፕሊኬሽኖች፣ እንደ ብርሃን አመንጪ ዳዮዶች (LEDs) እና ሌዘር ዳዮዶች ባሉ መሳሪያዎች ውስጥ ተቀጥረዋል። የእነሱ ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ እና ሰፊ ባንድ ክፍተት ከፍተኛ አፈፃፀም ላላቸው የኦፕቲካል መሳሪያዎች ተስማሚ ያደርጋቸዋል.

·ከፍተኛ ሙቀት መተግበሪያዎች
4H-N 6H-N SiC wafers ከፍተኛ ሙቀት ላለው አካባቢ እንደ ሴንሰሮች እና የሃይል መሳሪያዎች በኤሮስፔስ ፣ በአውቶሞቲቭ እና በኢንዱስትሪ አፕሊኬሽኖች ውስጥ የሙቀት መበታተን እና ከፍ ባለ የሙቀት መጠን መረጋጋት በጣም አስፈላጊ ናቸው ።

·RF መሳሪያዎች
4H-N 6H-N SiC wafers በከፍተኛ ድግግሞሽ ክልሎች ውስጥ በሚሰሩ የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) መሳሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ። ከፍተኛ የሃይል ቅልጥፍና እና አፈፃፀም በሚያስፈልግበት በመገናኛ ስርዓቶች, በራዳር ቴክኖሎጂ እና በሳተላይት ግንኙነቶች ውስጥ ይተገበራሉ.

·የፎቶኒክ መተግበሪያዎች
በፎቶኒክስ ውስጥ፣ SiC wafers እንደ ፎቶ ዳሳሾች እና ሞዱላተሮች ላሉ መሳሪያዎች ጥቅም ላይ ይውላሉ። የቁሳቁስ ልዩ ባህሪያት በብርሃን ማመንጨት, ማሻሻያ እና በኦፕቲካል ኮሙኒኬሽን ስርዓቶች እና ኢሜጂንግ መሳሪያዎች ውስጥ ውጤታማ እንዲሆን ያስችለዋል.

·ዳሳሾች
የሲሲ ዋይፈሮች በተለያዩ ሴንሰር አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ፣ በተለይም ሌሎች ቁሳቁሶች ሊሳኩ በሚችሉበት አስቸጋሪ አካባቢዎች። እነዚህ እንደ አውቶሞቲቭ፣ ዘይት እና ጋዝ፣ እና የአካባቢ ክትትል ባሉ መስኮች አስፈላጊ የሆኑትን የሙቀት፣ ግፊት እና ኬሚካላዊ ዳሳሾች ያካትታሉ።

·የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ ድራይቭ ስርዓቶች
የሲሲ ቴክኖሎጂ የማሽከርከር ስርዓቶችን ቅልጥፍና እና አፈፃፀም በማሻሻል በኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች ውስጥ ትልቅ ሚና ይጫወታል. በሲሲ ሃይል ሴሚኮንዳክተሮች፣ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች የተሻለ የባትሪ ህይወት፣ ፈጣን የኃይል መሙያ ጊዜ እና የላቀ የኢነርጂ ብቃትን ማሳካት ይችላሉ።

·የላቀ ዳሳሾች እና የፎቶኒክ መለወጫዎች
በላቁ ሴንሰር ቴክኖሎጂዎች ውስጥ፣ SiC wafers በሮቦቲክስ፣ በህክምና መሳሪያዎች እና በአከባቢ ቁጥጥር ውስጥ ላሉት መተግበሪያዎች ከፍተኛ ትክክለኛ ዳሳሾችን ለመፍጠር ያገለግላሉ። በፎቶኒክ መቀየሪያዎች ውስጥ፣ የSIC ንብረቶች በቴሌኮሙኒኬሽን እና በከፍተኛ ፍጥነት ያለው የኢንተርኔት መሠረተ ልማት ውስጥ ወሳኝ የሆነውን የኤሌክትሪክ ኃይልን ወደ ኦፕቲካል ሲግናሎች በብቃት ለመቀየር ጥቅም ላይ ይውላሉ።

ጥያቄ እና መልስ

Qበ 4H SiC ውስጥ 4H ምንድን ነው?
A:"4H" በ 4H SiC የሲሊኮን ካርቦዳይድ ክሪስታል መዋቅርን በተለይም ባለ ስድስት ጎን ቅርፅን ከአራት ንብርብሮች (H) ጋር ያመለክታል። የ"H" ባለ ስድስት ጎን ፖሊታይፕ አይነትን ያመላክታል፣ይህም እንደ 6H ወይም 3C ካሉ ሌሎች የሲሲ ፖሊታይፕ ዓይነቶች ይለያል።

Qየ 4H-SiC የሙቀት መቆጣጠሪያ ምንድነው?
Aየ 4H-SiC (Silicon Carbide) የሙቀት መጠን በክፍል ሙቀት በግምት 490-500 W/m·K ነው። ይህ ከፍተኛ የሙቀት ማስተላለፊያ (thermal conductivity) ብቃት ያለው ሙቀት መሟጠጥ ወሳኝ በሆነበት በኤሌክትሪክ ኃይል ኤሌክትሮኒክስ እና ከፍተኛ ሙቀት ባለው አካባቢ ውስጥ ለትግበራዎች ተስማሚ ያደርገዋል።


  • ቀዳሚ፡
  • ቀጣይ፡-

  • መልእክትህን እዚህ ጻፍ እና ላኩልን።