SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-Semi 6H-Semi 4H-P 6H-P 3C አይነት 2ኢንች 3ኢንች 4ኢንች 6ኢንች 8ኢንች

አጭር መግለጫ፡

ከፍተኛ ጥራት ያላቸውን የሲሲ (ሲሊከን ካርባይድ) ዋፈርዎችን እናቀርባለን፣ በተለይም በN-type 4H-N እና 6H-N ዋፈርዎች ላይ ያተኩራል፣ እነዚህም በተራቀቁ ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ፣ የኃይል መሳሪያዎች እና ከፍተኛ የሙቀት መጠን አካባቢዎች ውስጥ ለመጠቀም ተስማሚ ናቸው። እነዚህ የN-type ዋፈርዎች በልዩ የሙቀት ማስተላለፊያ፣ በሚያስደንቅ የኤሌክትሪክ መረጋጋት እና በሚያስደንቅ ዘላቂነት የሚታወቁ ሲሆኑ እንደ የኃይል ኤሌክትሮኒክስ፣ የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ ድራይቭ ስርዓቶች፣ ታዳሽ የኃይል ኢንቨርተሮች እና የኢንዱስትሪ የኃይል አቅርቦቶች ላሉ ከፍተኛ አፈጻጸም ላላቸው አፕሊኬሽኖች ፍጹም ያደርጋቸዋል። ከN-type አቅርቦቶቻችን በተጨማሪ፣ ለከፍተኛ ድግግሞሽ እና ለRF መሳሪያዎች እንዲሁም ለፎቶኒክ አፕሊኬሽኖች ጨምሮ ለልዩ ፍላጎቶች የP-type 4H/6H-P እና 3C SiC ዋፈርዎችን እናቀርባለን። ዋፈርዎቻችን ከ2 ኢንች እስከ 8 ኢንች ባለው መጠን ይገኛሉ፣ እና የተለያዩ የኢንዱስትሪ ዘርፎችን ልዩ መስፈርቶች ለማሟላት የተበጁ መፍትሄዎችን እናቀርባለን። ለተጨማሪ ዝርዝሮች ወይም ጥያቄዎች እባክዎን እኛን ለማግኘት ነፃነት ይሰማዎ።

ኢሜይል ይላኩልን

ባህሪያት

ንብረቶች

4H-N እና 6H-N (N-type SiC Wafers)

ማመልከቻ፡በዋናነት በኃይል ኤሌክትሮኒክስ፣ በኦፕቶኤሌክትሮኒክስ እና በከፍተኛ ሙቀት አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል።

የዲያሜትር ክልል፡ከ50.8 ሚሜ እስከ 200 ሚሜ።

ውፍረት፡350 μm ± 25 μm፣ አማራጭ ውፍረት 500 μm ± 25 μm።

የመቋቋም ችሎታ፡N-አይነት 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·ሴሜ (Z-ደረጃ)፣ ≤ 0.3 Ω·ሴሜ (P-ደረጃ)፤ N-አይነት 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·ሴሜ (Z-ደረጃ)፣ ≤ 1 mΩ·ሴሜ (P-ደረጃ)።

ሸካራነት፡ራ ≤ 0.2 nm (CMP ወይም MP)።

የማይክሮፓይፕ ጥግግት (MPD):< 1 ኤ/ሴሜ²።

ቲቲቪ፡ ለሁሉም ዲያሜትሮች ≤ 10 μm።

ዋርፍ፡ ≤ 30 μm (ለ8 ኢንች ዋፈር ≤ 45 μm)።

የጠርዝ ማግለል፡እንደ ዋፈር አይነት ከ3 ሚሜ እስከ 6 ሚሜ።

ማሸጊያ፡ባለብዙ-ዋፈር ካሴት ወይም ነጠላ ዋፈር መያዣ።

ኦህተር የሚገኝ መጠን 3 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች 8 ኢንች

HPSI (ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱላይትድ ሲሲ ዋፈርስ)

ማመልከቻ፡እንደ RF መሳሪያዎች፣ የፎቶኒክ አፕሊኬሽኖች እና ዳሳሾች ያሉ ከፍተኛ የመቋቋም እና የተረጋጋ አፈፃፀም ለሚፈልጉ መሳሪያዎች ጥቅም ላይ ይውላል።

የዲያሜትር ክልል፡ከ50.8 ሚሜ እስከ 200 ሚሜ።

ውፍረት፡እስከ 500 μm የሚደርሱ ወፍራም ዋፈርዎችን ለመምረጥ አማራጮች ያሉት 350 μm ± 25 μm መደበኛ ውፍረት።

ሸካራነት፡ራ ≤ 0.2 nm.

የማይክሮፓይፕ ጥግግት (MPD): ≤ 1 ኤ/ሴሜ²።

የመቋቋም ችሎታ፡ከፍተኛ የመቋቋም ችሎታ፣ በተለምዶ ከፊል-ኢንሱሌሽን አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውል።

ዋርፍ፡ ≤ 30 μm (ለትንሽ መጠኖች)፣ ለትላልቅ ዲያሜትሮች ≤ 45 μm።

ቲቲቪ፡ ≤ 10 μm.

ኦህተር የሚገኝ መጠን 3 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች 8 ኢንች

4H-P、6H-P&3C የሲሲ ዋፈር(የፒ-አይነት SiC ዋፈርስ)

ማመልከቻ፡በዋናነት ለኃይል እና ለከፍተኛ ድግግሞሽ መሳሪያዎች።

የዲያሜትር ክልል፡ከ50.8 ሚሜ እስከ 200 ሚሜ።

ውፍረት፡350 μm ± 25 μm ወይም ብጁ አማራጮች።

የመቋቋም ችሎታ፡የፒ-አይነት 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·ሴሜ (Z-ደረጃ)፣ ≤ 0.3 Ω·ሴሜ (P-ደረጃ)።

ሸካራነት፡ራ ≤ 0.2 nm (CMP ወይም MP)።

የማይክሮፓይፕ ጥግግት (MPD):< 1 ኤ/ሴሜ²።

ቲቲቪ፡ ≤ 10 μm.

የጠርዝ ማግለል፡ከ 3 ሚሜ እስከ 6 ሚሜ።

ዋርፍ፡ ለአነስተኛ መጠኖች ≤ 30 μm፣ ለትላልቅ መጠኖች ≤ 45 μm።

ኦተር የሚገኝ መጠን 3 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች5×5 10×10

ከፊል የውሂብ መለኪያዎች ሰንጠረዥ

ንብረት	2 ኢንች		3 ኢንች		4 ኢንች	6 ኢንች	8 ኢንች
አይነት	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C፤		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C፤		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
ዲያሜትር	50.8 ± 0.3 ሚሜ		76.2±0.3ሚሜ		100±0.3ሚሜ	150±0.3ሚሜ	200 ± 0.3 ሚሜ
ውፍረት	330 ± 25 um		350 ±25 um		350 ±25 um	350 ±25 um	350 ±25 um
	350±25um;		500±25 ዋት		500±25 ዋት	500±25 ዋት	500±25 ዋት
	ወይም ብጁ የተደረገ		ወይም ብጁ የተደረገ		ወይም ብጁ የተደረገ	ወይም ብጁ የተደረገ	ወይም ብጁ የተደረገ
ሸካራነት	ራ ≤ 0.2nm		ራ ≤ 0.2nm		ራ ≤ 0.2nm	ራ ≤ 0.2nm	ራ ≤ 0.2nm
ዋርፕ	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45 ሚ
ቲቲቪ	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
ጭረት/ቆፋሪ	ሲኤምፒ/ኤምፒ
ኤምፒዲ	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
ቅርጽ	ክብ፣ ጠፍጣፋ 16 ሚሜ፤ ርዝመት 22 ሚሜ፤ ርዝመት 30/32.5 ሚሜ፤ ርዝመት 47.5 ሚሜ፤ ጫፍ፤ ጫፍ፤ ጫፍ፤
ቤቭል	45°፣ ከፊል ዝርዝር መግለጫ፤ ሐ ቅርጽ
ደረጃ	የምርት ደረጃ ለ MOS&SBD፤ የምርምር ደረጃ፤ የዱሚ ደረጃ፣ የዘር ዋፈር ደረጃ
አስተያየቶች	ዲያሜትር፣ ውፍረት፣ አቀማመጥ፣ ከላይ ያሉት ዝርዝሮች በእርስዎ ጥያቄ መሰረት ሊበጁ ይችላሉ

አፕሊኬሽኖች

·የኃይል ኤሌክትሮኒክስ

የኤን አይነት ሲሲ ዋፈርዎች ከፍተኛ ቮልቴጅ እና ከፍተኛ ጅረትን የመቆጣጠር ችሎታ ስላላቸው በሃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ውስጥ ወሳኝ ናቸው። እነዚህ ዋፈርዎች እንደ ታዳሽ ኃይል፣ ኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች እና የኢንዱስትሪ አውቶሜሽን ላሉ ኢንዱስትሪዎች በሃይል መቀየሪያዎች፣ ኢንቨርተሮች እና ሞተር ድራይቮች ውስጥ በብዛት ጥቅም ላይ ይውላሉ።

· ኦፕቶኤሌክትሮኒክስ
በተለይም ለኦፕቶኤሌክትሮኒክ አፕሊኬሽኖች የኤንአይ አይነት ሲሲ ቁሳቁሶች እንደ ብርሃን አመንጪ ዳዮዶች (LEDs) እና ሌዘር ዳዮዶች ባሉ መሳሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ። ከፍተኛ የሙቀት አማቂነት እና ሰፊ ባንድ ክፍተት ለከፍተኛ አፈጻጸም ላላቸው የኦፕቶኤሌክትሮኒክ መሳሪያዎች ተስማሚ ያደርጋቸዋል።

·ከፍተኛ የሙቀት መጠን አፕሊኬሽኖች
4H-N 6H-N SiC ዋፈሮች እንደ በአየር በረራ፣ በአውቶሞቲቭ እና በኢንዱስትሪ አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ በሚውሉ ዳሳሾች እና የኃይል መሳሪያዎች ውስጥ ላሉ ከፍተኛ የሙቀት መጠን ላላቸው አካባቢዎች ተስማሚ ናቸው፤ የሙቀት መሟጠጥ እና በከፍተኛ የሙቀት መጠን መረጋጋት ወሳኝ ናቸው።

·የRF መሳሪያዎች
4H-N 6H-N SiC ዋፈሮች በከፍተኛ ድግግሞሽ ክልል ውስጥ በሚሰሩ የሬዲዮ ፍሪኩዌንሲ (RF) መሳሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ። ከፍተኛ የኃይል ቆጣቢነት እና አፈጻጸም በሚያስፈልግባቸው የመገናኛ ስርዓቶች፣ የራዳር ቴክኖሎጂ እና የሳተላይት ግንኙነቶች ውስጥ ይተገበራሉ።

·የፎቶኒክ አፕሊኬሽኖች
በፎቶኒክስ ውስጥ፣ የሲሲ ዋፈርስ እንደ ፎቶዲቴክተሮች እና ሞዱለተሮች ላሉ መሳሪያዎች ጥቅም ላይ ይውላል። የቁሱ ልዩ ባህሪያት በኦፕቲካል ኮሙኒኬሽን ሲስተሞች እና በምስል መሳሪያዎች ውስጥ በብርሃን ማመንጨት፣ ሞዱሌሽን እና ለይቶ ማወቅ ላይ ውጤታማ እንዲሆን ያስችላሉ።

·ዳሳሾች
የሲሲ ዋፈርዎች በተለይም ሌሎች ቁሳቁሶች ሊበላሹ በሚችሉባቸው አስቸጋሪ አካባቢዎች በተለያዩ የዳሳሽ አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ። እነዚህም የሙቀት መጠን፣ ግፊት እና የኬሚካል ዳሳሾችን ያካትታሉ፣ እነዚህም እንደ አውቶሞቲቭ፣ ዘይት እና ጋዝ እና የአካባቢ ክትትል ባሉ መስኮች አስፈላጊ ናቸው።

·የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪ ድራይቭ ስርዓቶች
የሲሲ ቴክኖሎጂ በኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች ውስጥ የድራይቭ ሲስተሞችን ቅልጥፍና እና አፈጻጸም በማሻሻል ረገድ ጉልህ ሚና ይጫወታል። በሲሲ የኃይል ሴሚኮንዳክተሮች፣ የኤሌክትሪክ ተሽከርካሪዎች የተሻለ የባትሪ ዕድሜ፣ ፈጣን የኃይል መሙያ ጊዜ እና የተሻለ የኃይል ቆጣቢነት ማግኘት ይችላሉ።

·የላቀ ዳሳሾች እና የፎቶኒክ መቀየሪያዎች
በተራቀቁ የዳሳሽ ቴክኖሎጂዎች ውስጥ፣ የSiC ዋፈርዎች በሮቦቲክስ፣ በሕክምና መሳሪያዎች እና በአካባቢ ክትትል ውስጥ ለሚተገበሩ ከፍተኛ ትክክለኛነት ያላቸውን ዳሳሾች ለመፍጠር ያገለግላሉ። በፎቶኒክ መቀየሪያዎች ውስጥ፣ የSiC ባህሪያት የኤሌክትሪክ ኃይልን ወደ ኦፕቲካል ሲግናሎች በብቃት ለመለወጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ፣ ይህም በቴሌኮሙኒኬሽን እና በከፍተኛ ፍጥነት ባለው የኢንተርኔት መሠረተ ልማት ውስጥ ወሳኝ ነው።

ጥያቄ እና መልስ

Q：በ4H SiC ውስጥ 4H ምንድን ነው?
Aበ4H SiC ውስጥ "4H" የሚለው ቃል የሲሊኮን ካርቦይድ ክሪስታል መዋቅርን ያመለክታል፣ በተለይም አራት ንብርብሮች (H) ያሉት ባለ ስድስት ጎን ቅርጽ። "H" የሚለው ቃል የስድስት ጎን ፖሊታይፕ አይነትን ያመለክታል፣ ይህም እንደ 6H ወይም 3C ካሉ ሌሎች የSiC ፖሊታይፖች ይለየዋል።

Qየ4H-SiC የሙቀት ማስተላለፊያ ምንድነው?
A: የ4H-SiC (ሲሊከን ካርባይድ) የሙቀት ማስተላለፊያ በክፍል ሙቀት በግምት 490-500 W/m·K ነው። ይህ ከፍተኛ የሙቀት ማስተላለፊያ በኃይል ኤሌክትሮኒክስ እና በከፍተኛ ሙቀት አካባቢዎች ውስጥ ለመጠቀም ተስማሚ ያደርገዋል፣ ውጤታማ የሙቀት ማስተላለፊያ አስፈላጊ ነው።

ቀዳሚ፡ የሳፋየር ቱቦ ትክክለኛነት ማምረቻ ግልጽ ቱቦ Al2O3 ክሪስታል መልበስን የሚቋቋም ከፍተኛ ጥንካሬ EFG/KY የተለያዩ ዲያሜትር ፖሊሽ ብጁ

ቀጣይ፡ 2 ኢንች ነጠላ ዋፈር ካሴት የዋፈር ሳጥን ቁሳቁስ PP orPC በዋፈር ሳንቲም መፍትሄዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የዋለ 1 ኢንች 3 ኢንች 4 ኢንች 5 ኢንች 6 ኢንች 12 ኢንች ይገኛሉ