ሲሲ
-
4H-N 8 ኢንች የሲሲ ኮምፓክት ዋፈር ሲሊኮን ካርቦይድ ዱሚ የምርምር ደረጃ 500um ውፍረት
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate
-
Au የተሸፈነ ዋፍር፣ ሰንፔር ዋፍር፣ ሲሊከን ዋፍር፣ ሲሲ ዋፍር፣ 2ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች፣ በወርቅ የተሸፈነ ውፍረት 10nm 50nm 100nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-Semi 6H-Semi 4H-P 6H-P 3C አይነት 2ኢንች 3ኢንች 4ኢንች 6ኢንች 8ኢንች
-
2 ኢንች ሲክ ሲሊከን ካርቦዳይድ ንጣፍ 6H-N አይነት 0.33mm 0.43mm ባለ ሁለት ጎን መጥረጊያ ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ
-
SiC substrate 3ኢንች 350um ውፍረት የ HPSI አይነት ፕራይም ግሬድ ዱሚ ደረጃ
-
የሲሊኮን ካርቦይድ ሲሲ ኢንጎት 6ኢንች ኤን አይነት ዱሚ/የመጀመሪያ ደረጃ ውፍረት ሊበጅ ይችላል
-
6 በሲሊኮን ካርቦይድ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሊንግ ኢንጎት፣ ዱሚ ክፍል
-
SiC Ingot 4H አይነት ዲያ 4ኢንች 6ኢንች ውፍረት 5-10ሚሜ ምርምር/ዱሚ ደረጃ
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N አይነት ከፍተኛ ጠንካራነት ዝገት መቋቋም ዋና ደረጃ ፖሊንግ
-
2ኢንች ሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈር 6H-N አይነት ዋና ደረጃ ምርምር ደረጃ ዱሚ ክፍል 330μm 430μm ውፍረት
-
2ኢንች የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ 6H-N ባለ ሁለት ጎን የተጣራ ዲያሜትር 50.8ሚሜ የምርት ደረጃ የምርምር ደረጃ