ሲሲ
-
ሲሊከን ካርቦይድ (ሲሲ) ነጠላ-ክሪስታል ንጣፍ - 10×10ሚሜ ዋፈር
-
4H-N HPSI SiC ዋፈር 6H-N 6H-P 3C-N SiC ለMOS ወይም SBD ኤፒታክሲያል ዋፈር
-
ለኃይል መሳሪያዎች የሲሲ ኤፒታክሲያል ዋፈር - 4H-SiC፣ ኤን-አይነት፣ ዝቅተኛ ጉድለት ያለው ጥግግት
-
4H-N Type SiC Epitaxial Wafer ከፍተኛ ቮልቴጅ ከፍተኛ ድግግሞሽ
-
3 ኢንች ከፍተኛ ንፅህና (ያልተፈተሸ) የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ ከፊል-ኢንሱሌሽን ሲክ ንጣፎች (HPSl)
-
4H-N 8 ኢንች SiC ንጣፍ ዋፈር ሲሊኮን ካርቦይድ ዱሚ የምርምር ደረጃ 500um ውፍረት
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate
-
ኦው የተሸፈነ ዋፈር，ሰንፔር ዋፈር，ሲሊኮን ዋፈር，ሲሲ ዋፈር，2 ኢንች 4 ኢንች 6 ኢንች，ወርቅ የተሸፈነ ውፍረት 10nm 50nm 100nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-Semi 6H-Semi 4H-P 6H-P 3C አይነት 2ኢንች 3ኢንች 4ኢንች 6ኢንች 8ኢንች
-
2 ኢንች የሲክ ሲሊከን ካርቦይድ ንጣፍ 6H-N አይነት 0.33ሚሜ 0.43ሚሜ ባለ ሁለት ጎን ማጥራት ከፍተኛ የሙቀት አማቂ ኃይል ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ
-
የሲሲ ንጣፍ 3 ኢንች 350um ውፍረት HPSI አይነት ፕራይም ግሬድ ዱሚ ግሬድ
-
ሲሊከን ካርባይድ ሲሲ ኢንጎት 6 ኢንች ኤን አይነት ዱሚ/ፕራይም ደረጃ ውፍረት ሊበጅ ይችላል