ሲሲ
-
6 በሲሊኮን ካርቦይድ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሊንግ ኢንጎት፣ ዱሚ ክፍል
-
SiC Ingot 4H አይነት ዲያ 4ኢንች 6ኢንች ውፍረት 5-10ሚሜ ምርምር/ዱሚ ደረጃ
-
3 ኢንች ከፍተኛ ንፅህና (የተቀየረ) ሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ ከፊል-ኢንሱላሊንግ ሲክ ንፁህ ንጥረ ነገሮች (HPSl)
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N አይነት ከፍተኛ ጠንካራነት ዝገት መቋቋም ዋና ደረጃ መወልወል
-
2ኢንች ሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈር 6H-N አይነት ዋና ደረጃ ምርምር ደረጃ ዱሚ ክፍል 330μm 430μm ውፍረት
-
2ኢንች የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ 6H-N ባለ ሁለት ጎን የተጣራ ዲያሜትር 50.8ሚሜ የምርት ደረጃ የምርምር ደረጃ
-
N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch ከፍተኛ ጥራት ያለው ሞኖክሪስታሊን እና ዝቅተኛ ጥራት ያለው ንጣፍ
-
ከፊል-ኢንሱላር የሲሲሲ የተቀናበሩ ንጥረ ነገሮች Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
በSi Composite Substrates Dia6inch ላይ N-Type SiC
-
SiC substrate Dia200mm 4H-N እና HPSI Silicon carbide
-
3ኢንች SiC substrate ምርት Dia76.2mm 4H-N
-
SiC substrate P እና D ደረጃ Dia50mm 4H-N 2inch