ሲሲ
-
2 ኢንች ሲክ ሲሊከን ካርቦዳይድ ንጣፍ 6H-N አይነት 0.33mm 0.43mm ባለ ሁለት ጎን መጥረጊያ ከፍተኛ የሙቀት መቆጣጠሪያ ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ
-
SiC substrate 3ኢንች 350um ውፍረት የ HPSI አይነት ፕራይም ግሬድ ዱሚ ደረጃ
-
የሲሊኮን ካርቦይድ ሲሲ ኢንጎት 6ኢንች ኤን አይነት ዱሚ/የመጀመሪያ ደረጃ ውፍረት ሊበጅ ይችላል
-
6 በሲሊኮን ካርቦይድ 4H-SiC ከፊል-ኢንሱሊንግ ኢንጎት፣ ዱሚ ክፍል
-
SiC Ingot 4H አይነት ዲያ 4ኢንች 6ኢንች ውፍረት 5-10ሚሜ ምርምር/ዱሚ ደረጃ
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N አይነት ከፍተኛ ጠንካራነት ዝገት መቋቋም ዋና ደረጃ ፖሊንግ
-
2ኢንች ሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈር 6H-N አይነት ዋና ደረጃ ምርምር ደረጃ ዱሚ ክፍል 330μm 430μm ውፍረት
-
2ኢንች የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ 6H-N ባለ ሁለት ጎን የተጣራ ዲያሜትር 50.8ሚሜ የምርት ደረጃ የምርምር ደረጃ
-
N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch ከፍተኛ ጥራት ያለው ሞኖክሪስታሊን እና ዝቅተኛ ጥራት ያለው ንጣፍ
-
ከፊል-ኢንሱላር የሲሲሲ የተቀናበሩ ንጥረ ነገሮች Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
N-Type SiC በSi Composite Substrates Dia6inch ላይ
-
SiC substrate Dia200mm 4H-N እና HPSI Silicon carbide