ሲሲ
-
6 ኢንች SiC Epitaxiy wafer N/P አይነት ብጁ የተደረገ
-
Dia150ሚሜ 4H-N 6 ኢንች SiC ንጣፍ ምርት እና አስመሳይ ደረጃ
-
ለ MOS ወይም SBD 4 ኢንች SiC Epi Wafer
-
ባለ 2 ኢንች SiC ኢንጎት Dia50.8ሚሜ x10ሚሜ 4H-N ሞኖክሪስታል
-
200ሚሜ SiC substrate dummy grade 4H-N 8inch SiC wafer
-
4H-N Dia205mm SiC ዘር ከቻይና P እና D ደረጃ ሞኖክሪስታሊን
-
4 ኢንች SiC Wafers 6H ከፊል-ኢንሱላይትድ SiC Substrates ፕራይም፣ ሪሰርች እና ዲሚ ግሬድ
-
6 ኢንች HPSI SiC ንጣፍ ዋፈር ሲሊኮን ካርቦይድ ከፊል-ስድብ SiC ዋፈርስ
-
4 ኢንች ከፊል-ስድብ SiC ዋፈሮች HPSI SiC substrate Prime የምርት ደረጃ
-
3 ኢንች 76.2ሚሜ 4H-Semi SiC substrate wafer Silicon Carbide ከፊል-ስድብ SiC wafers
-
3 ኢንች Dia76.2ሚሜ SiC ንጣፎች HPSI Prime Research እና Dummy grade
-
4H-ከፊል HPSI 2 ኢንች SiC ንጣፍ ዋፈር ምርት ዱሚ የምርምር ደረጃ