ሲሲ
-
2 ኢንች SiC Wafers 6H ወይም 4H ከፊል-ኢንሱሌሽን SiC substrates Dia50.8ሚሜ
-
2 ኢንች የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ 6H ወይም 4H N-type ወይም ከፊል-ኢንሱሌሽን ሲሲ ንጣፎች
-
4H-N 4 ኢንች SiC ንጣፍ ዋፈር ሲሊኮን ካርቦይድ ፕሮዳክሽን ዱሚ የምርምር ደረጃ
-
6 ኢንች 150ሚሜ ሲሊከን ካርቦይድ ሲሲ ዋፈርስ 4H-N አይነት ለMOS ወይም SBD የምርት ምርምር እና የዱሚ ደረጃ
-
8 ኢንች 200ሚሜ 4H-N SiC Wafer ኮንዳክቲቭ ዲሚ የምርምር ደረጃ
-
2 ኢንች የሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈርስ 6H ወይም 4H N-type ወይም ከፊል-ኢንሱሌሽን ሲሲ ንጣፎች