Substrate
-
የሲሊኮን ካርቦይድ ሲሲ ኢንጎት 6ኢንች ኤን አይነት ዱሚ/የመጀመሪያ ደረጃ ውፍረት ሊበጅ ይችላል
-
SiC Ingot 4H-N አይነት ዱሚ ግሬድ 2ኢንች 3ኢንች 4ኢንች 6ኢንች ውፍረት፡＞10ሚሜ
-
HPSI SiC ዋፈር ዲያ፡3 ኢንች ውፍረት፡350um± 25 µm ለኃይል ኤሌክትሮኒክስ
-
3ኢንች ከፍተኛ ንፅህና ከፊል-ኢንሱሌቲንግ (HPSI) የሲሲ ዋፈር 350um ዱሚ ክፍል ፕራይም ደረጃ
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N አይነት ከፍተኛ ጠንካራነት ዝገት መቋቋም ዋና ደረጃ መወልወል
-
2ኢንች 6H-N የሲሊኮን ካርቦይድ ንጣፍ ሲክ ዋፈር ድርብ የተወለወለ መሪ ዋና ደረጃ ከፍተኛ ደረጃ
-
2ኢንች ሲሊኮን ካርቦይድ ዋፈር 6H-N አይነት ዋና ደረጃ ምርምር ደረጃ ዱሚ ክፍል 330μm 430μm ውፍረት
-
2ኢንች የሲሊኮን ካርቦዳይድ ንጣፍ 6H-N ባለ ሁለት ጎን የተጣራ ዲያሜትር 50.8ሚሜ የምርት ደረጃ የምርምር ደረጃ
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substrate 4inch 〈111〉± 0.5°ዜሮ MPD
-
SiC substrate P-አይነት 4H/6H-P 3C-N 4ኢንች ውፍረት 350um የምርት ደረጃ ዱሚ ደረጃ
-
4H/6H-P 6ኢንች ሲሲ ዋፈር ዜሮ MPD ደረጃ ማምረት የድሚ ደረጃ
-
ፒ-አይነት የሲሲ ዋይፈር 4H/6H-P 3C-N 6ኢንች ውፍረት 350 μm ከዋና ጠፍጣፋ አቀማመጥ ጋር