Substrate
-
12ኢንች ሰንፔር ዋፈር ሲ-ፕላን SSP/DSP
-
Dia150mm 4H-N 6inch SiC substrate ማምረት እና dummy grade
-
FZ CZ Si wafer በአክሲዮን 12ኢንች የሲሊኮን ዋፈር ፕራይም ወይም ሙከራ
-
200kg ሲ-አውሮፕላን ሳፊር ቡሌ 99.999% 99.999% monocrystalline KY ዘዴ
-
4ኢንች SiC Epi wafer ለ MOS ወይም SBD
-
8ኢንች የሲሊኮን ዋፈር ፒ/ኤን-አይነት (100) 1-100Ω ዱሚ የመልሶ ማግኛ ንጣፍ ንጣፍ
-
99.999% Al2O3 ሰንፔር boule monocrystal ግልጽ ቁሳዊ
-
2ኢንች ሲሲ ኢንጎት ዲያ50.8ሚሜx10ሚሜ 4ኤች-ኤን ሞኖክሪስተል
-
2ኢንች 50.8ሚሜ የሲሊኮን ዋፈር FZ N-አይነት SSP
-
4ኢንች የሲሊኮን ዋፈር FZ CZ N-Type DSP ወይም SSP የሙከራ ደረጃ
-
6ኢንች SiC Epitaxy wafer N/P አይነት ብጁ መቀበል
-
6ኢንች N-አይነት ወይም ፒ-አይነት የሲሊኮን ዋፈር CZ Si wafer