የ SOI ዋፈር ኢንሱሌተር በሲሊኮን 8 ኢንች እና ባለ 6-ኢንች SOI (ሲሊኮን-በኢንሱሌተር) ዋይፎች ላይ

የላይኛው የሲሊኮን ንብርብር ፣ የማይበገር ኦክሳይድ ንብርብር እና የታችኛው የሲሊኮን ንጣፍ ፣ ባለሶስት-ንብርብር SOI wafer በማይክሮ ኤሌክትሮኒክስ እና በ RF ጎራዎች ውስጥ ወደር የለሽ ጥቅሞችን ይሰጣል።ከፍተኛ ጥራት ያለው ክሪስታላይን ሲሊከን ያለው የላይኛው የሲሊኮን ንብርብር ውስብስብ ኤሌክትሮኒካዊ ክፍሎችን ከትክክለኛነት እና ቅልጥፍና ጋር ማዋሃድን ያመቻቻል.መከላከያው ኦክሳይድ ንብርብር፣ የጥገኛ አቅምን ለመቀነስ በትኩረት የተነደፈ፣ ያልተፈለገ የኤሌክትሪክ ጣልቃገብነትን በመቀነስ የመሣሪያውን አፈጻጸም ያሳድጋል።የታችኛው የሲሊኮን ንጣፍ ሜካኒካል ድጋፍ ይሰጣል እና አሁን ካለው የሲሊኮን ማቀነባበሪያ ቴክኖሎጂዎች ጋር ተኳሃኝነትን ያረጋግጣል።

በማይክሮ ኤሌክትሮኒክስ ውስጥ፣ የ SOI ዋፈር የላቀ ፍጥነት፣ የሃይል ቅልጥፍና እና አስተማማኝነት የላቀ የተቀናጁ ሰርኮችን (ICs) ለማምረት እንደ መሰረት ሆኖ ያገለግላል።የሶስት-ንብርብር ስነ-ህንፃው ውስብስብ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎችን እንደ CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) ICs፣ MEMS (ማይክሮ-ኤሌክትሮ-ሜካኒካል ሲስተሞች) እና የሃይል መሳሪያዎችን ማልማት ያስችላል።

በ RF ጎራ ውስጥ, SOI wafer በ RF መሳሪያዎች እና ስርዓቶች ዲዛይን እና አተገባበር ውስጥ አስደናቂ አፈፃፀም ያሳያል.አነስተኛ ጥገኛ አቅም ያለው፣ ከፍተኛ የቮልቴጅ ብልሽት እና እጅግ በጣም ጥሩ የመገለል ባህሪያት ለ RF ማብሪያ / ማጥፊያዎች ፣ ማጉሊያዎች ፣ ማጣሪያዎች እና ሌሎች የ RF ክፍሎች ተስማሚ ያደርጉታል።በተጨማሪም፣ የ SOI ዋፈር ተፈጥሯዊ የጨረር ታጋሽነት ለኤሮስፔስ እና ለመከላከያ አፕሊኬሽኖች ተስማሚ አድርጎታል ይህም በአስቸጋሪ አካባቢዎች ውስጥ አስተማማኝነት አስፈላጊ ነው።

በተጨማሪም የ SOI ዋፈር ሁለገብነት ወደ ብቅ ብቅ ያሉ ቴክኖሎጂዎች እንደ ፎቶኒክ የተቀናጁ ወረዳዎች (PICs) ይዘልቃል፣ የጨረር እና የኤሌክትሮኒካዊ አካላት በአንድ ነጠላ ንጣፍ ላይ መቀላቀል ለቀጣይ ትውልድ የቴሌኮሙኒኬሽን እና የመረጃ ግንኙነት ስርዓቶች ተስፋን ይሰጣል።

በማጠቃለያው, የሶስት-ንብርብር ሲሊኮን-ኦን-ኢንሱሌተር (SOI) ዋፈር በማይክሮ ኤሌክትሮኒክስ እና በ RF አፕሊኬሽኖች ውስጥ ፈጠራ በግንባር ቀደምትነት ይቆማል.የእሱ ልዩ አርክቴክቸር እና ልዩ የአፈፃፀም ባህሪያቱ በተለያዩ ኢንዱስትሪዎች ውስጥ ለሚደረጉ እድገቶች፣ ግስጋሴዎች እና የቴክኖሎጂ የወደፊት ሁኔታዎችን ለመቅረጽ መንገድ ይከፍታል።